广州市集成电路产业“十五五”政策核心观点 - 广州市发布“十五五”集成电路产业高质量发展政策征求意见稿，旨在全链条推动产业自主创新与规模发展，助力广州打造国家集成电路产业发展“第三极”核心承载区 [1] 集成电路设计业政策 - 提升芯片设计创新策源能力，重点支持高端通用芯片及RISC-V、车规级、显示驱动等专用芯片开发，对符合条件的28nm及以下芯片流片给予不高于流片费用50%的补助，每家企业年度补助最高不超过500万元 [2] - 加强中小设计企业产能保障，建立应急保供协调机制，推动本地产线及中试线优先服务承担国家任务或研制重要产品的中小企业 [2] 集成电路制造业政策 - 强化集成电路制造能力，支持先进IDM和晶圆代工企业布局，重点推动12英寸晶圆产线建设，对特别重大项目可采取“补改投”方式，支持比例不超过新设备购置额的20%，且占项目公司股比不超过30% [2] - 支持重点制造项目技术改造，对符合条件的投资项目按新设备购置额不超过20%给予事后奖励，单个项目奖励不超过3000万元；对备案范围内的厂房建安工程投资额给予不超过2%的事后奖励，单个项目奖励不超过500万元 [3] 集成电路封测业政策 - 赶超高端封装测试水平，积极发展晶圆级、系统级、扇出型、Chiplet异构集成等先进封装技术及先进测试技术，支持先进封测生产线建设，对符合条件的项目按不超过新设备购置额20%给予补助，单个项目不超过2000万元 [3] 集成电路材料装备政策 - 推进高端材料及装备环节布局，集聚发展光掩膜、光刻胶、电子气体、大硅片等制造材料及光刻、刻蚀等制造设备，鼓励企业技术改造 [4] - 支持新材料企业研发首批次应用产品，按不超过产品首年度采购额30%给予应用企业一次性补助，每个产品补助最高不超过300万元，每家企业年度累计补助最高不超过800万元 [4] - 支持企业研制推广新装备，对符合要求的产品按不超过单台（套）销售价30%给予奖励，每家企业年度累计获得市级首台（套）装备资金最高不超过1000万元 [4] 集成电路协同联动政策 - 鼓励承担国家专项战略任务，根据国家实际拨付资金情况给予相应资金配套，并鼓励区级及争取省级配套支持 [4] - 支持供需两端高效协作，鼓励智能网联汽车、通信设备、人工智能等领域企业与集成电路企业协同，培育可靠供应链，支持整车及显示企业推广应用车规级及显示芯片 [5] - 鼓励开展车规级认证，对通过AEC-Q系列、IATF 16949、ISO 26262等认证的企业，按不高于实际认证发生额30%进行补助，每家企业年度补助最高不超过200万元 [5] 集成电路要素保障政策 - 加快专业园区建设，市区联动培育特色标杆工业园，支持园区公共平台建设，择优市级给予最高不超过5000万元奖励，加快建设广州高端电子信息新材料产业园，导入关键材料企业 [5] - 积极推动金融赋能产业，争取国家及省级基金支持，鼓励金融机构通过信贷、融资租赁等方式支持项目，鼓励对重大项目贷款进行贴息，支持企业上市融资，引导社会资本参与 [6][7] - 持续优化产业发展环境，完善重大项目建设推进机制，加强要素支撑与服务保障，推动重点项目在黄埔、增城、南沙等区集聚发展，支持举办国际影响力重大活动 [7]

加快突破处理器、存储芯片、边缘计算芯片等高端通用芯片的设计 加快突破处理器、存储芯片、边缘计算芯片等高端通用芯片的设计，积极支持RISC-V（基于精简指令 集原则的开源指令集架构）、车规级、显示驱动、传感器、光通信、6G等专用芯片的开发，加强对集 成电路企业产品首轮流片支持，对符合条件的相关企业开展拥有自主知识产权的28nm及以下或具备较 大竞争优势的芯片流片，按照不高于流片费用的50%给予补助。 1月13日消息，为深入贯彻国家集成电路产业高质量发展战略部署，助力广州打造国家集成电路产业发 展"第三极"核心承载区，《广州市关于"十五五"时期全链条推动集成电路产业高质量发展的若干政策 （征求意见稿）》 公开征求意见。 争取国家集成电路产业基金支持重大项目建设 引导社会资本参与集成电路企业兼并重组 争取国家、省集成电路产业发展基金支持广州市重大项目建设。鼓励金融机构、地方金融组织通过银行 信贷、融资租赁等方式支持项目建设和企业经营，鼓励产业主导部门对本行业重大项目按照实际贷款部 分的一定比例进行贴息。支持企业利用多层次资本市场上市融资发展。鼓励各类风险投资和股权投资基 金进入集成电路领域，引导社会资本参与重大项目 ...

加快突破处理器、存储芯片、边缘计算芯片等高端通用芯片的设计 加快突破处理器、存储芯片、边缘计算芯片等高端通用芯片的设计，积极支持RISC-V（基于精简指令 集原则的开源指令集架构）、车规级、显示驱动、传感器、光通信、6G等专用芯片的开发，加强对集 成电路企业产品首轮流片支持，对符合条件的相关企业开展拥有自主知识产权的28nm及以下或具备较 大竞争优势的芯片流片，按照不高于流片费用的50%给予补助。 综合自人民财讯 责编：梁秋燕 1月13日消息，为深入贯彻国家集成电路产业高质量发展战略部署，助力广州打造国家集成电路产业发 展"第三极"核心承载区，《广州市关于"十五五"时期全链条推动集成电路产业高质量发展的若干政策 （征求意见稿）》 公开征求意见。 争取国家集成电路产业基金支持重大项目建设 引导社会资本参与集成电路企业兼并重组 争取国家、省集成电路产业发展基金支持广州市重大项目建设。鼓励金融机构、地方金融组织通过银行 信贷、融资租赁等方式支持项目建设和企业经营，鼓励产业主导部门对本行业重大项目按照实际贷款部 分的一定比例进行贴息。支持企业利用多层次资本市场上市融资发展。鼓励各类风险投资和股权投资基 金进入集成电路 ...

技术突破 - 中国研究人员研制出全球首款全频6G芯片 实现0.5GHz至115GHz全频谱集成于11mm×1.7mm芯片中 传统方案需九个独立无线电系统[5][6] - 采用光子电子融合技术 通过宽带电光调制器将无线信号转换为光信号 利用可调谐激光器混频实现传输 所有功能单元集成于单一芯片[7] - 测试期间通信质量保持稳定 在180微秒内实现6GHz频率调谐 单通道数据速率超过100Gbps 较美国农村平均20Mbps移动网速提升显著[7] 性能优势 - 支持毫米波/太赫兹通信与低频微波波段无缝切换 高频段提供巨大带宽与超低延迟 低频段实现广域覆盖 适用于远程山区/海底/太空场景[6][7] - 具备频率导航功能 可在干扰发生时自动切换至清晰频道 切换过程如"经验丰富的驾驶员变换车道" 确保通信持续不间断[7] - 实现多用途可编程和动态频率调节 在尺寸/功耗/性能间取得平衡 适用于音乐会/体育场等设备高密度连接场景[7][8] 应用前景 - 为AI原生网络奠定硬件基础 可通过内置算法动态调整通信参数以应对复杂电磁环境 同时进行实时环境感知[8] - 研究人员计划开发不大于USB记忆棒的即插即用通信模块 可嵌入智能手机/基站/无人机/物联网设备 加速灵活智能6G网络落地[8] - 技术突破有望通过扩大无线频谱覆盖范围 帮助缩小城乡数字鸿沟 推动下一代网络发展[5]

半导体技术突破 - 布里斯托大学主导的研究在《自然电子学》发表 展示半导体技术根本性突破 将加速自动驾驶 远程医疗 虚拟体验等未来技术的实现[1] - 该技术突破可显著提升数据通信传输能力 通过创新物理方法实现全球数十用户间的加速数据传输[1] - 研究团队预测未来十年内 该技术将彻底改变人类体验 包括远程医疗诊断手术 虚拟教育 虚拟旅游等应用场景[1] 6G通信技术发展 - 5G向6G演进需要半导体技术全面升级 关键元件氮化镓(GaN)射频放大器需具备更高速度 功率及可靠性[2] - 国际团队开发出新型GaN放大器架构 利用锁存效应将器件性能提升至新高度 采用亚100纳米侧鳍结构的并行通道设计[2] - 超晶格城堡场效应晶体管(SLCFET)技术在W波段(75-110GHz)展现最高性能 使用超过1000个宽度小于100纳米的鳍片驱动电流[2] 器件可靠性研究 - 通过3D建模验证锁存效应 长期测试表明该效应不影响器件可靠性与性能 关键保障在于每个鳍片周围的薄介电涂层[3] - 研究团队下一步将提升器件功率密度以服务更广泛用户 同时推进该技术的商业化应用[3] - 布里斯托大学在电气性能与效率提升领域保持领先 重点开发净零排放 通信及雷达用下一代半导体器件[3]

太赫兹技术突破 - 太赫兹波位于电磁波谱中0.1至10太赫兹范围，具备穿透固体物质、无电离辐射、高频信息传输能力，但存在水蒸气吸收、材料损耗及低功率生成等技术挑战 [1] - 硅与空气介电常数差异（11.9 vs 1）导致太赫兹波在界面反射严重，传统硅透镜解决方案成本高且体积大 [2] 麻省理工学院创新方案 - 研究团队采用图案化介电薄片替代硅透镜，薄片孔洞结构使介电常数介于硅与空气之间，提升波传输效率，实现更高辐射功率 [3] - 芯片集成片上放大器-倍增器链阵列、宽带蝴蝶结天线，搭配英特尔高功率晶体管（击穿电压6.3V，最大频率290GHz），在232-260GHz频段峰值辐射功率达11.1分贝毫瓦 [3] - 系统采用51 x 40毫米印刷电路板，介电匹配片暴露设计，辐射功率优于200-300GHz频段同类设备 [3] 商业化潜力与应用场景 - 该技术具备低成本、可大规模生产特性，潜在应用包括高分辨率雷达成像、宽带无线传输（如6G）、医学成像升级 [4] - 行业专家评价其突破CMOS技术极限，实现高输出功率与紧凑集成的组合，但需解决高频扩展的物理限制（如晶体管截止频率、互连损耗） [5] 技术瓶颈与改进方向 - 当前电路在极端条件下运行影响晶体管寿命，大规模CMOS阵列需优化热管理（散热器与风扇设计），预计2-4年内可解决 [5]