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1.6nm制程芯片
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台积电1nm传提前落地中科 新厂11月5日动工 2028年量产
经济日报· 2025-11-01 07:10
台积电先进制程规划与进展 - 台积电中科二期园区1.4nm制程新厂的基桩工程将于11月5日动工,公司已向中科管理局确认将原规划的2nm制程更改为更先进的1.4nm制程 [1] - 1.4nm制程首座厂计划在2027年底前完成风险性试产,并于2028年下半年正式量产,新厂初估营业额可望超过5000亿元新台币 [1] - 中科F25厂规划设立四座1.4nm制程厂房,未来将成为全球最大的AI结合高性能计算芯片生产基地,初期投资金额预估达460亿美元,员工数在8000至1万人 [1][2] 美国市场需求与地缘政治影响 - 美国基于分散地缘风险考虑,对2nm制程需求有急迫性,要求台积电美国厂将2nm及1.6nm制程量产时程提前至2027年 [2] - 根据经济部投审会的"N-1规范",中国台湾最先进制程量产后,美国厂才能展开下一代制程,这给中科1.4nm厂带来非常大的量产压力 [1] - 台积电在美国的投资建厂,先进制程目前只规划到2nm至1.6nm,1.4nm制程尚未列入赴美投资计划 [2] 1nm制程的潜在发展 - 由于南科沙崙生态科学园区开发缓不济急,预计最快2027年底才能完成审查交地建厂,无法满足美国对更先进制程的需求 [2] - 为符合美国对下一世代制程的需求并确保市场独占性,台积电中科厂四座晶圆厂中的第四座厂不排除推进至A10制程的试作线 [2] - 南科虽规划提供给台积电1nm先进制程厂使用,但进度滞后,使得1nm制程有可能提前落地中科厂 [1][2]