台积电先进制程规划与进展 - 台积电中科二期园区1.4nm制程新厂的基桩工程将于11月5日动工，公司已向中科管理局确认将原规划的2nm制程更改为更先进的1.4nm制程 [1] - 1.4nm制程首座厂计划在2027年底前完成风险性试产，并于2028年下半年正式量产，新厂初估营业额可望超过5000亿元新台币 [1] - 中科F25厂规划设立四座1.4nm制程厂房，未来将成为全球最大的AI结合高性能计算芯片生产基地，初期投资金额预估达460亿美元，员工数在8000至1万人 [1][2] 美国市场需求与地缘政治影响 - 美国基于分散地缘风险考虑，对2nm制程需求有急迫性，要求台积电美国厂将2nm及1.6nm制程量产时程提前至2027年 [2] - 根据经济部投审会的"N-1规范"，中国台湾最先进制程量产后，美国厂才能展开下一代制程，这给中科1.4nm厂带来非常大的量产压力 [1] - 台积电在美国的投资建厂，先进制程目前只规划到2nm至1.6nm，1.4nm制程尚未列入赴美投资计划 [2] 1nm制程的潜在发展 - 由于南科沙崙生态科学园区开发缓不济急，预计最快2027年底才能完成审查交地建厂，无法满足美国对更先进制程的需求 [2] - 为符合美国对下一世代制程的需求并确保市场独占性，台积电中科厂四座晶圆厂中的第四座厂不排除推进至A10制程的试作线 [2] - 南科虽规划提供给台积电1nm先进制程厂使用，但进度滞后，使得1nm制程有可能提前落地中科厂 [1][2]

台积电1.4nm制程建厂计划 - 台积电向中科管理局申报开工 中科A14（1.4nm）先进制程新厂预计2028年下半年量产 [1] - 初期投资金额预估高达490亿美元（约新台币1.5万亿元） 将创造8000至1万个工作机会 [1] - 厂房基桩工程已完成招标 预计11月5日开工 后续建厂发包作业正展开 [1] 台积电生产规划与技术布局 - 1.4nm制程主要生产据点为台中F25厂 规划设立四座厂房 [1] - 首座厂目标2027年底前完成风险性试产 2028年下半年正式量产 [1] - 新厂初估营业额可望超过新台币5000亿元 [1] - 中科四座厂房量产后将成为全球最大的AI/HPC芯片生产基地 [1] 全球先进制程竞争态势 - 台积电在美国亚利桑那新厂导入先进制程约为2nm至1.6nm 1.4nm制程优先在台湾量产 [1] - 原规划中科第一期二座为1.4nm 后续第二期二座厂可能推进至A10（1nm）制程 [1] - 市场关注1.4nm技术 中科四座厂拟全数规划1.4nm制程 1nm制程可望移往南科沙仑园区 [1] - 南科沙仑生态科学园区（约531公顷）预计供未来半导体1nm制程使用 [2] - 软银与英伟达入股英特尔以推进其先进芯片制程 三星也积极推进1.4nm量产 [2] - 业界分析台积电加速1.4nm布局以确保市场独占性 [2]

价格调整计划 - 台积电考虑2026年将所有高端工艺制程价格提高5%-10% [1] - 调价范围涵盖5纳米/4纳米、3纳米和2纳米等先进制程 [1] - 主要客户包括英伟达和苹果将面临芯片成本上升 [1] 产能扩张布局 - 公司计划建设1.4纳米制程新厂 总投资1.2-1.5万亿新台币（约2796.4-3495.49亿元人民币）[3] - 新厂预计10月动工 首期两座厂房计划2028年实现量产 [3] - 后续工艺有望推进至1纳米级别 [3] 管理层表态 - 董事长魏哲家曾对涨价问题表示"心里想的事情，嘴巴不能讲" [3]