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12英寸导电型SiC衬底
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浙江晶瑞、南砂晶圆:实现12英寸SiC突破
行家说三代半· 2025-05-13 18:00
行业动态 - 国内SiC行业近期有2家企业实现12英寸技术突破,合计共8家企业展示了12英寸SiC晶锭和衬底 [2] - 行业即将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会",多家知名企业和机构参与 [1] 浙江晶瑞技术突破 - 成功研发12英寸导电型SiC晶体,直径达309mm,质量完好 [4][5] - 基于自主研发的SiC单晶生长炉和持续迭代的长晶工艺,攻克了温场不均、晶体开裂等核心难题 [7] - 今年3月已展示多晶12英寸碳化硅衬底,实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控 [7] - 8英寸碳化硅衬底已实现批量生产 [7] 南砂晶圆技术进展 - 正式展示12英寸导电型SiC衬底,实现大尺寸碳化硅衬底突破 [5][9] - 拥有广州、中山、济南三大生产基地,形成完整碳化硅单晶生长和衬底制备生产线 [9] - 成功实现近"零螺位错"密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备 [10] 行业活动 - 多家SiC行业领先企业将参加上海举办的行业大会 [1][12] - 行业近期有超15亿的2个SiC项目开工/即将投产 [12]