SEMICON China大会在上海成功召开，大会聚焦：1）AI算力拉动行业需求爆发，国内产能扩张与先 进封装稳步推进；2）国产设备厂商新品推出，平台化布局日益完善，先进制程及先进封装设备工艺创 新加速。建议关注半导体设备、材料、零部件等新品发布及中长期平台化进展，维持行业投资评级 为"**"。 AI加速半导体万亿时代落地，国内晶圆扩产与先进封装共迎机遇。 在AI算力以及全球数字化经济驱动 下，原定于2030年达到的万亿美金半导体时代有望于2026年底提前到来。存储是AI基础设施核心战略 资源，目前HBM产能缺口仍达50%至60%，随着2nm及以下制程逼近物理极限，先进封装的战略位置凸 显，"先进制程+先进封装"的双轮驱动，从系统层面推动产业升级，当前先进封装已演进至原子级的精 度革命阶段，以AI驱动的EDA工具预计将大幅提升设计生产力并有效缩短设计周期。全球晶圆厂正加 速扩张，中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，翻近三倍，全球市场份额从20%升至32%。2028年 全球将新建108座晶圆厂，中国独占47座。设备投资方面，中国大陆自2020年起已连续六年保持全球第 一设备市场规模，2027年市场份额有 ...

行业投资评级 - 维持行业投资评级为“推荐” [1] 报告核心观点 - AI算力拉动行业需求爆发，国内产能扩张与先进封装稳步推进，半导体万亿市场有望提前至2026年底到来 [1][6][10] - 国产设备厂商新品集中推出，平台化布局日益完善，在先进制程及先进封装设备领域工艺创新加速 [1][6][13] - SEMICON大会展现了国内半导体设备技术实力，建议关注受益于平台化布局、技术产品创新、材料涨价/拓品及零部件国产替代的各类厂商 [6][44] 根据相关目录分别进行总结 1、 AI算力拉动行业需求爆发，国内产能扩张与先进封装稳步推进 - **AI驱动半导体市场提前增长**：在AI算力及全球数字化经济驱动下，原定于2030年达到的万亿美元半导体市场有望于2026年底提前到来 [6][10] - **2026年三大产业趋势**： - **AI算力**：2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，拉动GPU、HBM及高速网络芯片需求 [10] - **存储革命**：存储成为AI基础设施核心战略资源，2026年全球存储产值将首次超越晶圆代工；HBM市场规模将增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成；尽管三大原厂将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍达50%至60% [6][10] - **技术驱动产业升级**：随着2nm及以下制程逼近物理极限（建设成本超250亿美元，是7nm时代的近3倍），先进封装战略位置凸显，“先进制程+先进封装”双轮驱动产业升级 [6][10] - **国内产能扩张迅猛**： - 全球半导体产能将从2020年的2510万片增至2030年的4450万片 [11] - 中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，翻近三倍，全球市场份额从20%升至32% [6][11] - 2028年全球将新建108座晶圆厂，中国独占47座 [6][11] - 在22至40纳米主流制程节点，中国产能占比将从2024年的25%提升至2028年的42% [11] - **设备投资规模领先**：中国大陆自2020年起已连续六年保持全球第一设备市场规模，2027年市场份额有望接近30% [6][11] - **行业长期展望**：2025至2030年间，全球半导体器件市场预计将以13%的年复合增长率扩张；到2030年，AI相关应用将占整个半导体市场规模的54% [11] - **先进封装与AI技术演进**：先进封装已演进至原子级的精度革命阶段，推动产业范式升级；AI驱动的EDA工具预计将大幅提升设计生产力并缩短设计周期 [6][11][12] 2、 国产设备新品持续推出，细分工艺创新加速 - **北方华创**：推出多款新产品 [6][13] - **Ausip T830 (TSV电镀设备)**：应用于2.5D/3D先进封装，可填充孔直径2-12微米、孔深16-120微米的产品；洗边宽度精度控制在±0.15mm；镀液组分浓度波动控制在±2%；攻克>20:1高深宽比结构的无空洞填充难题，片内均匀性稳定控制在1%以内；搭载自研AI-NEXUS智能系统 [13] - **Qomola HPD30 (12英寸D2W混合键合设备)**：针对SoC、HBM、Chiplet等3D集成应用，突破微米级超薄芯片无损拾取、纳米级超高精度对准等关键工艺瓶颈；是国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商 [6][16] - **Gluoner R50 (12英寸W2W混合键合设备)**：聚焦CIS、3D NAND、3D DRAM等核心应用，实现更高对准精度和更高质量的混合键合 [6][19] - **NMC612H (12英寸高端ICP刻蚀设备)**：聚焦先进逻辑与存储关键刻蚀工艺；超百区静电卡盘温度均匀性控制优于0.3°C；射频匹配时间从秒级降至毫秒级；将Patterning刻蚀CD均匀性控制在埃米级（1个硅原子直径）范围 [6][21] - **中微公司**：推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品 [6][23] - **Primo Angnova (新一代ICP刻蚀设备)**：应对5nm以下节点及先进存储芯片的高深宽比刻蚀需求；采用200区以上独立温控静电吸盘，实现优异片内刻蚀均匀性；最多可配置6个主刻蚀腔体与2个除胶腔体 [23] - **Primo Domingo (高选择性刻蚀设备)**：针对GAA、3D NAND、DRAM等器件工艺需求；采用全对称腔体结构与优化流场设计，保障高度均匀性与工艺重复性 [26] - **Smart RF Match (智能射频匹配器)**：适配前道刻蚀及先进封装等应用；首创射频回路专网概念，匹配速度较传统匹配器快百倍以上；在客户端测试中将射频信号匹配速度提升225%、助力整体刻蚀效率提高15% [27][30] - **Preciomo Udx (蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备)**：专为Micro LED量产设计，采用水平式双旋转反应室结构；最多可配置两个独立反应腔，可同时加工18片6英寸或12片8英寸外延片 [32] - **拓荆科技**：发布四大系列新品 [6][35] - **ALD系列**：包括VS-300T Astra-s SiN和PF-300T Altair TiN，性能先进且具有优异坪效比和CoO - **PECVD设备**：PF-300L Plus nX，应用于先进逻辑后道层低介电薄膜，兼容≤28nm工艺，实现介质薄膜的“低”介电常数和“高”机械强度；公司PECVD设备装机量及工艺覆盖率均达到国内第一 - **Gap-fill系列**：NF-300M Supra-H ACHM-VI，应用于先进存储与逻辑制程的图形传递修饰等，拥有业界最高坪效比和最低CoO - **3D IC系列**：涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品，聚焦Chiplet异构集成、三维堆叠及HBM应用；其中Pleione 300 HS芯片对晶圆熔融键合设备产能高于现有产品50% - **华海清科**：发布及呈现多款产品 [6][36] - **CMP装备**：12英寸装备Universal-S300采用叠层布局，空间利用率与产能优势显著；Universal-300FS在先进制程产线验证中表现高效、稳定、高良品率 - **离子注入机**：iPUMA-HP12英寸氢离子大束流离子注入机，置换率达国际先进水平，正加速规模化应用 - **磨划装备**：Versatile-GP300提升减薄精度与工艺稳定性，晶圆整体厚度偏差及极限减薄能力达国际先进水平 - **晶盛机电**：针对先进封装痛点推出创新产品，包括专为3D集成和先进封装设计的12寸W2W高精密键合设备，以及SOI键合、皮秒激光开槽设备 [6][37] - **先导基电（凯世通）**：发布Hyperion先进制程大束流和iKing 360中束流两大离子注入机新品；iKing 360实现30%以上产能提升，适配6/8英寸碳化硅工艺 [6][41] - **盛美上海**：首发“盛美芯盘八大行星”全系列产品，含清洗、电镀、封装等八大品类；清洗设备覆盖芯片制造95%工艺步骤，电镀设备实现技术全覆盖 [6][42] 3、 投资建议 - **建议关注三大方向** [6][44] - **设备厂商**：受益于平台化布局或技术产品创新加速，包括北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、芯源微、中科飞测、精测电子、屹唐股份、盛美上海、金海通、矽电股份、ASMPT等 - **材料厂商**：受益于涨价或拓品，包括江丰电子、鼎龙股份、安森股份、兴福电子、神工股份、上海新阳、路维光电、清溢光电、龙图光罩、安集科技、广钢气体等 - **零部件厂商**：受益于半导体零部件国产替代，包括富创精密、先导基电、新莱应材、正帆科技、英杰电气、珂玛科技、先锋精科等