台积电先进制程规划 - 公司计划在中国台湾中部科学园区建设Fab 25，总投资约490亿美元，规划建设四座晶圆厂 [4] - Fab 25第一阶段的两座晶圆厂将专门用于1.4nm工艺，预计2028年下半年实现量产 [4] - 第二阶段将推进至1nm工艺，公司可能在1nm节点首次采用High-NA EUV光刻机，相关开发预计在2030年前完成，目标约在2030年实现量产 [4] Rapidus技术发展路线 - 公司由索尼、丰田等八家日本企业于2022年合资成立，旨在实现先进半导体工艺的本地化设计与制造 [4] - 公司正在加速先进制程研发，目标是在1nm工艺节点上将与台积电的技术差距缩小到大约6个月 [2] - 公司计划于2024年开始开发1.4nm工艺，量产时间预计为2029年 [4] - 为达成1nm节点与台积电差距6个月的目标，公司很可能需要在2030年下半年至2031年之间进入量产阶段 [4] - 公司已在日本北海道千岁市建造创新集成制造工厂（IIM-1），目标是2027年量产2nm芯片 [4] - 公司计划在2027财年（2027年4月至2028年3月）开建第二座晶圆厂，并规划更先进的1.4nm及1nm工艺 [4]