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16层HBM 4,首次公开
半导体芯闻· 2026-01-06 18:30
公司产品发布与展示计划 - SK海力士计划在2026年拉斯维加斯国际消费电子展上设立以“以创新人工智能技术创造可持续未来”为主题的展馆,展示下一代人工智能存储解决方案 [1] - 公司将首次公开展示其48GB 16层HBM4产品,该产品是36GB 12层HBM4的升级版,研发工作正按计划顺利进行以满足客户进度 [1] - 公司还将展出36GB 12层HBM3E产品,该产品预计将成为2024年上半年HBM市场的核心产品之一,并同时展出全球客户搭载该产品的最新AI服务器GPU模块 [1] 高性能内存产品详情 - 除了HBM产品,公司将展示专为AI服务器设计的低功耗内存模块SOCAMM2,该模块采用堆叠式LPDDR DRAM构建 [1] - 公司将推出新一代通用内存产品系列,其中LPDDR6内存的数据处理速度和能效相比以往产品显著提升,旨在优化设备端AI应用 [2] - 在NAND闪存领域,公司将推出一款321层、2Tb容量的QLC产品,该产品专为超大容量企业级固态硬盘优化,以应对因AI数据中心扩张而激增的eSSD需求 [2] 人工智能生态系统展示 - 公司将运营一个“人工智能系统演示区”,参观者可观察正在开发的人工智能系统内存解决方案如何有机连接,形成一个集成的AI生态系统 [2]
SK海力士第9代3D NAND即将上市
半导体芯闻· 2025-08-26 18:09
产品技术规格与性能提升 - SK海力士开始批量生产321层2Tb 3D QLC NAND存储设备,属于V9Q系列产品 [2] - 该设备输入/输出接口速度为3200 MT/s,具备六个平面,可实现更多并行操作,显著提高多重读取速度 [2] - 与旧款V7Q设备相比,新款2Tb V9Q设备的写入性能提高56%,读取性能提高18%,写入操作效率也提高23% [3] - 性能提升归功于更高的输入/输出速度和强化的内部架构,工艺改进和电路优化(如降低写入电压)也是原因 [3] 市场竞争优势与成本效益 - 采用最新的321层工艺技术使生产成本低于竞争对手的IC,公司能够制造更便宜的SSD,获得明显竞争优势 [3] - 最初将321层2Tb 3D QLC NAND设备应用于客户端SSD,例如2TB硬盘仅需八个2Tb V9Q IC,可封装在一或两个封装中,大大降低成本 [3] - 该技术有望用于数据中心,制造容量高达244TB或更高的超大容量SSD,同时也能为个人电脑生产价格相对低廉的高容量硬盘 [2] 产品应用与战略定位 - 该技术最终将用于企业级SSD,包括正在开发中的244TB产品,将采用公司独特的32DP封装技术,将32个2Tb设备捆绑到一个封装中 [4] - 批量生产显著增强了公司的高容量产品组合,并确保了成本竞争力 [4] - 公司将紧跟AI需求的爆炸性增长和数据中心市场对高性能的要求,向成为全栈AI存储提供商迈出一大步 [4]