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6英寸SiC衬底材料
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安海半导体:立足国产SiC发展,推进IDM战略布局
行家说三代半· 2025-05-19 18:33
行业动态与参编企业 - 天科合达、天岳先进、同光股份等18家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[1] - 行家说三代半策划《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道,聚焦碳化硅和氮化镓行业进展与未来方向[1] 2024年SiC行业进展 - 6英寸衬底良率提升且成本降低,8英寸衬底实现量产突破,山东天岳全球首发12英寸碳化硅衬底[2] - 多家厂商布局8英寸碳化硅晶圆厂,新能源车厂与芯片厂商合作推动国产芯片上车[2] - 行业未来方向:扩大晶圆直径降低成本,拓展应用场景提高对硅基产品的渗透率[2] 竞争格局与挑战 - 国内企业通过技术创新和产能扩张缩小与国际巨头差距,新能源汽车市场增长和政策支持将提升中国SiC行业全球地位[3] - 技术壁垒、成本压力和供应链依赖是主要挑战,需通过技术创新和产业链协同实现可持续发展[3] - 美国301调查短期加剧出口压力,但长期将倒逼中国SiC全产业链自主化,国内厂商需聚焦技术攻关、生态协同和市场内循环[3] 8英寸SiC发展现状与趋势 - 8英寸晶圆面积比6英寸增加80%,理论单位芯片成本降低30%以上,是未来取代IGBT的关键方向[4] - 产业链上下游已具备8英寸量产条件:设备端无障碍,衬底材料端天岳/天科合达/烁科等实现量产,芯片制造端需解决晶圆翘曲等问题[4] - 当前8英寸成本高于6英寸主因良率不足和需求未起量,但衬底价格下降快,预计2025年与6英寸成本持平[5] - 国际巨头Wolfspeed/意法半导体/英飞凌已布局8英寸产线,国内多家企业跟进[4] 企业战略布局 - 安海半导体计划从设计公司向IDM转型,6英寸稳定供应同时筹备8英寸工艺产能[5] - 2025年重点发力新能源汽车主驱/OBC/充电桩市场,并拓展光伏和高端电源领域[6] 行业热点聚焦 - 国际SiC企业如英飞凌、安森美近期公布新动向[8] - 光储赛道加速布局GaN技术,超10家终端玩家入局[8] - 400+SiC从业者齐聚上海探讨数字能源与交通应用[8]