文章核心观点 - HBM4基础芯片制造工艺从DRAM转向代工工艺 成为行业技术转折点 三星电子和SK海力士积极采用代工工艺 美光科技则采取保守策略暂缓转型 [1][3][4][5] HBM基础芯片技术演进 - 基础芯片作为HBM的"大脑"和"信号控制中心" 通过TSV互连技术堆叠DRAM芯片 决定整体性能和稳定性 [3] - HBM3E之前基础芯片采用DRAM工艺制造 DRAM制造商直接设计逻辑电路并在自有产线生产 [3] - DRAM工艺在速度/信号完整性/功率效率方面落后于代工厂FinFET工艺 [3][4] - AI计算量指数级增长使基础芯片作用愈发重要 不仅实现存储器堆叠 还决定信号处理和功率效率 [3] 三大存储器厂商技术战略 **三星电子与SK海力士** - 将HBM4基础芯片转换为代工工艺 解决高性能计算过程中的发热和信号延迟问题 [4] - 采用代工工艺可实现更细线宽和更复杂晶体管结构 打造适用于高速计算的基础芯片 [4] - 转型原因在于DRAM工艺已超出NVIDIA和AMD等GPU客户需求 为确保技术领先地位必须采用代工工艺 [5] **美光科技** - 继续使用现有DRAM工艺生产基础芯片直至HBM4量产 HBM4E才利用台积电代工厂 [4] - 策略基于眼前生产效率和成本考虑 通过最大化利用现有DRAM工艺基础设施保持成本竞争力 [5] - 保守策略可能有利于短期成本节约 但对注重性能客户的竞争可能造成不利影响 [5] 行业影响与竞争格局 - 基础芯片逻辑性能决定整体系统性能的阶段已到来 [5] - 工艺转移并非简单制造方法改变 而是重新定义HBM竞争格局的战略转变 [5] - 市场信任将优先给予技术率先得到验证的公司 [5]