DDR4/5内存条
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未知机构:中信电子2026年1月存储行业简报主流利基存储涨幅全面超预期-20260210
未知机构· 2026-02-10 10:00
纪要涉及的行业或公司 * **行业**:半导体存储行业,涵盖DRAM、NAND Flash、NOR Flash、SLC NAND等细分市场 [1][2] * **公司**: * **海外原厂**:SK海力士、三星电子、闪迪 [3] * **国内推荐标的**:兆易创新、普冉股份、北京君正、澜起科技、中微公司、华海清科、珂玛科技、精智达、华虹半导体、燕东微 [3] 核心观点和论据 * **存储价格全面超预期上涨** * **1月价格回顾**:DRAM主流颗粒现货价环比涨16%~33%,DDR5-8Gb/DDR4-8Gb合约价环比分别涨119%和63% [1] * **1月价格回顾**:NAND Flash主流颗粒现货价环比涨24%~34%,合约价环比涨37%~67% [1] * **1月价格回顾**:模组端,DDR4/5内存条现货价涨13%~50%,SSD涨39%~62%,移动存储涨22%~43% [1] * **DRAM价格展望**:预计Q1传统DRAM合约价上涨90%~95%,远超此前50%~60%的预期,服务器DRAM预计单季度涨88%~93% [1] * **NAND Flash价格展望**:预计Q1整体合约价上涨55%~60%,远超此前33%~38%的预期 [2] * **利基存储价格展望**:预计NOR Flash在26年上半年保持上涨,Q1涨幅整体超20%,中小容量涨幅更大 [2] * **SLC NAND价格展望**:因美光、铠侠陆续减少供应,预计26年上半年价格上涨幅度有望接近主流TLC/QLC产品 [2] * **需求核心驱动力来自AI与数据中心** * SK海力士预计2026年DRAM需求位元量同比增20%以上,NAND需求位元量同比增15%~20%,核心受AI服务器、数据中心需求驱动 [3] * 三星电子指出AI服务器需求保持强劲 [3] * 闪迪预计2026年数据中心位元需求增长将超过60% [3] * **供给紧张与结构性变化** * DRAM供需差距继续扩大,北美CSP厂商锁定货源导致其他客群被迫接受原厂高价 [1] * 手机和PC出货受存储供给和价格影响走弱 [3] * 美光、铠侠陆续减少SLC NAND供应 [2] 其他重要内容 * **投资建议方向** * **存储涨价受益**:重点推荐兆易创新、普冉股份、北京君正等 [3] * **CPU链/内存升级**:重点推荐AI互联芯片龙头澜起科技 [3] * **长鑫募投扩产设备受益**:建议关注国内存储敞口大的设备公司中微公司、华海清科、珂玛科技、精智达等 [3] * **存储配套逻辑芯片代工**:建议关注华虹半导体、燕东微等 [3]