DRAM芯片(DDR5)
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中芯国际毛利率及产能指标修复,存储资本支出或对位元出货支撑有限 | 投研报告
中国能源网· 2025-11-20 10:04
中芯国际25Q3业绩表现 - 25Q3实现营收23.82亿美元,环比增长7.8%,超出此前指引 [1][2] - 毛利率为22.0%,环比上升1.6个百分点,高于此前指引 [1][2] - 产能利用率上升至95.8%,环比增长3.3个百分点,25Q3月产能超过100万片 [1][2] - 出货量和平均单价均实现环比增长,产品结构调整和产能利用率提高共同推动毛利率提升 [2] - 消费电子、工业与汽车、电脑与平板业务收入占比环比提高,手机收入贡献因季节性调整而下降 [2] - 公司预期25Q4收入环比持平至上升2%,毛利率介于18%至20% [2] 存储市场动态与资本支出趋势 - 闪迪在11月将NAND Flash合约价格提高50%,此前9月已调涨10% [3] - 三星电子将某些DRAM芯片(DDR5)价格相比9月份上涨60% [3] - DRAM与NAND Flash后续资本支出将持续上涨,但对2026年的位元产出增长支撑有限 [3] - 存储厂商投资重心转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合及HBM等高附加值产品 [3] - Samsung和SK Hynix/Solidigm将缩减或限制NAND Flash资本支出,优先投资HBM和DRAM领域 [3] - NAND Flash市场的供不应求状态预计将延续2026年全年 [3] 行业投资机会 - 在AI算力需求和半导体自主可控背景下,国产代工有望在更先进制程和更大产量层面提升 [2][4] - 国际龙头产能结构调整为国产代工留出空间,建议关注中芯国际、华虹公司 [2][4] - 存储扩产将拉动国内半导体前道和键合设备需求 [4] - HBM发展将带动混合键合等封装技术和高端产能,建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等公司 [4]