GaN HEMT芯片

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银河微电拟3.1亿元投建 分立器件产业化基地
证券时报· 2025-08-13 13:51
公司投资计划 - 拟投资3.1亿元实施高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目 旨在提升生产加工能力和扩大生产规模 [1] - 投资资金来源为自有资金或自筹资金 建设周期30个月 通过购置土地及开展厂房土建工程为后续基地建设奠定基础 [1] - 当前产能受生产场地、设备及人力资源限制难以满足市场需求 产能扩张将促进业务发展和提升盈利水平 [1] 公司财务表现 - 2022年至2024年营业收入分别为6.76亿元、6.95亿元和9.09亿元 呈逐年上升态势 [1] 公司产品结构 - 主要产品包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源管理IC及第三代半导体(SiC、GaN)器件 [1] - 2024年重点提升MOS产品、TVS及稳压管产品销售占比 推动产销量稳步增长 [2] - 推进光电器件及IGBT器件扩产 加大对新增设备投入 [2] - 初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片设计能力 并实现小批量应用 [2] 公司产业布局 - 车规级半导体器件产业化项目进入产能爬坡阶段 产品涵盖IGBT、SiC MOSFET等 [2] - 获得多家车企供应链认证 聚焦新能源汽车电机控制、车载充电系统及ADAS领域 [2] - 满足AEC-Q101等国际车规标准 逐步替代英飞凌、安森美等海外厂商的中高端市场份额 [2] - 光耦合器及LED产品应用于工业自动化、医疗设备等领域 与多家客户合作开发高精度传感器及电源管理模块 [2] 行业发展趋势 - 硅材料平台仍是主流半导体分立器件工艺平台 未来相当一段时间内占据主要市场 [2] - SiC、GaN等新半导体材料工艺平台逐步成熟 在新能源汽车、光伏逆变器等场景应用占比显著提升 [2] - 受益于下游需求强劲驱动 我国半导体分立器件行业市场规模持续扩大 [1]