美光公司美国扩张战略 - 公司宣布将投资计划扩大至1.5亿美元在弗吉尼亚州建造HBM封装工厂，并投资约500亿美元用于研发 [1] - 计划在未来20多年内投资2000亿美元用于美国内存生产和研发，其中1500亿美元用于制造，500亿美元用于研发 [1] - 目标是在美国生产40%的DRAM产品，创造约9万个直接和间接就业岗位 [1] 2000亿美元投资计划 - 在爱达荷州建设两座尖端DRAM晶圆厂，在纽约州建设包含四座晶圆厂的工厂 [1] - 爱达荷州首座晶圆厂(ID1)预计2027年下半年开始产出晶圆，洁净室面积达600,000平方英尺 [3] - 纽约州工厂计划2025年底开始建设，涉及四个工厂阶段，洁净室面积约600,000平方英尺 [4] 工厂建设进展 - 爱达荷州ID1晶圆厂预计2027年下半年开始产出DRAM晶圆 [5] - 爱达荷州第二座晶圆厂(ID2)将先于纽约晶圆厂投产 [5] - 弗吉尼亚州工厂将获得先进封装能力，用于组装HBM内存堆栈 [4] 研发投入 - 计划在美国投资500亿美元用于研发 [1] - 2022-2024年研发投入占收入10%-20%，2023年研发支出34.3亿美元 [7] - 500亿美元相当于公司约14年的研发预算 [7] 政府支持 - 所有美国项目预计符合先进制造业投资信贷(AMIC)资格 [8] - 已获得高达64亿美元的《芯片法案》资金支持 [8] 生产布局 - 公司将继续在美国以外运营和扩建DRAM晶圆厂 [11] - 目前没有将NAND存储器生产迁往美国的计划 [11] - 即使完成美国投资计划，最大份额生产仍可能在美国境外 [11]