HBM3E 12层存储器

搜索文档
三星HBM3E,产能砍半
半导体行业观察· 2025-07-03 09:13
三星HBM3E产量调整 - 三星电子在第二季度末将12层HBM3E产量从每月7万-8万片降至3万-4万片[2] - 减产主因是与英伟达的供应谈判延迟 测试完成时间从6月推迟至9月[2] - 公司采取保守策略以避免库存积压风险 同时受AMD AI加速器MI325X/MI350X供应影响[1][2] HBM3E商业化进展 - 12层HBM3E为当前最先进商业化产品 在平泽P1/P3产线量产[2] - 已开始向AMD供货 并寻求与英伟达达成供应协议[6] - 发热问题仍在讨论中 影响产品认证进度[2] HBM4技术布局 - 三星完成第六代10nm级DRAM开发 获PRA量产批准[4][5] - 计划2024下半年量产基于第六代DRAM的HBM4[5] - 正修改电路提升稳定性 定制化HBM4产品预计2025年创收[3][6] 市场竞争格局 - SK海力士当前HBM市场领先 已向客户提供HBM4样品[5] - HBM4商业化被视为三星重获高端内存领导地位的关键[6] - 谷歌/Meta/AWS等科技公司推动非NVIDIA ASIC需求 带动HBM应用[3] 技术迭代节奏 - 第六代DRAM较第五代(2022年12月发布)工艺提升约两年[5] - 每代10nm级DRAM均实现电路精细化 提升性能与能效[5] - HBM4预计显著提升AI时代数据处理速度与能效[5]