三星电子第二季度业绩分析 - 半导体业务表现不佳导致整体利润下滑，该业务占公司整体利润的50-60% [1] - 高带宽存储器（HBM）因技术问题未能从AI领域获益，晶圆代工和系统LSI业务因缺乏大客户持续亏损 [1] - DS部门预计第二季度销售额为27万亿韩元，营业利润可能低至4000亿韩元 [1] - HBM3E 12层产品交付延迟导致性能未显著提升，未能满足英伟达需求 [1] 存货估价损失与业务亏损 - DS部门存货估价损失准备约1万亿韩元，反映库存价值下降 [2] - 晶圆代工和系统LSI业务部门预计亏损约2万亿韩元，尽管为任天堂Switch 2和Galaxy Z Flip7供货 [2] 第三季度业绩反弹预期 - 行业预计第二季度触底，第三季度开始反弹，DDR4等内存价格上涨推动改善预期 [3] - DS部门第三季度和第四季度营业利润预计分别达3万亿至5万亿韩元 [3] - HBM出货量增加，代工业务开始量产2nm芯片，系统LSI业务进入季节性旺季 [3] HBM与NAND领域进展 - 计划加快HBM4量产，进入英伟达供应链是关键 [4] - NAND领域聚焦企业级SSD等高价值产品，库存风险预计下半年下降 [4] - 10nm级第六代DRAM完成开发，下半年将大规模设备投资 [4] 消费电子与显示器业务 - 消费电子业务第二季度销售额预计14-15万亿韩元，营业利润约3000亿韩元 [4] - 电视和家电业务第三季度营业利润或达6000亿韩元，受旺季效应推动 [4] - 三星显示器公司第二季度销售额预计6万亿韩元，营业利润约5000亿韩元 [4] 第六代DRAM与HBM4开发 - 完成第六代DRAM开发并获生产许可，计划下半年量产HBM4 [5] - 第六代DRAM采用10nm级工艺，提升性能和能效 [5] - SK海力士开发基于第五代DRAM的HBM4，三星计划采用1c DRAM技术领先 [10] 英伟达合作与代工业务 - 三星高管与英伟达商讨HBM3E 12层产品供应及代工合作 [9] - 为AMD供应HBM3E 12层芯片，缓解市场对产品质量疑虑 [9] - 代工业务为任天堂Switch 2生产Tegra T239芯片，计划争取英伟达2nm GPU订单 [11] GAA工艺与市场竞争力 - 三星开发2nm GAA工艺，比FinFET设计更高效 [12] - 若赢得英伟达GPU订单，将显著改善财务业绩并增强AI芯片市场竞争力 [13]

三星HBM3E产量调整 - 三星电子在第二季度末将12层HBM3E产量从每月7万-8万片降至3万-4万片[2] - 减产主因是与英伟达的供应谈判延迟 测试完成时间从6月推迟至9月[2] - 公司采取保守策略以避免库存积压风险 同时受AMD AI加速器MI325X/MI350X供应影响[1][2] HBM3E商业化进展 - 12层HBM3E为当前最先进商业化产品 在平泽P1/P3产线量产[2] - 已开始向AMD供货 并寻求与英伟达达成供应协议[6] - 发热问题仍在讨论中 影响产品认证进度[2] HBM4技术布局 - 三星完成第六代10nm级DRAM开发 获PRA量产批准[4][5] - 计划2024下半年量产基于第六代DRAM的HBM4[5] - 正修改电路提升稳定性 定制化HBM4产品预计2025年创收[3][6] 市场竞争格局 - SK海力士当前HBM市场领先 已向客户提供HBM4样品[5] - HBM4商业化被视为三星重获高端内存领导地位的关键[6] - 谷歌/Meta/AWS等科技公司推动非NVIDIA ASIC需求 带动HBM应用[3] 技术迭代节奏 - 第六代DRAM较第五代(2022年12月发布)工艺提升约两年[5] - 每代10nm级DRAM均实现电路精细化 提升性能与能效[5] - HBM4预计显著提升AI时代数据处理速度与能效[5]

三星电子全球战略会议核心议题 - 公司设备解决方案（DS）部门在战略会议上重点讨论增强HBM和代工领域竞争力的措施，包括HBM3E供应战略和HBM4量产计划[2] - 会议按机构部门和地区分享议题并制定营销战略，全球各地区法人代表广泛参与[2] HBM业务进展与竞争态势 - 公司向AMD交付升级版HBM3E 12层产品，并接受NVIDIA质量测试，试图打入其供应链[2] - DRAM市场份额33年来首次被SK海力士超越，美光和长鑫存储快速逼近，HBM业务失误被认为是主因[2] - 第六代HBM（HBM4）计划年内量产，10纳米级第六代DRAM良率从不足30%提升至50-70%[4][5] 晶圆代工业务现状 - 代工部门每季度亏损数万亿韩元，市场份额降至7.7%（环比降0.4个百分点），与台积电（67.6%）差距扩大，但缩小与中芯国际（6%）的差距[3] - 订单争取成为保住市场份额的关键策略[3] DRAM技术突破与量产计划 - 通过重新设计芯片结构实现第六代DRAM良率大幅提升，原计划去年量产但为技术改进延迟一年[4] - 平泽4号工厂将量产移动/服务器DRAM，平泽3号工厂专攻HBM4用DRAM，核心结构相似性将提升HBM竞争力[5] - 公司采取快速投资策略，利用现金储备和工艺优势提前部署生产线[5] 与SK海力士的技术路线对比 - SK海力士第六代DRAM测试良率达80-90%，但推迟量产至明年年初，优先保障HBM3E现有订单[6] - 三星采取激进投资策略以重夺技术主导权，而SK海力士选择保守整合现有市场优势[6] 系统LSI与下一代产品 - 系统LSI部门讨论下月发布的Galaxy Z7折叠手机将搭载Exynos 2500处理器[3]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 sedaily ，谢谢 。 三星电子已确定了三年内量产垂直通道晶体管（VCT）DRAM（即所谓的下一代存储器）的路线 图。竞争对手公司SK海力士这被解读为蕴含着提前一代成功实现量产、挽回"超级差距"地位的意 志。 据业内人士27日透露，三星电子半导体（DS）部门管理层已经敲定了这一路线图，并已开始认真 开展该产品的量产工作。 VCT DRAM是指存储元件中控制电流流动的晶体管垂直排列的产品。它被认为是一个"游戏规则改 变者"，通过放置比现有平放方法更多的晶体管，可以实现高容量。但这种方法比现有工艺要困难 和复杂得多。突破技术壁垒并不容易，因为它不仅需要制造存储器件的前期工艺，还需要现有 DRAM工艺中未曾用到的先进封装工艺。 三星电子目前正在量产10㎚（纳米，十亿分之一米）级第五代DRAM，并计划今年量产第六代。 在确定明年开发第 7 代 DRAM 的计划后，该公司对第 8 代 (1e) DRAM 和全新方法 VCT DRAM 进行了权衡，最终决定采用 VCT DRAM 方法。据悉，SK海力士已制定了第七代→1nm级第一代 （0a）→垂直DRAM（ ...

DRAM技术竞争格局 - 三星电子成立工作组推进第七代DRAM量产，目标颠覆高带宽内存(HBM)领域现有格局[2] - SK海力士已完成第六代DRAM(D1c)开发并评估D1d工艺可靠性，计划2024年下半年应用于通用DRAM[2] - 美光向客户运送基于"1γ"的DDR5样品，与D1c技术进步同步[2] - 三星停止10纳米(1z)工艺LPDDR4芯片生产，集中资源开发第七代DRAM，计划2026年量产10纳米级D1d，2027年量产亚10纳米级D0a[2] 行业动态与市场表现 - SK海力士首季净利同比大增322%至8.11兆韩元，营业利益同比增157.8%至7.44兆韩元(约52亿美元)，营收同比增41.9%至17.64兆韩元[4] - 尽管业绩亮眼，SK海力士股价仍下跌1.5%，反映市场对下半年记忆体市况的担忧[4] - 非AI应用记忆体市场中，消费性DRAM和NAND Flash价格出现回升趋势，车用及工控市场仍疲弱但价格有升温迹象[4] 行业风险因素 - 美国关税政策不确定性导致全球记忆体需求波动，可能引发下半年"价量齐跌"局面[4][5] - OEM/ODM厂商可能因关税政策提前拉货，导致下半年旺季需求受影响[4] - 消费电子产品需求可能受AI功能新品推动，但关税引发的囤货行为或造成市场扭曲[4] 企业战略应对 - SK海力士计划将1c纳米工艺应用于HBM4E以保持市场领先地位[2] - 三星DS部门负责人下令对D1a(第四代)电路进行重新设计，显示技术路线调整[2] - 行业厂商试图通过减产措施稳定DRAM和NAND Flash价格，首季已见成效[4]