随着无线通信、自动驾驶和系统封装等技术的快速发展，高频数据传输的需求急剧增加。传统的低频电磁干扰（EMI）屏蔽材料在高频（如X波段、Ka 波段和W波段）下表现不佳，且通常体积大、重量重，难以满足现代电子设备的需求。MXene材料以其优异的电导率和屏蔽效能而备受关注。 电磁屏蔽（EMI）的机理主要有反射和吸收两种。而MXene是一种过渡的金属碳化物材料，M表示早期过渡金属，A是IIIA或IVA族元素，X表示C和/ 或N，N=1、2、3、4，当电磁波射入MXene屏蔽层中将发生多重反射机制，MXenes的层状结构还可以用外部夹杂物（如介电畴或孔隙）修饰，以增强 屏蔽内部多个界面的多次反射，从而衰减电磁波的能量。此外，MXene的表面化学性质也有助于通过不同的极化损耗来增强电磁波的吸收。由于取向 或偶极极化在GHz （千兆赫）频率范围内占主导地位，在外加电磁场的影响下，每一层带负电荷的表面末端产生偶极子（以金属-氧和/或金属-卤化物 键的形式），从而通过电容损耗机制降低电磁波的能量。目前研究最多的MXene材料是Ti3C2Tx。 如何通过结构设计、增强材料的合成与复合、成型工艺优化，以提升MXene复合材料的电磁屏 ...