行情速递 - 主板市场领涨个股包括湖北广电(+10.07%)、御银股份(+10.04%)、金逸影视(+10.04%)、东方通信(+10.03%)和科森科技(+10.03%) [1] - 创业板市场领涨个股包括百纳千成(+19.94%)、数字认证(+17.46%)和熵基科技(+11.58%) [1] - 科创板市场领涨个股包括鼎通科技(+10.28%)、新相微(+9.54%)和东芯股份(+9.49%) [1] - 活跃子行业中，SW机器人指数上涨4.30%，SW营销代理指数上涨2.88% [1] 半导体制造与技术进展 - 台积电已开始量产采用其N2（2nm级）工艺的芯片，该工艺采用第一代纳米片晶体管技术，实现了全节点的性能和功耗提升 [1] - 台积电还开发了低电阻重分布层（RDL）和超高性能金属-绝缘体-金属（MiM）电容器以进一步提升性能 [1] - 国产CMOS厂商格科微推出两款单芯片5000万像素图像传感器GC50F0与GC50D1，其中GC50F0是全球首颗采用0.64μm小像素的单芯片图像传感器，广泛适配手机应用 [1] - GC50D1采用0.8μm像素规格，主要运用于主摄、超广角和长焦应用 [1] 显示与AR/VR技术动态 - 闪极发布loomos AI显示眼镜 S1，搭载光峰蜻蜓G1 MINI光学引擎，配备356x200分辨率，对比度达到1000:1 [1] - 京东方提前点亮中国首条第8.6代AMOLED生产线，设计产能为每月3.2万片玻璃基板（尺寸2290mm×2620mm），主要生产笔记本电脑、平板电脑等高端触控OLED显示屏 [1] - 据Omdia预测，到2032年透明显示屏市场收入预计将达到1亿美元，2025年至2032年的复合年增长率（CAGR）为9.3% [3] 公司公告与动态 - 华海诚科预计2026年度日常关联交易总额为6,000万元，较2025年预计总额5,900万元略有上升，主要因新增销售与采购需求 [3] - 统联精密将“湖南长沙MIM产品生产基地”与“泛海研发中心”两个募集资金投资项目统一延期至2026年6月30日，延期原因包括客户新增业务需求将于2026年上半年释放，以及部分尾款未结算 [3] - 亚信安全收到与收益相关的政府补助人民币852.36万元，资金已到账，用于支持公司日常经营或特定项目 [3] - 三利谱及其全资子公司近期共取得10项专利证书，涵盖8项实用新型专利和2项发明专利，全部与偏光片生产、检测及设备相关 [3] 海外产业合作与市场 - Meta宣布将收购中国人工智能初创公司Manus，计划运营和销售其服务，并将其整合到包括Meta AI在内的产品中 [3] - 富士通宣布将加入由软银主导的下一代人工智能存储器开发计划，旨在针对大型语言模型和复杂计算需求开发高效能存储器解决方案 [3] - 英伟达已完成对英特尔50亿美元股票的收购，合作内容包括英伟达定制英特尔的CPU用于其AI平台，以及英特尔集成英伟达的GPU技术推出搭载RTX GPU的SoC处理器 [3]

文章核心观点 - 台积电已按计划于2025年第四季度开始量产其最先进的2纳米（N2）工艺芯片，这是公司首个采用环栅纳米片晶体管技术的节点，标志着其在半导体制造技术上的又一次重大飞跃 [1] - N2技术及其后续衍生技术（N2P、A16）在性能、功耗和晶体管密度上实现显著提升，旨在满足智能手机和人工智能/高性能计算应用日益增长的需求，并巩固公司的技术领先地位 [1][4][5][7] 技术进展与量产状态 - 台积电已悄然开始量产N2（2nm级）工艺芯片，公司官网确认量产按计划于2025年第四季度启动 [1] - N2是公司首个采用环栅纳米片晶体管技术的工艺节点，该结构改善了静电控制，降低了漏电，并能在不牺牲性能或能效的前提下实现更小晶体管尺寸，提高密度 [4] - 量产初期在位于台湾高雄附近的Fab 22工厂进行，而位于新竹附近的Fab 20工厂的量产可能会稍晚 [5] - 公司首席执行官表示N2量产进展顺利，良率良好，并预计在智能手机和AI/HPC应用推动下，2026年产能爬坡速度将加快 [5] 技术性能参数 - 与N3E工艺相比，N2的设计目标是在相同功耗下实现10%–15%的性能提升，在相同性能下降低25%–30%的功耗 [3] - 对于包含逻辑、模拟和SRAM的混合设计，N2的晶体管密度比N3E提高15%；对于纯逻辑设计，密度比N3E高出20% [3] - N2工艺集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器，其电容密度是上一代设计的两倍以上，并将薄层电阻和过孔电阻降低了50%，从而提升电源稳定性、性能和能效 [4] - 根据性能对比表，N2P（计划2026年下半年量产）相比N3E，功耗降低36%，性能提升18%，密度为1.15倍；A16（计划2026年下半年量产）相比N2P，功耗进一步降低15%–20%，性能提升8%–10%，密度提升1.07倍至1.10倍 [4] 产能规划与后续技术路线 - 公司同时启动两座具备N2工艺能力的晶圆厂建设，以满足众多合作伙伴对新工艺的浓厚兴趣和产能需求 [7] - 从2026年底开始，这两座晶圆厂将用于生产基于N2P和A16工艺的芯片 [7] - N2P作为N2的性能增强版，计划于2026年下半年量产，在N2基础上进一步提升性能和功耗 [7] - A16是N2P的升级版，采用超强电源轨背面供电设计，专为具有复杂信号路径和密集供电网络的特定高性能计算产品打造，量产也计划于2026年下半年进行 [7]

台积电N2（2nm级）工艺量产启动 - 台积电已按计划于2025年第四季度开始量产其N2（2nm级）工艺芯片，但未发布正式新闻稿 [1] - N2是公司首个采用环栅纳米片晶体管（GAA）的工艺节点，并集成了超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器以提升性能 [4] - 首席执行官魏成成表示N2量产进展顺利，良率良好，预计2026年产能爬坡将因智能手机和AI/HPC应用而加速 [5] N2工艺技术性能与优势 - 与N3E相比，N2在相同功耗下性能提升10%–15%，在相同性能下功耗降低25%–30% [3] - 对于混合设计（逻辑、模拟、SRAM），晶体管密度比N3E提高15%；对于纯逻辑设计，密度提高20% [3] - N2采用了第一代纳米片晶体管技术，实现了全节点的性能和功耗提升，其GAA结构改善了静电控制并降低了漏电 [1][4] - 集成的SHPMIM电容器电容密度是上一代设计的两倍以上，并将薄层电阻和过孔电阻降低了50% [4] 后续工艺路线图与产能规划 - 公司计划在2026年下半年量产N2的性能增强版N2P，与N2相比，N2P在相同性能下功耗进一步降低5%–10%，性能提升5%–10% [4][8] - 同样计划在2026年下半年量产A16工艺，A16采用超强电源轨（SPR）背面供电设计，专为复杂AI/HPC处理器打造，与N2P相比功耗降低15%–20%，性能提升8%–10% [4][8] - 公司已在台湾高雄附近的Fab 22工厂开始生产2nm芯片，并计划在Fab 20工厂稍晚开始量产 [5] - 同时启动两座具备N2工艺能力的晶圆厂建设，以满足合作伙伴需求，并为2026年底生产N2P和A16芯片做准备 [8]

合作与里程碑 - NVIDIA与台积电在美国合作，庆祝首颗NVIDIA Blackwell晶圆在台积电菲尼克斯工厂下线，标志着Blackwell实现量产[3] - 此次合作旨在增强美国供应链，将人工智能技术栈转移至国内，确保美国在人工智能时代的领导地位[3] - 这是美国近代史上最重要的芯片首次在美国最先进的晶圆厂（台积电）生产，符合制造业回流美国的愿景[5] 台积电亚利桑那工厂进展 - 台积电亚利桑那工厂将生产包括2纳米、3纳米、4纳米以及A16芯片在内的先进技术[5] - 工厂预计将发展成每月生产约100,000片晶圆的"GigaFab"集群，并与封装、测试及本地供应商网络整合[21] - 台积电加快在亚利桑那州将技术升级至N2及更先进工艺的计划，N2生产原预计在本世纪末实现，现大幅加速[17] - 台积电2纳米及更先进节点产量中约有30%将在美国生产[20] 技术发展与财务表现 - 台积电N2工艺节点将在2025年底前实现量产，并引入基于纳米片的环栅晶体管架构[8] - N2P工艺预计于2026年下半年推出，与N3E相比，在相同功耗下性能提升约18%，在相同速度下功耗降低约36%，逻辑密度提升约1.2倍[11] - 受人工智能加速器和高端智能手机芯片需求推动，台积电第三季度营收同比增长逾40%，达到331亿美元[11] - 先进制程技术（N3、N5、N7系列）贡献了近四分之三的销售额[13] - 公司2024年资本支出将高达420亿美元，其中近四分之三用于扩大尖端制造能力[13] 行业影响与战略意义 - 美国制造业对于满足日益增长的人工智能需求至关重要[5] - NVIDIA Blackwell GPU为人工智能推理提供卓越性能、投资回报率和能效[6] - NVIDIA计划部署其先进的AI、机器人和数字孪生技术来设计和运营新的美国制造工厂[6] - 台积电在亚利桑那州的扩张被视为在美国打造"独立、尖端的半导体制造集群"的关键一步[21]

行业地位与市场表现 - 台积电在3nm和2nm节点市场份额超过90% 整体代工市场份额稳定在60-70%之间 [2] - N2工艺设计启动量已超过N3 正在绝对性主导代工业务 [2] - 2025年第二季度营收达301亿美元创纪录 同比增长44% 毛利率升至59%同比增加5个百分点 [3] - 上半年总营收605亿美元同比增长40% 将全年营收增长指引从25%上调至30% [3] - 预计2025年AI加速器营收将翻倍 全年资本支出预计380-420亿美元 [3] 技术进展与产能扩张 - N2工艺计划2025年第四季度量产 时间早于预期 [4] - 1.4nm工厂已动工建设 计划2028年下半年量产 预计带来15%性能提升和30%功耗降低 [4] - 先进封装CoWoS产能提前半年完成翻倍 达到每月7.5万片晶圆 [4] - 高雄与新竹工厂进入试产阶段 主要客户包括苹果、英伟达、AMD、高通和联发科 [4] 全球布局与地缘战略 - 亚利桑那子公司2025年上半年实现盈利1.501亿美元 扭转此前亏损 [4] - 欧洲和日本新工厂持续推进 台湾中部科学园区Fab 25将容纳1.4nm与1nm工厂 [4] - 台湾新法律规定尖端制程必须留在岛内 海外工厂只能量产N-1工艺 [5] - 员工来自51个国家地区 台湾员工占比88.8% 美国员工占比3.4% 日本员工占比1.3% [10] 人力资源状况 - 2024年全球新进员工10,073人 台湾新进员工8,138人 超额完成原定6,000人目标 [7] - 2024年全球员工总数84,512人 年增幅9.69% 台湾正职员工增加6,133人 [9][10] - 2021-2022年离职率达6.8%和6.7% 新进员工离职率超15% 2024年全体员工离职率降至3.5% [8][13] - 硕士学历员工占比48.5% 31-50岁员工占比58.9% 18-30岁员工占比34.9% [13] 薪酬福利体系 - 2024年非主管年薪中位数264.5万元新台币 平均年薪332.9万元 [16] - 新进硕毕工程师平均整体薪酬超过200万元 直接员工平均整体薪酬超过100万元 [16] - 2024年现金奖金及酬劳总额1,405.9亿元新台币 平均每位员工可领200万元以上 [17] - 2024年员工整体薪资福利费用总额3,018亿元 全球人均薪资福利费用357万元 [18] - 全球超过85%员工参与购股计划 公司提供15%购股补助 [18]