PCIe Gen 5 PCB01 SSD

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闪迪联手SK海力士,发力新型HBM
半导体行业观察· 2025-08-08 09:47
HBF技术合作与标准化 - Sandisk与SK海力士合作标准化高带宽闪存(HBF),旨在通过NAND堆叠与TSV连接技术实现GPU快速访问,速度比SSD快几个数量级[1] - HBF技术目标为提供与HBM相当的带宽(1.2TBps),同时以相似成本实现8-16倍容量(最高768GB),并保持非易失性存储特性[4][6] - 双方签署谅解备忘录(MoU)推动技术规范标准化,SK海力士将自主研发生产HBF,Sandisk强调多供应商市场对保障供应链的重要性[3][4] 技术优势与行业影响 - HBF采用类似HBM的封装结构,首次实现闪存与DRAM级带宽融合,可显著降低AI工作负载的能耗与发热问题[6][8] - 相比HBM3E的48GB容量,HBF潜在容量提升8-16倍,而SK海力士PCIe Gen5 SSD带宽仅为HBM3E的1/86(14GBps vs 1.2TBps)[3][6] - 该技术契合边缘计算趋势,能解决AI数据中心冷却预算极限问题,适用于手持设备至服务器全场景部署[5][6] 商业化进程与生态建设 - Sandisk计划2026年下半年推出HBF样品,2027年初上市首批AI推理设备,技术已获2025闪存峰会"最具创新技术"奖[5][9] - 成立技术顾问委员会推动跨行业标准制定,采用BiCS NAND与CBA晶圆键合技术,可能涉及与Kioxia的CMOS工艺合作[9][10] - 行业推测SK海力士与Nvidia的现有合作关系可能加速HBF采用,三星等厂商也在开发类似技术如PBSSD和HBM4[8][9] 技术架构创新 - HBF通过NAND替代部分DRAM堆栈,牺牲延迟换取容量优势,相比传统HBM节省恒定功耗需求[6][8] - 架构灵感来源于"闪存中的LLM"研究论文,通过SSD作为额外内存层缓解DRAM压力的思路[8] - 可能推动DRAM、闪存与新型持久内存的异构堆栈共存,为超大规模计算提供HBM成本替代方案[10]