受益于存储芯片供应趋紧、价格大幅上涨，以及人工智能数据中心需求迅猛增长，美光周三盘后公布第一财季业绩显示，该公司不但上季度业绩高于分析师 预期，而且第二财季营收、毛利率、每股收益指引也大超预期，并将2026财年资本开支预期从180亿美元提高至200亿美元，刺激该公司股价盘后涨超 6.7%。 以下是美光第一财季财报要点： 云储存：第一财季营收为52.84亿美元，上一季度为45.43亿美元，去年同期为26.48亿美元，同比翻倍。该部门毛利率为66%，上一季度为59%，去年同期为 51%；运营利润率为55%，上一季度为48%，去年同期为40%。 主要财务数据： 营收：美光第一财季调整后营收136.4亿美元，同比增长57%，高于分析师预期的129.5亿美元。 资本支出：美光第一财季净资本支出为45亿美元。 运营支出：GAAP口径下的运营支出为15.10亿美元，上一季度为14.00亿美元，去年同期为11.74亿美元；非GAAP口径下的运营支出为13.34亿美元，上一季 度为12.14亿美元，去年同期为10.47亿美元。 运营利润：GAAP口径下，运营利润为61.36亿美元，占营收的45.0%；非GAAP口径下，运营利润 ...

核心观点 - 美光科技第一财季业绩及第二财季指引全面超越市场预期 主要受益于AI数据中心需求爆发和存储芯片供应持续趋紧 公司上调资本开支预期并预计供应短缺将持续至2026年及更久 股价应声大涨 [1][3][10][12][13] 第一财季财务业绩 - **营收**：调整后营收136.4亿美元 同比增长57% 高于分析师预期的129.5亿美元 [4] - **运营利润**：非GAAP口径下运营利润64.19亿美元 占营收的47.0% 高于分析师预期的53.7亿美元 [5] - **毛利率**：非GAAP口径下毛利率为56.8% [6] - **净利润与每股收益**：非GAAP口径下净利润54.8亿美元 摊薄后每股收益4.78美元 高于分析师预期的3.95美元 [6] - **现金流**：经营活动现金流84.1亿美元 显著高于分析师预期的59.4亿美元及去年同期的32.4亿美元 [6] - **资本支出**：第一财季净资本支出为45亿美元 [5] 第二财季业绩指引 - **营收指引**：预计第二财季营收为187亿美元（上下浮动4亿美元） 远超分析师预期的143.8亿美元 [8] - **毛利率指引**：非GAAP口径下毛利率预计为68.0%（上下浮动1个百分点） 高于分析师预期55.7% [8] - **每股收益指引**：非GAAP口径下摊薄后每股收益预计为8.42美元（上下浮动0.20美元） 远超分析师预期的4.71美元 [9] 分业务表现 - **云储存业务**：营收52.84亿美元 环比增长 毛利率66% 运营利润率55% 均实现显著环比提升 [7] - **数据中心业务**：营收23.79亿美元 环比增长 毛利率51% 环比提升10个百分点 [7] - **移动与客户端业务**：营收42.55亿美元 毛利率54% 环比提升18个百分点 运营利润率47% [8] - **汽车与嵌入式业务**：营收17.20亿美元 毛利率45% 环比提升14个百分点 运营利润率36% [8] 行业背景与公司战略 - **AI需求与供应短缺**：AI计算组件需求超过供应 用于PC的存储芯片也出现短缺 行业正将产能转向更先进技术以服务AI数据中心 公司预计记忆/存储芯片供应将保持显著短缺状态并持续至2026年及更久 [13] - **价格趋势**：分析师预计到今年年底 DRAM价格至少上涨30% NAND闪存价格至少上涨20% [13] - **资本开支上调**：公司将2026财年资本开支预期从180亿美元提高至200亿美元 以应对需求增长 [1][14] - **战略聚焦**：公司计划退出Crucial消费类业务 以完全专注于企业和商业业务 保留更多供应能力用于AI芯片和数据中心需求 [16] - **市场需求**：AI数据中心容量扩张推动高性能高容量存储内存需求大幅增长 公司观察到2025年服务器出货量增长率将处于10%-20%的高位水平 [16]

AI和存储产品仍是本季度增长的主要驱动力，但与以往不同的是，带动增长的细分领域明显增多。 Omdia指出，2024年半导体市场虽创下6500亿美元营收新高、同比增长超20%，但增长高度集中于英伟 达及存储芯片厂商；若剔除这两部分，其余板块全年仅微增1%。而2025年则呈现出更均衡、健康的复 苏态势：即便排除英伟达与存储芯片，第三季度其他半导体类别仍实现9%以上的环比增长。 【CNMO科技消息】根据市场研究机构Omdia最新报告，2025年第三季度全球半导体行业营收达2163亿 美元，环比增长14.5%，首次单季突破2000亿美元大关。这一表现远超历史同期平均7%的环比增幅，也 大幅高于此前市场预期的5%季节性增长。 按企业营收排名，2025年第三季度全球前四大半导体公司分别为英伟达、三星、SK海力士和美光，四 者合计贡献全行业超40%的收入，凸显AI加速器与高端存储产品的持续主导地位。Omdia高级首席分析 师Lino Jeng表示："随着AI推理工作负载规模扩大，传统DRAM与高带宽存储器（HBM）需求同步激 增，推动产品价格短期大幅上涨。我们预计第四季度营收将再创新高，这一势头有望延续至2026年。" 基 ...

新型高带宽存储器SPHBM4技术标准 - 半导体行业正计划开发一种新型高带宽存储器标准SPHBM4 该产品旨在显著降低设计复杂性和制造成本的同时 提供与现有HBM相同的性能[3] - JEDEC已进入开发新标准SPHBM4的最后阶段 预计标准将在几个月内发布[3][4] - SPHBM4使用与第六代HBM相同的DRAM 但以4:1的比例串行化I/O引脚 将I/O引脚数量从HBM4的2048个减少到512个 同时仍支持与HBM4相同的带宽[3] SPHBM4的技术原理与关键 - 串行化是指将先前在多个I/O引脚上同时处理的数据 按顺序处理到单个I/O引脚上的方法 4:1串行化意味着单个I/O引脚需分四次处理相当于四个I/O引脚的数据量[4] - 能够稳定实现每I/O引脚传输速度超过四倍的串行互连技术 对于SPHBM4的正常运行至关重要[4] - 随着SPHBM4推出 负责内存控制器功能的基片芯片预计也需要重新设计[4] SPHBM4对封装技术与产业链的影响 - 由于I/O引脚数量减少 整个HBM封装中变化最大的部分是中介层[4] - SPHBM4的I/O引脚数量较少 因此不需要像传统设计那样高密度的基板 仅使用成本较低的有机中介层即可满足需求 这可以降低封装制造成本[5] - 有机中介层能够实现更灵活的设计 允许在HBM和系统半导体之间使用更长的沟道长度 这使得可以部署更多的SPHBM 最终提高总存储容量[5] - 预计这将加速采用台积电使用有机中介层的CoWoS-R技术的HBM的普及[5] - 该产品若实现商业化 预计会对三星电子 SK海力士等存储器公司 以及包括台积电和英伟达在内的相关生态系统公司产生重大影响[3] SPHBM4的商业化前景与行业态度 - SPHBM4能否最终实现商业化仍不确定 JEDEC表示标准仍在开发中 开发完成后可能会更改 甚至可能被JEDEC理事会否决[6] - 包括三星电子和SK海力士在内的韩国半导体行业尚未正式提及SPHBM4[6] - 存储器行业高管认为 SPHBM4标准似乎是降低基于HBM的AI加速器制造成本的几种尝试之一 但大型科技公司目前正大力推进HBM速度和密度的同步提升[6]

以下文章来源于日经中文网 ，作者日经中文网 日经中文网 . 编制日经指数的《日本经济新闻》的中文版。提供日本、中国、欧美财经金融信息、商务、企业、高科技报道、评论和专栏。 来源｜ 日经中文网（ID：rijingzhongwenwang） 封面来源 ｜ IC photo 中国在存储半导体领域的存在感正在增强。在用于长期存储数据的NAND方面，大型企业长江存储科技（YMTC）的销量份额首 次超过全球10%。在中美对立的背景下，借助中国政府鼓励使用本国半导体的优惠政策，长江存储科技迅速提高了技术实力。目 前该公司以中国国内业务为中心，但难免会对铠侠控股（Kioxia Holdings）等日美韩厂商的经营产生影响。 "没想到技术水平提高到这种程度"，对于长江存储在2025年2月之前开始量产的新型存储半导体，竞争对手企业的技术人员难掩惊 讶之情。这是因为堆叠层数达到约270层，接近韩国三星电子，使用了与日美韩厂商同等水平的技术。此外，还迅速引进了其他 企业尚未采用的降低生产成本的方法。 调查公司香港Counterpoint的数据显示，长江存储在全球NAND出货量中所占的份额在2025年1～3月首次达到10%。2025年 ...

此外，还将扩大对化合物半导体（其是提高能效和物理人工智能的核心组件）以及先进封装（后处 理）技术开发（已成为一项关键技术）的支持。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 为应对全球半导体领域的霸权竞争，韩国政府决定将国内无晶圆厂半导体产业规模扩大到目前的10 倍。 其目标是超越以存储半导体为中心的现有半导体产业结构，发展包括无晶圆厂和代工厂在内的系统半 导体，同时增强材料、组件和设备的竞争力，跃升为世界第二大半导体强国。 12月10日，贸易、工业和资源部长官金正冠在龙山总统府举行的"人工智能（AI）时代韩国半导体愿 景和发展战略简报会"上公布了这项半导体产业发展战略。此次简报会由总统李在明主持。 韩国政府计划到2047年投资超过700万亿韩元，新建10座晶圆厂（半导体生产设施），打造全球规模 最大、水平最高的半导体产业集群。政府一直在加快集群建设，今年2月在龙仁综合产业园区启动了 首座晶圆厂的建设，并于6月公布了龙仁国家产业园区的土地补偿方案。 政府还将确保掌握竞争对手无法匹敌的超高性能半导体技术。为此，政府计划在诸如高带宽存储器 （HBM）等存储领域保持优势，同时将预算投入集中于人工智能专用半导体 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 韩国 Kiwoom 证券预测，三星电子明年的高带宽存储器（HBM）出货量将激增至今年的 3 倍，并维持对三星的"买入"评级与 14 万韩元目标价。 Kiwoom 证券研究员朴裕岳（音译）表示："2025 年第一季度，将用于主要 ASIC 芯片的 HBM 销量将大幅增加；第二季度，将开始为英伟达 Rubin 平台量产搭载的 HBM4。因此，明年三星面向 ASIC 客户的 HBM总出货量预计较今年增长三倍。" 受此推动，三星 HBM 业务明年营收预计将达到 26.5 万亿韩元，同比增长 197%。他补充说，"如果竞争对手在 HBM4供应上出现延迟，三星营收 还有进一步上行的可能。" 他表示："三星电子股价将受益于通用 DRAM 价格上涨与 HBM 出货预期上调，持续呈上行趋势。"他强调三星估值在三大 DRAM 厂商中最 低，"上述因素将成为三星股价差异化上涨的核心动力。" 参考链接 https://www.ebn.co.kr/news/articleView.html?idxno=1690399 （来源：编译自ebn） 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容 ...

在韩国产业通商资源部长官金正官宣布的这一愿景中，韩国计划到2047年总计投入700万亿韩元（约合 4760亿美元），新建10家半导体制造厂，使韩国成为全球最大的芯片生产中心。 当天，三星电子、SK海力士、FuriosaAI等主要半导体企业和AI初创企业参加了由韩国总统李在明主持 的政府间半导体产业培育会议，并分享了上述蓝图。 根据该计划，到2032年，韩国政府将投资2159亿韩元，开发神经处理单元（NPU）和内存处理（PIM） 等下一代存储芯片技术。 据韩国产业通商资源部称，这些技术有望实现比高带宽存储器（HBM）更先进的人工智能推理能力。 韩国政府将在未来5年内投入1.27万亿韩元，用于开发适合人工智能的半导体，到2031年进一步投入 2601亿韩元用于化合物半导体，到2031年投入3606亿韩元用于先进封装技术。 此外，在竞争力相对较弱的系统半导体领域，还将建立需求企业和无晶圆厂企业共同开发设备上的人工 智能技术和中间技术半导体的自主技术的合作生态系统，以提高韩国的能力。 中间技术半导体是指不像人工智能芯片那么先进，但仍需要先进工程技术的芯片，如汽车微控制器单元 和电源管理集成芯片。 为了帮助国内产业制造 ...

长江存储科技的市场份额与技术进展 - 长江存储科技在全球NAND出货量中的份额在2025年1月至3月首次达到10%，并在2025年7月至9月同比增长4个百分点，达到13% [3] - 公司的目标是到2026年底获得15%的销量份额，并计划在中国武汉市周边推进工厂投资，投资完成后预计将占全球供应量的约20% [4] - 以销售额计算，公司目前占全球市场的8%，但分析师预计到2027年其销售额份额也将达到10% [4] 长江存储科技的技术实力与生产 - 公司的新型存储半导体堆叠层数达到约270层，技术接近韩国三星电子，并迅速引进了其他企业尚未采用的降低生产成本的方法 [2] - 尽管面临美国的生产设备采购限制，但中国厂商的良品率仍在提高 [7] - 中国生产的NAND比其他国家生产的便宜10%至20%左右，在价格方面具有竞争力 [6] 中国存储半导体行业的整体发展 - 在DRAM领域，长鑫存储技术在2025年7月至9月的市场份额为8%，位居世界第四，较2024年同期的6%有所增长，其在中国国内市场份额约为40% [4] - 但在用于生成式AI的高性能HBM技术方面，长鑫存储仅处于第3代，落后于SK海力士等公司的第6代技术约5年 [6] - 中国2024年智能手机出货量同比增长6%，达到2.86亿部，占全球总量的23%，这为国内存储半导体提供了市场基础 [6] 市场影响与竞争格局 - 长江存储的份额增长直逼世界第四位的美国美光科技，其规模预计将超过日本铠侠，直逼韩国SK海力士 [3][4] - 铠侠的总销售额中面向中国的比例约为20%，如果中国厂商的存储半导体采用比例不断提高，日美韩厂商可能面临市场份额下降和利润空间缩小的风险 [6] - 中国企业在中国以外地区获得更多份额的前景尚不明朗，部分原因是美国自2022年起将长江存储列为限制对象，以及日本企业因质量和安全担忧而未积极采用 [6] 增长驱动因素与行业观察 - 公司产品以中国品牌的笔记本电脑和智能手机为中心获得采用，全年的市场份额有望超过10% [3] - 借助中国政府鼓励使用本国半导体的优惠政策，长江存储科技迅速提高了技术实力 [2] - 有观点认为，如果目前的价格差持续下去，其他国家增加采用中国的存储半导体只是时间问题 [7]

长江存储科技（YMTC）技术实力与市场份额 - 新型存储半导体堆叠层数达到约270层 技术接近三星电子 令竞争对手惊讶 [2][4] - 全球NAND出货量份额在2025年1至3月首次达到10% 7至9月同比增长4个百分点至13% 直逼美光科技 [5] - 公司目标是在2026年底前实现销量份额15% 当前投资计划完成后将占全球供应量约20% 规模超过日本铠侠并直逼SK海力士 [6] - 以销售额计算目前占全球8% 预计到2027年销售额份额也将达到10% [6] - 迅速引进了其他企业尚未采用的降低生产成本的方法 [4] 中国存储半导体行业竞争格局 - 中国生产的NAND比其他国家生产的便宜10%至20%左右 在价格方面压倒海外竞争对手 [9] - 在DRAM领域 长鑫存储技术（CXMT）2025年7至9月市场份额为8% 居世界第4位 2024年同期为6% 在中国国内拥有约40%市场份额 [6] - 在用于生成式AI的高性能HBM技术方面 长鑫存储为第3代技术 落后于SK海力士的第6代 技术差距约5年 [9] - 中国2024年智能手机出货量同比增长6% 达到2亿8600万部 占全球总量23% [9] 市场拓展挑战与机遇 - 借助中国政府鼓励使用本国半导体的优惠政策 产品在中国品牌笔记本电脑和智能手机中的采用率正在增加 [2][5] - 美国政府于2022年将长江存储列为限制对象 禁止美国企业在未经许可情况下提供设计技术 导致苹果公司放弃采购其产品用于iPhone [9] - 日本企业如铠侠因质量和安全担忧未积极采用中国存储半导体 铠侠总销售额中面向中国比例约为20% [9] - 即使因美国限制无法采购充足生产设备 中国厂商的良品率仍在提高 若当前价格差持续 其他国家增加采用中国存储半导体被视为时间问题 [10]