公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容来自半导体行业观察综合 。 SK海力士22日启动下半年应届毕业生招聘，引发半导体业界轰动。SK海力士每年3月和9月为配合大 学毕业季，将进行超过100人的大规模招聘。此前，SK海力士劳资双方达成协议，取消利润分享 （PS）补贴上限，员工每年将获得1亿韩元的补贴。此前，PS补贴以当月营业利润的10%为基础，最 高可达基本工资的1000%。这是该补贴公布后的首次大规模招聘，就连竞争对手的年轻半导体工程师 也对"二手新人"表现出浓厚兴趣。 值得注意的是，三星电子半导体部门的氛围非同寻常。三星也运行着类似的制度，名为"超额绩效奖 励"（OPI），但由于绩效不佳，去年的OPI被设定为基本工资的0%，而今年则被设定为14%。随着 绩效工资差距的扩大，许多三星员工纷纷申请SK海力士的"初级人才"项目，这是一个针对2至5年低 年 资 半 导 体 人 才 的 招 聘 渠 道 。 加 上 " 每 年 1 亿 韩 元 绩 效 奖 金 " ， 据 报 道 ， 就 连 低 年 资 的 工 程 师 也 表 示："我要放弃自己的职业生涯，来海力士应聘。" 其理念是，即使是新员工 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容 编译自 chosun 。 SEMECS、韩华半导体和韩美半导体三家公司在高带宽存储器（HBM）核心半导体设备TC键合机 （TC Bonder）的竞争中处于白热化阶段，目前正加速混合键合机的量产准备工作，预计该设备将从 第六代HBM（HBM4）生产开始部分采用。三星电子和SK海力士已进行HBM4的量产测试，目前的 关键在于设备价格（比现有TC键合机高出两倍以上）以及与美国和荷兰制造的设备相比，能否确保 技术竞争力和稳定性。 据业内人士12日透露，三星电子子公司SEMECS正在与三星电子半导体（DS）部门的下一代HBM （高密度存储器）专职人员合作，对混合键合机设备进行评估。尽管目前尚未达到目标性能，但双方 正共同努力攻克DRAM堆叠和热控制等多项技术难题。SEMECS的目标是在今年年底或明年向三星电 子提供能够量产的混合键合机。 混合键合机被称为下一代HBM市场的"游戏规则改变者"。目前用于HBM制造的TC键合机通过对凸块 （例如焊料的导电凸块）施加热量和压力来堆叠芯片。相比之下，混合键合机无需单独的凸块即可连 接芯片，使其成为制造20层或更高层数 ...

薪酬激励调整 - SK海力士与工会达成初步协议 将年度营业利润的10%分配给利润分享奖金计划 并取消奖金上限限制（原上限为基本工资1000%）[2][4] - 公司预计发放奖金总额约3万亿韩元 员工人均奖金超过1亿韩元（约51.3万元人民币） 较早期平均7500万韩元增幅达47%-80%[2][4] - 奖金支付采用"8:1:1"结构 当年支付80% 剩余20%分两年支付（每年10%）[5] 公司业绩表现 - 受益于高带宽存储器（HBM）业务成功 证券分析师预测公司年度营业利润将达37-39万亿韩元[4] - 截至半年报数据 公司员工总数为33,625人 人均奖金测算可达1.1-1.3亿韩元（基于1亿韩元年薪基准）[4] 劳资协议细节 - 协议包含固定工资上调6% 新奖金标准有效期将延续十年[4] - 工会计划于9月4日进行成员投票表决 若通过则协议正式生效[4]

中国半导体行业HBM技术发展 - 长江存储科技正积极研发DRAM并寻求与本土DRAM制造商合作 特别关注HBM技术[1] - HBM是一种垂直堆叠多个DRAM的内存技术 可显著增强数据处理性能 被视为AI数据中心重要组成部分[1] - 长江存储正与合作伙伴商讨订购HBM用DRAM研发设备 预计最早2024年底完成设备采购[1] - 长江存储与CXMT合作开发DRAM和HBM CXMT提供DRAM晶圆 长江存储提供混合键合技术[1] 中国半导体国产化进展 - 中国政府2024年已投资超过84亿美元推动人工智能和半导体国产化[3] - 摩根士丹利预测中国计划到2026年将国产AI芯片产量提高两倍 2027年AI芯片自给率达到82%[3] - 中国地方政府承诺到2027年将国产AI芯片在数据中心占比提高到70%或更高[3] - 中国领先DRAM供应商准备2025年量产第四代HBM3芯片 技术差距正快速缩小[3] - 华为推出专为高性能数据中心设计的AI固态硬盘 进军由三星、SK海力士和美光主导的存储市场[3] 行业竞争格局变化 - 中国芯片制造商拥有雄厚资本和人力资源 在国家干预和人才流入下技术进步急剧加速[4] - 专家警告若趋势持续 韩国内存芯片制造商领先地位可能被削弱[4] - 韩国需要加强HBM技术开发 大胆投资AI半导体创新 政府支持至关重要[4] - 中国崛起可能使集中化市场多元化 为韩国内存芯片供应商带来新的增长机会[4]

韩国500强企业上半年盈利情况 - 韩国500强企业上半年整体盈利增长，但几乎完全依赖半导体制造商SK海力士一家公司支撑 [1] - 剔除SK海力士后，其余企业利润较去年同期下降1.7% [1] - 342家提交财报的企业总销售额达1655.2万亿韩元，同比增长5.5% [3] 半导体行业表现 - SK海力士上半年营业利润同比激增99.3%，达16.65万亿韩元 [3] - 二季度单季利润突破9万亿韩元，主要受益于AI半导体核心部件HBM市场的垄断地位 [3] - 三星电子上半年营业利润骤减33.4%，降至11.36万亿韩元，在HBM竞争中落后 [3] 汽车行业表现 - 现代汽车和起亚因美国加征汽车关税，收益大幅缩水 [3] 其他行业表现 - 石化和电池行业亏损严重，企业濒临破产 [3] 韩国经济结构性困境 - 韩国制造业因关税冲突、中国快速赶超和未来产业布局失败陷入困境 [3] - 低生育率、老龄化、强硬工会、过度管制等长期矛盾未解决，潜在增长率跌至1%区间 [3]

三星电子HBM战略调整 - 公司正加紧招聘HBM领域经验丰富的专家 包括封装开发和混合键合技术工程师 以重夺半导体行业领导地位 [2] - 招聘集中在存储芯片业务 晶圆代工 半导体研究中心等6个核心部门 下半年申请截止日期为8月19日 [2] - 缩减晶圆代工和系统大规模集成电路部门招聘 后者第二季度营业利润仅4000亿韩元（2.88亿美元）创近期新低 [5] HBM技术研发进展 - 重点开发定制HBM产品 计划最早2024年推出 底层DRAM将集成客户指定功能 [3] - 改进混合键合技术 目标实现16层以上DRAM堆叠 减少厚度和发热量 目前SK海力士已展示16层HBM3E样品 [3] - HBM4量产计划从2025年底推迟至2026年 当前1c DRAM测试晶圆良率达65% 但量产良率仍存不确定性 [4][5] 市场竞争格局 - SK海力士在HBM3E量产进度领先 计划2025年HBM销量翻倍 2026年推出HBM4 [6] - 竞争对手同步扩展GDDR7和LPDDR服务器模块产品线 M15X工厂将于2024Q4投产 [6] - 三星预计下半年存储芯片市场复苏 HBM产品将成为盈利反弹关键驱动力 [2][5] 技术路线差异 - 三星采用双路径开发1c DRAM：改良现有1a/1b设计或彻底重新设计 后者可能增加20%晶圆使用量 [5] - SK海力士优先布局QLC企业级SSD 资本支出将超预期 龙仁Cluster 1工厂2027Q2竣工 [6]

三星电子HBM战略调整 - 公司正加大对高带宽存储器(HBM)领域资深专家的招聘力度 旨在重夺半导体行业领导地位 并押注下半年业绩反弹[1] - 同时缩减表现不佳的晶圆代工部门和系统LSI业务的资深招聘规模 突显战略重心向HBM领域转移[1][4] 人才招聘与技术布局 - 招聘目标聚焦下一代半导体和芯片封装技术专家 特别是混合键合技术领域人才 该技术对提升AI芯片性能至关重要[3] - 计划在存储芯片业务 代工厂 半导体研究中心等6个主要部门开展资深专业人员招聘 8月19日前开放申请[3] - 行业预计招聘规模将显著扩大 反映存储芯片市场复苏迹象 公司预期HBM产品将推动下半年盈利回升[3] HBM技术发展规划 - 重点开发能设计先进HBM新架构的封装专家 以及负责定制HBM客户对接的产品规划人员[3] - 定制化HBM指垂直堆叠DRAM产品 配备客户指定功能 预计2026年推向市场以追赶SK海力士[3] - 加速混合键合技术研发 该技术可消除传统凸块连接 直接键合芯片 对生产16层以上DRAM产品至关重要[4] 行业竞争态势 - SK海力士目前主导HBM市场 已率先在2025年初展示16层HBM3E芯片 而12层HBM3E是当前量产最先进AI内存芯片[4] - 系统LSI部门持续亏损 将在2025年下半年停止资深招聘 该部门负责Exynos处理器和图像传感器等非存储芯片开发[4]

市场占有率变化 - DRAM市场份额大幅下滑至32.7%，同比下降8.8个百分点，主要因HBM市场被竞争对手抢占 [2] - 智能手机市场份额提升至19.9%，同比上升1.6个百分点 [2] - 电视市场份额小幅增长至28.9%，同比上升0.6个百分点 [2] 地区销售额表现 - 美洲市场销售额最高，达33兆4,759亿韩元 [2] - 中国市场销售额为28兆7,918亿韩元，同比下降11% [2] - 亚洲及非洲市场销售额为20兆8,064亿韩元，欧洲市场为15兆8,623亿韩元 [2] 原材料及产品价格变动 - 移动应用处理器（AP）价格同比上涨12%，摄像头模组价格上涨8% [3] - 电视平均销售价格同比下降4%，智能手机价格上涨1% [3] - 存储器平均销售价格下降3%，智能手机用OLED面板价格下跌12% [3]

全球半导体投资趋势 - 10家主要半导体企业2025年度设备投资预计为1350亿美元 较上财年增长7% [2][4] - 半导体投资自2022年度以来时隔2年实现正增长 主要受AI需求拉动 [2] - 按企业来看 投资呈现分化 台积电 SK海力士 美光科技 中芯国际等6家企业将增加投资 [4] 台积电投资计划 - 台积电2025年将在全球9个地点开工建设或启动工厂 [2][4] - 投资额预计380亿～420亿美元 较上一年度增加3成左右 [4] - 在美国亚利桑那州的工厂建设计划持续推进 [2] 存储芯片领域投资 - 美光2025财年投资预计140亿美元 同比增长7成 重点扩大HBM投资 [5] - SK海力士在HBM领域居世界份额首位 将增加韩国国内工厂投资 [5] - AMD预测2030年AI半导体市场规模将达到5000亿美元 是2025年的3倍以上 [5] 部分企业投资低迷 - 英特尔2025年设备投资将减少3成 已连续6个季度亏损 [6] - 三星电子因存储芯片行情停滞 将抑制韩国国内投资 [6] - 意法半导体和英飞凌2025财年投资均低于上年 因EV功率半导体供应过剩 [6] 各国半导体产业政策 - 美国格罗方德宣布中长期将向美国投资160亿美元 较原计划增加30亿美元 [6] - 中国计划未来3年向半导体制造设备投资超过1000亿美元 [6] - 中芯国际2025年计划投资75亿美元 创历史最高水平 [6] 行业前景与挑战 - 2025～2027年全球将新建108家半导体工厂 较2021～2023年增加3成 [7] - 中芯国际CEO预测价格竞争将激化 三菱研究员指出可能出现供应过剩 [7] - Tokyo Electron下调新设备销售预测 但认为AI半导体等技术创新将推动增长 [7]

HBF技术合作与标准化 - Sandisk与SK海力士合作标准化高带宽闪存(HBF)，旨在通过NAND堆叠与TSV连接技术实现GPU快速访问，速度比SSD快几个数量级[1] - HBF技术目标为提供与HBM相当的带宽(1.2TBps)，同时以相似成本实现8-16倍容量(最高768GB)，并保持非易失性存储特性[4][6] - 双方签署谅解备忘录(MoU)推动技术规范标准化，SK海力士将自主研发生产HBF，Sandisk强调多供应商市场对保障供应链的重要性[3][4] 技术优势与行业影响 - HBF采用类似HBM的封装结构，首次实现闪存与DRAM级带宽融合，可显著降低AI工作负载的能耗与发热问题[6][8] - 相比HBM3E的48GB容量，HBF潜在容量提升8-16倍，而SK海力士PCIe Gen5 SSD带宽仅为HBM3E的1/86(14GBps vs 1.2TBps)[3][6] - 该技术契合边缘计算趋势，能解决AI数据中心冷却预算极限问题，适用于手持设备至服务器全场景部署[5][6] 商业化进程与生态建设 - Sandisk计划2026年下半年推出HBF样品，2027年初上市首批AI推理设备，技术已获2025闪存峰会"最具创新技术"奖[5][9] - 成立技术顾问委员会推动跨行业标准制定，采用BiCS NAND与CBA晶圆键合技术，可能涉及与Kioxia的CMOS工艺合作[9][10] - 行业推测SK海力士与Nvidia的现有合作关系可能加速HBF采用，三星等厂商也在开发类似技术如PBSSD和HBM4[8][9] 技术架构创新 - HBF通过NAND替代部分DRAM堆栈，牺牲延迟换取容量优势，相比传统HBM节省恒定功耗需求[6][8] - 架构灵感来源于"闪存中的LLM"研究论文，通过SSD作为额外内存层缓解DRAM压力的思路[8] - 可能推动DRAM、闪存与新型持久内存的异构堆栈共存，为超大规模计算提供HBM成本替代方案[10]