报告行业投资评级 - 看好（维持）[1] 报告核心观点 - AI算力、数据中心和智能终端持续放量，推动全球半导体景气进入上行阶段，带动晶圆厂资本开支与稼动率维持高位，半导体材料作为具备消耗和复购属性的耗材成为终局受益品种 [4] - 在先进逻辑、HBM、3D NAND等高复杂度工艺中，部分重要材料品类呈现单片用量上升、品类数增加或价格抬升的复合通胀，在景气上行阶段展现出更强的增长弹性和业绩确定性 [4] - 在晶圆厂扩产、供应链安全重估及对日替代预期强化背景下，下游fab对本土材料导入意愿增强，验证节奏和国产化率加快抬升，半导体材料板块正同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动 [4] 根据相关目录分别进行总结 1 半导体材料：景气上行、工艺通胀与国产替代共振 - 全球晶圆厂资本开支持续增长：台积电2025年资本开支达409亿美元，2026年上修至520-560亿美元；中芯国际2025年资本开支81亿美元，2026年预计维持高位并新增约4万片/月12英寸产能，其2025年平均产能利用率达93.5%，四季度达95.7% [8] - 存储厂商启动新一轮扩产：长鑫上海新厂预计2026年下半年设备进场、2027年投产；长江存储武汉三期原定2027年量产，当前有望提前至2026年下半年启动 [8] - 半导体材料板块同时获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动 [8] 1.1 CMP材料：制程微缩、存储堆叠与先进封装驱动需求升级 - CMP抛光材料约占晶圆制造总成本的7%，其中抛光液、抛光垫分别占CMP材料成本的49%、33% [9] - 逻辑芯片制程从250nm缩小到7nm时，抛光步骤从8次提升至30次，抛光液种类从5种提升至20余种 [9] - 存储芯片从2D NAND到3D NAND，CMP步骤近乎翻倍；3D NAND向200层、300层堆叠演进中，每增加一层堆叠，CMP工艺步骤和抛光液消耗量均同步增长 [9] - 先进封装带动后道CMP需求：国内龙头长电科技近期披露2026年资本开支计划近百亿，同比大幅增长58.5% [9] 1.2 靶材：“通胀型”耗材，制程升级与制程结构复杂化共同推动其量价齐升 - 3D NAND从128层提升至232层以上时，单片晶圆的靶材消耗量增加超40% [10] - HBM单颗芯片铜靶用量可达传统芯片的3倍以上 [10] - 钨靶超90%需求集中于存储芯片，主要用于3D NAND [10] - 中国对钨实施出口管制导致全球六氟化钨（WF₆）供应链趋紧，日本钨靶龙头日矿金属出货受限，为国内高纯靶材企业带来份额提升窗口 [10] 1.3 光刻胶：先进制程驱动用量持续攀升，自主替代迫在眉睫 - 先进制程中光刻工艺成本占比高达30%-40%，光刻胶及配套试剂在晶圆制造材料成本中占12%-15% [11] - 全球光刻胶市场规模预计从2025年约67亿美元增至2032年近99亿美元 [11] - 日本JSR、TOK等五家企业垄断全球95%份额，尤其在EUV光刻胶领域形成寡头格局 [11] - 我国光刻胶国产化率低：g/i线国产化率仅20%-25%，KrF约3%，ArF不足1%，EUV几乎为0 [11] - 若高端光刻胶纳入出口管制，供应链中断风险将急剧放大，国内光刻胶产业链迎来明确替代窗口 [11] 1.4 刻蚀液：湿法刻蚀的核心耗材，先进工艺推动量价齐升 - 从65nm制程演进至7nm制程，刻蚀步骤激增超300% [12] - 存储芯片从32层提升至128层时，刻蚀设备用量占比从35%提升至48% [12] - 从FinFET向GAAFET架构升级，涉及刻蚀工艺的步骤从5道增至9道 [13] - 全球高端刻蚀液市场高度集中于海外厂商，国内先进制程领域自给能力薄弱；叠加上游含氟电子特气等关键原料供给受限，国内具备高纯刻蚀液量产能力的企业有望受益 [13] 投资建议 - 建议关注卡位需求通胀以及对日替代关键逻辑的重要半导体材料公司，如鼎龙股份、江丰电子、上海新阳、安集科技等 [6]