文章核心观点 德银报告认为，2026年欧洲科技硬件行业将由六大主题主导：内存短缺、AI挤压主流组件、光电子加速渗透、先进封测升级、800V电源架构改革及边缘AI回归增长 这些趋势正在重构行业竞争格局 直接影响消费电子、智能手机、数据中心等关键终端市场 并为半导体设备、功率器件、光模块等细分领域带来结构性投资机会 [1] 内存短缺与价格波动 - 过去三个月，DRAM现货价格暴涨300-400%，NAND闪存同步大涨200% 涨势正向合约价快速传导 [1] - DDR4现货价达到每GB 17美元，DDR5为13-14美元 NAND闪存关键标杆产品TLC 512Gb现货价上涨200% [2] - 2025年第四季度PC DRAM合约价环比上涨25-30%，服务器DRAM环比涨幅高达43-48% 11月晶圆级NAND合约价环比涨幅介于20-60%之间 [2] - 市场预期2026年上半年DRAM和NAND合约价将再涨30-50% 短缺态势将持续至2027年 [2] - 内存短缺推动晶圆制造设备支出超预期增长 德银预测ASML等半导体设备龙头估值可能突破常规25-30倍的2027年预期市盈率区间 ASML目标价已上调15%至1150欧元 对应35倍2027年预期市盈率 [2] AI支出对主流组件的挤压 - AI支出的爆发式增长加剧了关键组件的供应紧张 对低中端智能手机、PC等主流电子领域构成持续阻力 [3] - 内存、无源器件、光组件及硬盘驱动器的供应受限 使议价能力较弱的OEM厂商陷入被动 [3] - Realme相关负责人表示 内存成本的陡峭上涨可能迫使公司在2026年6月前将手机价格提高20-30% [3] - Dell首席运营官称当前成本上涨速度史无前例 [3] - 汽车行业因拥有独立产线受冲击较小 但Nokia和Ericsson等网络设备厂商可能面临无源器件等组件的供应压力 Raspberry Pi、Soitec等对智能手机行业暴露度较高的企业将直面经营压力 [3] 光电子/光子学技术加速渗透 - AI数据中心的带宽需求爆炸式增长 推动光电子/光子学技术成为行业增长的核心引擎 [4] - 技术将从当前的可插拔光模块 逐步向高速可插拔光模块、线性可插拔光学及共封装光学演进 以实现更低功耗和延迟 [4] - LPO通过线性驱动器替代完整DSP 显著降低功耗与延迟 CPO则将光引擎紧邻交换机/xPU部署 大幅提升能效 这两种技术均推动硅光子学的渗透率快速提升 [4] - Tower Semi计划在2025年底将硅光子产能翻倍 并在2026年中再扩大三倍 目标2026年硅光子销售额达到9亿美元 较2024年的1.05亿美元实现跨越式增长 [4] - Nokia通过Elenion交易获得自有SiPho平台 正在圣何塞扩建光子芯片工厂 产能将提升25倍 其AI数据中心相关订单年初至今已增长3倍 Soitec的SOI晶圆在低插入损耗单模波导领域占据主导地位 [4] 测试与先进封测升级 - AI加速器复杂度提升与产品价值增长 推动测试与先进封测成为半导体产业链的关键增长点 [7] - 随着AI加速器封装集成的芯粒数量增加 产品报废成本呈指数级上升 促使企业大幅增加测试预算 英伟达等客户正积极扩大测试覆盖范围 [7] - 台积电计划在2022-2026年间将AI测试产能以80%的复合年增长率扩张 OSATs也在2026年积极扩产以缓解产能约束 [7] - 先进封测领域 2.5D CoWoS产能持续紧张 行业正向3D封装积极迁移 苹果计划2026年在高端笔记本电脑中首次采用台积电的3D封装方案SolC-mH [7] - 2026-2027年HBM4E和HBM5有望从TCB工艺转向无焊剂TCB或D2W混合键合工艺 以支持16层及以上堆叠 Intel的PowerVia背侧供电技术则将推动W2W混合键合趋势加速 [7] - Technoprobe凭借在探针卡领域的优势直接受益于测试需求增长 Besi则在混合键合领域与台积电深度合作 有望在高堆叠HBM量产中获得更大市场份额 [7] 800V电源架构转型 - 英伟达推动AI数据中心从48V向800V电源架构转型 成为功率半导体领域的重要变革 氮化镓作为核心器件迎来发展机遇 [8] - 当前48V架构在高功率传输中存在严重功率损耗和铜缆成本问题 800V架构通过高压低电流传输 可显著提升效率并降低铜缆使用量 [8] - 转型涉及电网接口、机架级DC/DC转换和板级电源三个关键阶段 电网接口需升级为固态变压器 采用SiC开关和高频磁元件 机架级转换依赖高压GaN、SiC等器件 板级电源则面临传统横向VRM与垂直/共封装电源的技术路线竞争 [8] - 谷歌已在TPU中部署垂直电源 能耗较GPU降低60-65% [8] - AI处理器功耗预计将从2023年的7GW增长至2030年的70GW 为GaN和SiC创造巨大市场空间 Infineon预计到2030年其AI电源可寻址市场规模将达到80-120亿欧元 [8] - 德银警告 Aixtron股价自2025年11月3日以来已上涨28% 当前市场对GaN的乐观预期可能已过度 若800V架构部署延迟 相关企业将面临估值回调风险 Infineon凭借率先实现300mm GaN量产的优势 市场份额有望持续提升 [9] 边缘AI回归增长 - 边缘AI历经多年蛰伏后 2026年将迎来适度增长态势 成为科技硬件行业不可忽视的新增长点 [10] - 边缘AI是指在终端设备或本地边缘节点开展轻量化AI处理 其核心优势在于保障数据隐私、降低传输延迟 同时大幅节省数据中心建设与运营成本 [10] - 汽车ADAS系统、视频安防设备、工业控制终端成为核心应用场景 Rockwell近期推出基于英伟达Nemotron Nano的专用小型语言模型 为工业环境提供边缘生成式AI能力 Ambarella透露 其涉及设备端AI处理的边缘AI业务 2025年已占公司营收的80% [10] - 消费电子、可穿戴设备、智能家居等领域成为潜在增长极 合计占据边缘AI设备市场约70%的机会空间 [10] - SHDGroup预测 到2030年边缘AI设备收入将达到1030亿美元 2025-2030年复合年增长率高达21% CEVA预计 其物理AI与边缘AI的可寻址市场规模到2030年将突破1700亿美元 [11] - 轻量化蒸馏模型的迭代为行业增长提供关键支撑 HuggingFace榜单显示 Microsoft Phi-3.5-mini-Instruct、DeepSeek-R1-Distil-Owen-1.5B等参数小于30亿的模型已具备较强实用性 推动边缘AI在低算力设备上的普及 [11]