印度半导体产业发展战略与目标 - 印度政府计划在2030年代初制造3纳米芯片，并最终实现2纳米芯片的制造，这是其半导体发展下一阶段的核心目标 [1] - 到2029年，印度将具备设计和制造用于国内近70-75%应用领域的芯片的能力 [1] - 迈向3纳米和2纳米等先进节点的征程将成为即将推出的Semicon 2.0计划的核心支柱 [1] 政府支持计划与生态建设 - 印度目前有24家初创企业在设计关联激励计划（DLI）1.0的支持下发展，下一阶段目标是将无晶圆半导体公司数量扩大到至少50家 [2] - 根据DLI 2.0，政府支持将集中在六大核心芯片类别：计算、射频、网络、电源管理、传感器和存储器 [2] - 政府最初通过提供电子设计自动化工具、知识产权内核和多项目晶圆支持初创企业的做法已通过实际进展得到验证 [1] - DLI 1.0下初创企业的意见将直接影响下一阶段计划的设计，包括决定支持哪些领域 [2] 制造设施与节点布局 - 180纳米等成熟节点的流片设施将设在莫哈利的半导体实验室 [2] - 低至28纳米的先进节点将通过即将在多莱拉建成的塔塔半导体工厂提供支持 [2] 初创企业进展与需求 - 多家初创公司展示了已进入流片或测试阶段的芯片，涵盖人工智能、射频和宽带应用领域 [2] - 总部位于特里凡得琅的Netra Semiconductor公司表示，其A2000 AI应用处理器已于10月份在台积电的12纳米节点上完成流片，目前正在进行硅测试 [3] - 射频集成电路初创公司Fermionix强调了国防和卫星通信客户对其X波段雷达芯片的需求，并寻求政府支持以拓展Ku波段和Ka波段产品线 [3] - 由印度理工学院马德拉斯分校SHAKTI处理器团队成员创立的InCore Semiconductor重申了其对基于RISC-V解决方案的专注，并呼吁在关键领域获得优先市场准入 [3] - 几位创始人强调需要加强对模拟和射频知识产权的支持，在战略领域给予优先市场准入，以及在生产规模扩大之前提供过渡成本方面的支持 [2] 长期愿景与激励措施 - 政府将从2026年起设立“深度科技奖”，涵盖半导体、人工智能、航天和生物技术等领域 [3] - 到2035年，印度有望跻身全球前四大半导体强国之列 [3] - Semicon 2.0计划将借鉴韩国、中国台湾和日本等国家和地区几十年来构建半导体生态系统的经验 [1]