行业周期与核心驱动力 - 存储行业自2025年第三季度起进入由AI需求驱动的加速上行周期，供需缺口持续扩大，价格加速上涨 [2] - 本轮强上行周期主要由AI服务器、多模态应用等需求爆发推动，不同于以往由供给侧减产主导的短暂上行 [3][7] - 行业展望至2026年上半年，供需缺口或将进一步扩大，价格涨势有望延续 [4][7] 需求侧分析 - AI时代下数据中心存储需求从2020年的600EB激增至2028年的2.4ZB，核心驱动力转变为生成式AI [4][8] - 多模态应用如Sora2模型显著提升存储需求，单段10秒4K视频消耗近100MB空间，较文本的KB级需求提升数百至数千倍 [4][11] - AI推理增加对热、温、冷数据的存储需求，预计2026年全球NAND Flash位元需求增长超200EB至1237EB，SSD因性能优势有望替代HDD成为主流 [4][12] - 消费电子端需求复苏，AI PC内存容量从2024年平均12GB增至2025年至少16GB，AI手机DRAM容量从8GB增至12-16GB [16] 技术创新与趋势 - HBM4产品将于2026年批量出货，美光2026年HBM产能已售罄，接口速度达8-10Gbps [4][17][18] - 近存计算方案向边缘侧扩散，华邦电推出CUBE等定制化方案以满足边缘AI对成本、功耗和灵活性的要求 [4][20][21] - 铠侠等采用的CBA架构通过独立制造存储单元与CMOS电路并键合，提升存储密度约15%-20%，写入性能提升20%，功耗降低30% [4][23][26] - 闪迪提出的HBF方案通过NAND堆叠提升互联速度至4.8Gb/s，容量可达HBM的8-16倍，用于解决AI应用的内存墙问题 [4][27] 供给侧与资本开支 - 存储原厂资本开支聚焦HBM等高端产品，对NAND Flash扩产意愿保守，2026年NAND资本支出预计保持低位 [4][31][34] - 原厂为维持涨价和盈利主动控制产能，新建产线投产有时滞，2026年新增产能可能无法满足需求增长 [4][34] 价格表现 - 2025年10月存储价格加速上涨，DDR5价格环比涨幅达102.6%，DDR4 16G涨幅96.8%，NAND Flash Wafer涨幅42.9% [4][37][39] - 价格加速上涨源于AI服务器需求增长及原厂强烈提价意愿，行业整体加速备货 [4][37] 公司财务表现 - 海外原厂25Q3业绩亮眼：三星存储收入187亿美元创历史新高，SK海力士净利率52%创历史新高，美光毛利率45.7%超指引 [42][43] - 国内存储模组厂商25Q3毛利率和净利率环比提升，实现扭亏为盈，并在三季度增大备货力度，25Q4利润预计加速释放 [5][46] - 中国台湾模组厂如群联10月营收同比增90%，创见同比增119.6%，均受益于存储价格上涨和需求复苏 [50] 利基存储市场 - 利基DRAM（如DDR4）因海外原厂退出导致供应紧张，价格自3月起上涨，三季度加速上升，NOR和SLC NAND价格温和上涨 [53] - 国内利基存储芯片厂商如兆易创新、东芯、恒烁等毛利率和净利率逐季改善，部分厂商亏损幅度缩小，持续受益于涨价趋势 [5][58]