点击 最 下方 关注《材料汇》 ， 点击"❤"和" "并分享 添加 小编微信 ，寻 志同道合 的你 正文 灿若星河，光刻机加冕半导体皇冠 光刻即利用光刻胶的光敏性，将掩模版的图案通过光源照射转移至晶圆上。光刻是半导体制造工序中核心的一环，需要通过光刻机进行极为精密的控 制。 光刻机最核心的指标即为分辨率 ，根据瑞利公式， 分辨率与光源波长λ、数值孔径NA以及工艺因子k1有关 。光刻机数十年的迭代优化历程，也围 绕以上三点因素展开： (1)光源波长λ： 由汞灯光源的g线、i 线发展为KrF、ArF，最终发展至目前的EUV光源； (2)数值孔径NA： 分为增大收光角度和提高介质折射率两种方式。增大收光角度可以通过增大透镜尺寸来实现，而提高介质折射率可以在物镜与晶圆之 间添加介质，例如浸润式光刻机； 筚路蓝缕，复盘光刻机龙头波澜历程 光刻机行业的龙头交替变迁，大致可分为三个时代： 光刻机早期技术不成熟，作为半导体发源地的美国凭借先发优势，诞生GCA、Perkin Elmer 等巨头，但销量较低； 当技术初步定型后，凭借日本政府的大力扶持，日本充分发挥后发优势，尼康与佳能一跃超过美国光刻机厂商，长时间分列光刻机第一、 ...