21世纪经济报道记者王峰 孙燕 北京、上海报道 近日，"百万英才汇南粤"2025年N城联动秋季招聘活动 （以下简称"N城联动秋招活动"）在北京、上海同步启幕，正式打响广东秋招季跨省揽才的"头炮"。 今年2月，广东启动"百万英才汇南粤"行动计划，拿出具有竞争力的薪酬和岗位，吸纳100万高校毕业生 来粤、留粤就业创业。截至2025年7月中旬，揽才目标提前实现。 此次N城联动秋招活动中，参聘单位将分赴全国超100所重点高校，提供超12万个优质岗位。通过大规 模人才吸纳，精准服务国家战略、赋能新兴行业发展。 服务科技自立自强 粤港澳大湾区国际科技创新中心已经全面启动建设，科研人才需求强烈。 广州国家实验室、鹏城国家实验室、深圳平湖实验室、江门双碳实验室、中国科学院深圳先进技术研究 院等参加了招聘会，发布大量岗位。 鹏城国家实验室此次带来研究员、工程师、博士后等百余个岗位，最高年薪达100万元。国家第三代半 导体技术创新中心深圳综合平台主任、深圳平湖实验室主任万玉喜介绍，该平台围绕碳化硅（SiC）、 氮化镓（GaN）、下一代先进功率电子材料及器件、核心装备及零部件、配套材料等领域，开展核心技 术攻关。今年计划招聘30位 ...

文章核心观点 - 台积电正全面转向12吋碳化硅（SiC）基板技术以应对AI/HPC时代散热挑战 逐步退出氮化镓（GaN）业务 此战略转型标志散热管理从辅助技术升级为核心竞争优势 [2][5] 半导体散热技术转型 - 传统陶瓷基板（如氧化铝/蓝宝石）热导率不足 难以满足3D堆叠/2.5D封装的高热通量需求 碳化硅基板热导率达500 W/mK 显著优于传统材料 [2] - 散热管理成为芯片制程突破关键瓶颈 尤其在高密度应用（AI加速器/AR眼镜）中直接影响安全性与稳定性 [3] 碳化硅基板技术优势 - SiC兼具高热导率（500 W/mK）/强机械性/抗热冲击性 在2.5D架构中支持水平散热 在3D堆叠中可搭配钻石/液态金属形成混合冷却方案 [4][5] - 12吋SiC基板可沿用现有晶圆产线 降低单位成本并提升制程均匀性 但需克服切片/抛光/平坦化技术挑战 [3][5] - 技术重点从电性缺陷控制转向体密度均匀性/低孔隙率/高表面平整度 以保障先进封装良率 [3] 台积电战略调整 - 2027年前逐步退出GaN业务 资源转向SiC领域 因SiC在热管理全面性与可扩展性更符合长远布局 [5] - 推动SiC跨出电力电子领域 拓展至导电型N型SiC散热基板（用于AI加速器）和半绝缘型SiC中介层（用于chiplet设计） [5] 行业竞争格局 - 钻石（热导率1000-2200 W/mK）和石墨烯（3000-5000 W/mK）因成本与规模化问题难以主流化 液态金属等替代方案存在整合性挑战 [6] - 台积电凭借12吋晶圆制造经验加速SiC平台建设 Intel则聚焦背面供电与热-功率协同设计 显示散热技术成为全球龙头厂商核心竞争力 [6]

2025年9月12日，赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司（以下简称"赛晶半导体"）与湖南三安半导体有 限责任公司（以下简称"湖南三安"）在湖南三安总部成功举行战略合作签约仪式。湖南三安作为国内少 数拥有碳化硅全产业链垂直整合制造能力的企业，其8英寸碳化硅芯片产线已实现通线，具备从材料制 备到芯片制造、封测的全流程能力；而赛晶半导体则在芯片设计、模块封装及市场应用端拥有深厚技术 积累，双方基于新型功率半导体产业生态的互补优势，由此建立全面战略合作伙伴关系，聚焦碳化硅 （SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体技术的研发与产业化应用。 根据官方公告，双方将围绕产能保障、价格竞争力、技术支持、市场协同、供应链优化、可持续发展及 国际合作七大核心领域开展深度合作，并建立"高层定期会晤+专项工作小组+信息共享平台"的长效合作 机制，协议有效期五年。具体合作内容包括：产能协同方面，湖南三安将优先保障赛晶半导体需求，双 方共同评估市场潜力并制定产能扩展计划；价格优化方面，湖南三安承诺提供具有市场竞争力的价格机 制；技术联动方面，双方将共建技术交流平台，推进联合研发项目；市场共创方面，将共享行业趋势信 息，联合开发新产品及市 ...

展会概况 - 2025年湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月15—17日在深圳会展中心举办，展现全球半导体产业创新活力与商机 [1] - 展会规模扩容50%，总展示面积达60,000平方米，相当于8个标准足球场 [1] - 汇聚600家行业头部企业，预计吸引60,000名专业观众，举办20余场技术峰会和产业论坛 [1] 展区布局 - 四大核心展区全面升级：晶圆制造、化合物半导体、IC设计、先进封装，覆盖全产业链 [4] - 首创"技术展示+应用生态场景"模式，设立AI芯片生态、RISC-V生态、Chiplet与先进封装生态三个专区 [6] 参展企业 - 吸引600余家国内外龙头企业参展，包括北方华创、新凯来、华海清科等本土企业，以及ASML、Applied Materials、ZEISS等国际巨头 [8] - 晶圆制造展区展示8英寸到12英寸晶圆制造全流程解决方案 [7] - 化合物半导体展区聚焦GaN、SiC等材料在5G通信、新能源汽车等领域的应用 [7] 商务对接 - 展会撬动超百亿元产业合作机遇，涵盖设备采购、技术授权、产线建设等领域 [9] - 创新"项目采购展"模式，实现采购方与供应商精准对接 [11] - 六城联动产业协同，覆盖上海、无锡、合肥、武汉、深圳、广州六大半导体产业集聚城市 [12][13] 服务体系 - 构建全年度服务生态，实现展前精准匹配、展中高效对接、展后持续跟进 [10] - 提供展前需求调研、展中商务协调、展后项目跟踪等全流程服务 [19] - 举办四大主题供需对接会，聚焦设备采购、制造与设计服务、先进封装与测试、化合物材料及功率器件 [14][16] 展会目标 - 推动中国半导体产业从"技术跟跑"向"创新领跑"跨越，构建自主可控产业生态 [17] - 搭建全球半导体产业合作桥梁，促进技术创新、资本融合、人才交流 [17]

北水资金流向 - 北水成交净卖出180.92亿港元 港股通(沪)净卖出111.24亿港元 港股通(深)净卖出69.68亿港元 [1] - 北水净买入最多个股为阿里巴巴-W(09988) 英诺赛科(02577) 快手-W(01024) [1] - 北水净卖出最多个股为盈富基金(02800) 恒生中国企业(02828) 南方恒生科技(03033) [1] 个股买卖数据 - 盈富基金(02800)净卖出94.77亿港元 买入额372.81万港元 卖出额94.81亿港元 [2] - 恒生中国企业(02828)净卖出45.52亿港元 买入额5044.50万港元 卖出额46.02亿港元 [2] - 英诺赛科(02577)净买入2.80亿港元 买入额22.03亿港元 卖出额19.22亿港元 [2] - 腾讯控股(00700)净买入6.17亿港元 买入额15.44亿港元 卖出额9.27亿港元 [2] - 阿里巴巴-W(09988)净买入7.26亿港元 买入额14.07亿港元 卖出额6.81亿港元 [2] - 小米集团-W(01810)净卖出8450.67万港元 买入额8.82亿港元 卖出额9.67亿港元 [2] - 国泰君安(01788)净卖出1.91亿港元 买入额7.63亿港元 卖出额9.55亿港元 [2] - 中芯国际(00981)净买入1589.53万港元 买入额8.50亿港元 卖出额8.34亿港元 [2] 港股通活跃个股 - 中芯国际(00981)获净买入2.02亿港元 买入额5.52亿港元 卖出额3.50亿港元 [4] - 理想汽车-W(02015)获净买入4081.28万港元 买卖总额8.99亿港元 [4] - 康方生物(09926)净卖出3.23亿港元 买入额2.84亿港元 卖出额6.07亿港元 [4] - 阿里巴巴-W(09988)获净买入7.28亿港元 [4] 个股消息面分析 - 阿里巴巴获摩根士丹利看好 认为市场低估其AI赋能者地位 云计算收入加速增长成为催化剂 [4] - 英诺赛科加入英伟达800V直流电源供应商名单 富瑞估计AI数据中心氮化镓市场总额达25亿美元 预计2027年开始量产 [5] - 快手可灵AI多次亮相主流媒体 中金认为平台生态和商业化保持增长动力 利润率有望持续优化 [5] - 中芯国际受益于英伟达芯片安全事件 华西证券认为国产AI算力芯片将加速国产化进程 [6] - 理想汽车7月交付新车30,731辆 同比下降39.7% 环比下降15.3% 国联证券认为i8车型上市将推动销量提升 [6] 板块资金动向 - 港股ETF遭大幅抛售 盈富基金(02800)净卖出145.34亿港元 恒生中国企业(02828)净卖出63.25亿港元 南方恒生科技(03033)净卖出14.53亿港元 [7] - 东吴证券提示海外风险 美元资产上涨可能减少对中国资产关注 对等关税截止日临近影响市场心理 [7]

英伟达与英诺赛科合作推动800V直流电源架构 - 英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科成为唯一入选的中国芯片企业，双方正式达成深度合作 [1] - 合作将推动800V直流电源架构在AI数据中心的规模化应用，单机房算力密度提升10倍以上，单机柜功率密度突破300kW [1] - 此次合作标志着全球AI数据中心正式迈入兆瓦级供电时代 [1] AI数据中心供电革命与市场前景 - AI大模型和高性能计算集群的迅猛发展导致算力功耗指数级攀升，2027年全球AIDC年新增耗电量将达500TWh，较2024年几乎翻倍 [2] - 电力成本占数据中心总运营支出的40%以上，传统54V低压架构在单机柜功率超200kW时遭遇物理极限 [2] - 英伟达主导的800 VDC架构预计未来3-5年将带动数据中心供电系统改造市场达千亿规模，渗透率有望突破35% [2] 800V直流电源架构的技术优势 - 电网直连高压化：将13.8kV交流电直接转换为800V直流，减少AC/DC转换环节，端到端能效提升5% [4] - 材料与空间优化：电压提升使铜缆用量减少45%，机房占地面积缩减40%，单机柜功率密度支持600kW以上 [4] 氮化镓（GaN）技术的核心作用 - 高压适配性：3.4eV禁带宽度（硅材料的3倍），在800V高压环境保持稳定性 [5] - 能效跃升：电子迁移率达硅器件3倍，能源转换损耗降低30%，峰值效率突破98% [5] - 空间压缩：相同功率下体积仅为硅器件的1/5-1/3，功率密度提升至92.4W/cm³，机房占地面积可缩减40% [2] 英诺赛科的技术与产能优势 - 工艺制造能力：自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，良率达95%以上，成本下降40%，产能居行业首位 [6] - 技术领先性：第三代GaN器件高频效率达98.5%，支持15V-1200V全电压场景 [6] - 方案创新：高压/中压/低压三级DC-DC转换架构，系统性提升整体转换效率，实现端到端高效传输 [6] 合作对行业的影响与绿色算力前景 - 英诺赛科为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，技术路径获微软、谷歌等科技巨头跟进 [7] - 800 VDC架构规模化落地预计将使数据中心总能耗降低20%-30%，年减碳数千万吨，机房空间需求缩减40% [7] - 合作将定义下一代AI基础设施的供电标准，为全球AI产业的可持续发展注入新动能 [7]

英伟达主导AI数据中心电力架构革新 - 市值4万亿美元的英伟达虽不设计功率器件，但正在定义未来AI数据中心的电力电子特性和功能，主导下一代动力总成架构设计[2] - 公司联合英飞凌、MPS、Navitas等半导体供应商及台达、施耐德电气等系统商，推动向800V高压直流(HVDC)架构转型[3] 技术路线与合作伙伴动态 - 英伟达计划2027年推出Rubin Ultra GPU和Vera CPU，需突破传统54V机架配电限制，解决千瓦级机架空间与铜线过载问题[8][9] - 新800V架构要求开发800V转12V/50V高密度转换器，需兼顾功率密度、效率及外形尺寸[10] - 英飞凌指出SiC适用于高功率/高压环节，GaN更适合800V-50V高频转换，硅/GaN混合方案用于54V-6V低压转换[11] - Navitas通过收购GeneSiC强化GaN/SiC组合，正与英伟达合作48V至处理器供电方案的原型开发[15] 行业竞争与市场影响 - 英伟达的激进路线可能使开放计算项目(OPC)标准过时，导致数据中心解决方案重回非兼容状态[16] - Yole预测GaN增速将超越SiC，GaN在直流/直流转换领域机会显著，潜在市场规模远超SiC的1亿美元[19] 半导体技术趋势 - 新800V架构需发明半导体继电器以安全控制过流，替代传统机械开关[12] - 行业类比英伟达推动GaN如同"特斯拉的SiC时刻"，英飞凌、纳微等厂商竞相布局新兴GaN市场[6]

Nvidia主导AI数据中心电力架构革新 - Nvidia虽不设计功率器件，但正在定义下一代AI数据中心的动力总成架构，推动800V高压直流(HVDC)技术转型[1] - 合作伙伴包括英飞凌、MPS、Navitas等半导体厂商，以及台达、施耐德电气等电力系统供应商[1] - 计划2027年推出Rubin Ultra GPU和Vera CPU，淘汰54V机架配电技术以应对千瓦级功率需求[4] 宽带隙半导体技术竞争格局 - 英飞凌被Yole评为电力电子领导者，覆盖SiC、GaN及半导体继电器全技术栈[9][12] - Navitas通过收购GeneSiC强化SiC能力，同时利用GaN技术开发48V至处理器供电方案[13] - Yole预测GaN增速将超SiC，SiC市场约1亿美元而GaN机会更大[16] 800V HVDC技术挑战与创新 - 需开发800V转12V/50V高密度转换器，GaN因高频特性适合中压转换，SiC主导高压环节[6][8] - 新型半导体继电器需求涌现，需解决过流保护问题替代传统机械开关[9] - 固态变压器技术可能重塑电网架构，Navitas布局超高压SiC相关应用[14] 行业生态与标准化进程 - Nvidia的激进路线可能使开放计算项目(OCP)标准过时，导致数据中心兼容性分化[15] - 超大规模企业如谷歌/Meta的应对策略未明，电力电子供应商或需服务多套技术路线[15][16]

氮化镓（GaN）市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务，原因是来自中国大陆厂商的竞争侵蚀利润率，停止200毫米晶圆研发[1] - 力积电接替台积电承接Navitas的GaN订单，计划2026年上半年生产100V系列产品[2] - 英飞凌推进12英寸GaN产线，首批客户样品计划2025年第四季度发布，300毫米晶圆芯片产量比200毫米增加2.3倍[4] - 瑞萨电子暂停碳化硅项目，转向GaN，推出三款650V GaN FET，芯片尺寸缩小14%，导通电阻降低14%[5][6] - ST与英诺赛科深化合作，ST延长禁售期至2026年6月29日，双方签署联合开发和制造协议[8][9][11][12] 中国厂商崛起 - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币，同比增长39.8%，海外收入1.26亿元，占总收入15.3%[14] - 英诺赛科当前晶圆产能1.3万片/月，计划提升至2万片/月[14] - GaN被列入中国"第三代半导体"重点扶持方向，获得政府基金支持[14] 市场前景与挑战 - GaN功率半导体市场2024-2028年复合年增长率预计达98.5%，2028年市场规模将超68亿美元[15] - 消费电子领域GaN市场规模2028年预计达29亿美元，复合年增长率71.1%[15] - 电动汽车领域GaN市场规模2028年预计达34亿美元，复合年增长率216.4%[15] - GaN面临从快充向电动汽车主驱系统等高压核心场景突破的挑战，需解决热管理、封装、电流能力等问题[16][17] - 马自达与ROHM合作开发GaN汽车零部件，计划2027财年实现实际应用[17]

氮化镓市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务，因中国竞争侵蚀利润率[3] - 力积电接替台积电承接Navitas订单，计划2026年上半年生产100V系列GaN产品[4] - 英飞凌推进12英寸GaN产线，首批客户样品计划2025年第四季度发布[5] - 瑞萨电子暂停SiC项目，转向GaN研发，推出三款650V GaN FET[7][8] - ST与英诺赛科深化合作，延长禁售期至2026年6月29日[10][11] 技术发展与市场前景 - GaN具有更高功率密度、更快开关速度和更低能量损耗，适合消费电子和工业应用[5] - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币，同比增长39.8%，海外收入占比15.3%[13] - Frost & Sullivan预测2024-2028年GaN功率半导体市场CAGR达98.5%，2028年市场规模超68亿美元[14] - Yole预计消费电子GaN市场2028年达29亿美元，电动汽车领域达34亿美元[14] 行业竞争格局 - 英诺赛科全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆大规模量产，产能1.3万片/月[13] - Navitas 2024年GaN业务增长超50%，获得超180个GaN充电器设计订单[4] - 中国GaN企业崛起，获政策支持和政府基金注入[13] - 马自达与ROHM合作开发汽车用GaN零部件，计划2027年实现实际应用[16] 应用挑战与机遇 - GaN需从快充等边缘应用迈向电动汽车主驱系统等高压核心场景[2][14] - 主驱电源对温升、EMI、浪涌承受能力要求极高，GaN在热管理等方面仍需提升[15] - GaN器件"驾驭"难度高，系统设计厂商需适配栅极驱动、电磁兼容等问题[16] - 特斯拉、丰田、大众等车企正将GaN用于车载充电器和电池管理系统[16]