超结和FinFET结构
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日本专家:中国SiC,太强了
半导体行业观察· 2025-11-29 10:49
碳化硅行业全球技术挑战 - 器件制造商面临提高8英寸生产线良率的重大挑战,需建立兼容多家供应商晶圆的高良率工艺[2] - 晶圆制造商需降低12英寸晶圆成本并建立评估技术,因商业化进程迅速导致评估技术发展滞后[2] - 在ICSCRM 2025上,关于超结和FinFET结构的报告增多,这些作为下一代器件结构引起关注[2] 中国碳化硅晶圆产业现状 - 中国制造的碳化硅晶圆质量自2022年后迅速提升,现已达到可制造高可靠性器件的水平[3] - 中国晶圆厂商在ICSCRM 2025参展数量庞大,其评估设备和晶体生长设备比其他国家更为先进[3] - 中国凭借非常规制造方法(如电阻加热替代传统感应加热)、政府支持、低电力成本及海外工程师回流迅速崛起[3] 中国碳化硅产业链弱点 - 中国碳化硅行业上下游合作薄弱,公司职责范围分散(如部分只生产晶体生长炉或晶圆),导致无法掌握下游需求[4] - 中国晶圆制造商因需求不明朗,使用其晶圆制造的器件最终质量尚不可知,且存在轻微晶面错位可能导致良率下降[5] - 中国晶圆制造商差异化竞争困难,因晶体生长设备商提供"标准配方",行业可能面临洗牌[5] 日本碳化硅产业竞争力 - 日本在碳化硅各领域研究和技术处于高水平,ICSCRM 2025所有四份受邀海报展示均来自日本团队[5] - 日本碳化硅产业面临年轻人才短缺和大学研究氛围缺乏的问题,研究人员更倾向于新材料而非"逐步提升性能"的碳化硅研究[6] - 日本制胜战略在于综合实力,器件制造商可将硅领域专业知识应用于碳化硅,并维护从晶圆到器件的生态系统以规避政治风险[6] 碳化硅技术未来发展方向 - 未来技术挑战包括控制大直径晶圆的缺陷、翘曲及其他形状偏差,需稳步推进而非突破性创新[6] - 拓展器件应用范围至关重要,日本技术可应用于高压应用、数据中心电源和直流输电等领域[6]