公司破产申请 - 日本晶圆代工厂JS Foundry于7月14日向东京地方法院申请破产[1] - 破产原因是与海外企业就SiC技术合作的资本谈判破裂[2] - 公司负债达1.1亿美元[3] 公司运营情况 - 公司运营一座已有41年历史的晶圆厂，原属三洋，后经安森美半导体转手[3] - 2023年营收6800万美元，但2024年营收大幅下滑至1760万美元[3] - 公司拥有550名员工，成立仅三年[4] 行业背景 - 功率半导体市场受到电动汽车销量放缓和来自中国市场竞争加剧的冲击[4] - SiC专家Wolfspeed上月申请破产[4] - 瑞萨电子放弃了原定今年晚些时候开始生产SiC的计划[4] 政府支持 - 公司得到日本政策投资银行(DBJ)的支持[3] - 日本中央政府和新潟县原计划发放数十亿日元规模的设备投资补贴[4] 公司发展计划 - 公司原计划2025年涉足碳化硅(SiC)功率半导体领域[3] - 由日本央行旗下的摩科瑞投资和产业创生咨询共同创立[4]

瑞萨近期动态 - 瑞萨宣布停止SiC功率半导体生产并解散高崎工厂团队[3] - 将2030年三大战略目标（嵌入式半导体前三、销售额超200亿美元、市值达2022年6倍）推迟至2035年实现[4] - 预计2024年上半年因SiC业务计提17亿美元（约2500亿日元）损失[14] SiC业务调整原因 - 核心合作伙伴Wolfspeed破产重组：2024年10月获15亿美元政府援助但仍于2025年6月申请破产保护[7][8] - 瑞萨与Wolfspeed签订10年20.62亿美元SiC晶圆供应协议，投资转为2.04亿美元可转债及38.7%股权[11][13] - 行业需求疲软：2024年全球SiC衬底营收同比下滑9%至10.4亿美元，欧洲电动车补贴退坡导致订单减少[16][17] 财务与市场表现 - 2025年Q1营收同比下降12.2%至3088亿日元，汽车业务营收下滑12.8%至1553亿日元[26][27] - 2023-2024年连续两年营收下滑：2023年降2.2%至1.47万亿日元，2024年降8.2%至1.35万亿日元[32] - 全球汽车半导体市场2024年收入同比下降1.2%至684亿美元，电动车需求放缓加剧库存压力[38] 战略调整与行业影响 - 裁员5%（约1000人）并推迟加薪计划，回归嵌入式处理技术核心优势[24][29] - 同行普遍受挫：罗姆12年来首现净亏损，英飞凌推迟马来西亚SiC工厂扩建[19][20] - 未来或转向SiC芯片设计外包模式，保留品牌销售[21] 业务结构挑战 - 汽车业务占比52%（2024年），工业/IoT占47%，两大业务均现需求疲软[31][35] - 2024年Q4汽车业务同比下滑13.5%，工业/IoT业务连续多季度萎缩[33][36] - 库存天数减少2天，产能利用率略超预期但仍持保守营收预测（2025年Q2预计同比降15.8%）[39][41]

评级结果与财务表现 - 公司主体信用等级维持A级，评级展望稳定，宏微转债评级为A级 [2] - 2024年公司净利润由盈转亏，亏损0.23亿元，2025年一季度扭亏为盈实现净利润108.37万元 [2][31] - 2024年营业收入同比下降11.52%至13.31亿元，销售毛利率从22.18%降至15.39% [2][18][31] 业务发展与技术进展 - 公司在SiC领域取得突破，2025年一季度SiC产品收入占比超20%，车规级1200V 13mohm SiC MOSFET芯片可提供特性样品 [5][21] - 第七代功率芯片技术产品实现批量交付，包括车规级芯片和工控/光伏应用产品 [5][21] - 设立上海宏微爱赛半导体子公司聚焦第三代半导体研发，定位碳化硅和氮化镓产品方向 [10][21] 行业竞争与市场环境 - 全球功率半导体市场规模2024年下滑8%至468亿美元，预计2029年IGBT市场规模将达145亿美元 [11][17] - 中国功率半导体市场进口依赖度高，车规级IGBT市占率低于20%，光伏储能用IGBT模块海外厂商占80%份额 [12][13] - SiC渗透率快速提升，中国800V平台车型占比从2022年13.7%增至2024年32.9% [17] 产能与供应链 - 2024年末模块产能同比增长43%，但受需求波动影响产能利用率下降 [6][23] - 客户集中度高，前五大客户销售占比66.75%，部分产品依赖英飞凌等外购芯片 [6][20][25] - 原材料价格波动显著，铜底板采购均价同比上涨37.55%，自研芯片代工成本下降34.22% [24] 财务风险与流动性 - 总债务持续攀升，2024年末达10.39亿元，资产负债率58.58%处于同业较高水平 [2][32] - 营运效率弱化，2024年存货周转天数从106天升至139天，应收账款周转天数从90天升至125天 [27] - 现金短期债务比从1.09降至0.75，速动比率从1.05降至0.93，流动性压力加大 [4][32]

行情速递 - 主板领涨个股包括粤传媒(+1004%)、东信和平(+1001%)、吉大正元(+1000%)、格尔软件(+1000%)、元隆雅图(+1000%) [1] - 创业板领涨个股包括兆日科技(+2001%)、川网传媒(+2000%)、惠伦晶体(+1998%) [1] - 科创板领涨个股包括罗普特(+1998%)、新相微(+1323%)、三未信安(+1308%) [1] - 活跃子行业包括SW通信网络设备及器件(+295%)、SW影视动漫制作(+271%) [1] 国内新闻 - 钧联电子完成近亿元人民币A轮融资 资金将用于车规级碳化硅产线产量提升和新能源车电控电驱产品市场拓展 [1] - 小鹏G7搭载自研图灵AI芯片 采用三颗芯片实现L3级算力平台 具备40核处理器/30B模拟参数/2000Tops本地算力 [1] - 成都华微研发HWD12B16GA4型射频直采ADC 实现4通道12位16GSPS性能 达到国际先进水平 [1] - 圣邦微电子推出36V车规级电源电压监测芯片SGM880xQ 最大耐压45V且静态电流低 [1] 公司公告 - 圣邦股份2024年度权益分派方案为每10股派2元转增3股 总股本增至617,900,439股 [3] - 可立克变更募集资金用途 终止三个项目并将17,39116万元转投越南生产基地建设 [3] - 烽火通信2024年度每股派发现金红利0179元 总派发212,020,84958元 [3] - 兴森科技2025年新增借款100,28126万元 占上年净资产比例2032% [3] 海外新闻 - Cellid推出两款新型高亮度波导产品 配套软件校正技术提升AR图像质量 [3] - 2025Q1全球前十大晶圆代工公司总收入3643亿美元 环比下降54% [3] - 半导体晶圆市场2023年价值1757亿美元 预计2032年达2673亿美元 2025-2032年CAGR480% [3] - 本田计划投资Rapidus数十亿日元 锁定自动驾驶芯片本土供应 预计2025财年下半年实施 [3]

碳化硅行业合作动态 - 天科合达、天岳先进、同光股份等18家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[2] - 赛米控丹佛斯与中车时代半导体签署合作备忘录，双方将在功率模块芯片技术开发与供应领域展开合作，旨在提升电力电子系统性能、可靠性和效率[3] - 中车时代半导体将持续加大研发投入，在IGBT、碳化硅及双极型芯片等领域为赛米控丹佛斯提供最先进产品[3] - 杰平方半导体与深圳奥斯达克电气技术签署碳化硅战略合作协议，并共同成立"杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心"[4] - 杰平方半导体已开发多款针对重卡、工程机械、新能源汽车市场的SiC功率器件产品，其50kW DC/DC电源和36KW高压DC/DC电源已在挖掘机、重型矿卡等行业实现批量装机[6] - 杰平方SiC功率器件设计的850V转27.5V-6KW DCDC电源和特高压1500V转380V DCDC电源已在燃料电池系统/无人驾驶系统/工程机械等行业实现批量装机[6] 功率半导体技术合作 - 季丰电子、林众电子、瞻芯电子达成战略合作，三方将共建功率半导体领域联合实验室，聚焦技术研发、测试分析与产业服务[7] - 联合实验室将重点开展功率半导体（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、产品测试、晶圆磨划等领域合作[9] - 瞻芯电子是一家聚焦碳化硅半导体领域的高科技芯片公司，拥有一座车规级碳化硅晶圆厂，致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品[9] 行业发展趋势 - 多家企业参与碳化硅产业调研白皮书编制，显示行业对碳化硅技术发展的重视[2] - 企业间技术合作日益频繁，涵盖芯片研发、功率模块、应用解决方案等多个环节[3][4][7] - 碳化硅功率器件在重卡、工程机械、新能源汽车等领域的应用已实现批量装机，市场渗透率逐步提升[6]

AR眼镜市场与碳化硅材料应用 - 2024年全球AR眼镜出货量达55.3万副，同比增长7.8%，其中中国出货28.6万副 [2] - 光学显示系统占AR眼镜成本40%+，为价值量最大部件 [2] - 表面浮雕光栅波导(SRG)为未来主流方案，SiC衬底可解决其色散和彩虹纹问题 [2][3] 碳化硅(SiC)材料技术优势 - SiC具备高折射率，单层镜片可实现80度以上FOV，同时实现轻薄化与大视野 [1][3] - 高折射率有效解决光波导中的彩虹纹和色散问题 [1][3] - 高热导性提升AR眼镜散热能力与性能表现 [3] - 高硬度和热稳定性支持刻蚀工艺，提升产能与良率 [3] AR眼镜技术发展趋势 - SiC+SRG光波导+刻蚀工艺为技术突破核心，解决光损并实现被动散热 [3] - 12寸SiC衬底量产为降本关键，可减少切削损耗并推动消费级市场普及 [4] - 若AR眼镜出货量达1亿台，需12寸SiC衬底超1000万片 [4] 行业投资方向 - 重点推荐碳化硅衬底相关企业晶盛机电、天岳先进 [5]

AR眼镜行业概述 - AR眼镜是AI应用的完美载体，能够实现虚拟信息与现实世界的完美融合，2024年全球AR眼镜出货量达到55.3万副，同比增长7.8%，其中中国出货28.6万副 [3][10][13] - 光学显示系统是AR眼镜的核心部件，占整个成本的40%以上，由光学组合器和微显示屏组成 [3][19] - 中国企业占据全球AR眼镜近八成市场份额，2023年前四位国内品牌合计市场份额约78% [14][16] 光波导技术发展 - 表面浮雕光栅波导(SRG)是目前最适合量产的方案，具有成本可控、工艺成熟、光学性能优秀等特点，即将推出的主流AR眼镜均采用该方案 [3][47][49] - SRG方案可实现二维扩瞳，视场角可达52度，换用SiC材料后可达80度以上 [48] - 相比几何反射波导和全息体光栅波导，SRG在量产难度、光学效率和制造工艺等方面具有综合优势 [48] 碳化硅材料应用 - 碳化硅材料因其高折射率(2.6以上)和高热导性(490 W/m·K)成为理想AR镜片材料，单层镜片即可实现80度以上FOV [54][60] - 碳化硅材料能有效解决光波导结构中的彩虹纹问题，通过减小光栅周期使色散角差异降低约40% [58] - 碳化硅的高导热性使AR眼镜可简化散热设计，实现轻量化，支持高亮度显示和长时间稳定运行 [60] 制造工艺突破 - 刻蚀工艺配合碳化硅材料可实现更大视场角和更佳光学性能，完全兼容现有半导体加工工艺 [74] - 12寸半绝缘型碳化硅衬底片可大幅降低切削损耗，单副眼镜成本可从1500元降至1000元 [90][92] - 晶体生长是半绝缘型碳化硅衬底制造的核心工艺，12寸晶锭生长周期需数周，温度需控制在±1℃以内 [97] 市场发展趋势 - 预计到2028年AR眼镜出货量有望突破295万副，产业化趋势可参考可穿戴设备 [12][13] - Meta、雷鸟等厂商已推出采用碳化硅波导的AR眼镜，雷鸟X3Pro有望成为首个量产型产品 [64][82] - 若未来AR眼镜出货量达1亿台，预计需要12寸碳化硅衬底约1000万片以上 [3]

报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 - AR眼镜是AI应用的完美载体，2024年全球出货量达55.3万副，中国厂商占据近八成市场，预计到2028年出货有望突破295万副 [17][18] - 表面浮雕光栅波导是AR眼镜光学显示系统的未来主流趋势，结合技术水平和量产难度，是最现实也最有前景的量产方案 [2][57] - 碳化硅材料具备高折射率、高热导性，成为AR眼镜镜片的理想基底材料，可提升FOV、解决彩虹纹和色散问题、提升散热能力和性能表现 [2][66] - SiC+SRG光波导+刻蚀工艺是AR眼镜取得重大进展的技术基础，可提升AR眼镜的FOV、解决光损现象、实现轻薄化设计和较好的被动散热能力 [2][98] - AR眼镜镜片需要半绝缘型碳化硅衬底片，大尺寸衬底片成为降本关键，突破12寸衬底片量产工艺，才能实现碳化硅基底成本下降，带动AR眼镜进入大众消费级市场 [2][104] - 重点推荐晶盛机电、天岳先进 [2] 根据相关目录分别进行总结 AR眼镜是AI应用的完美载体，可以结合虚拟和现实 - AR眼镜是将虚拟信息叠加到现实世界中的智能穿戴设备，核心在于虚拟信息与现实世界的完美融合，与VR眼镜有明显区别 [10] - 2024年全球AR眼镜出货量达到55.3万副，同比+7.8%，其中中国2024年出货28.6万副，预计到2028年出货有望突破295万副 [17] - 中国企业占据全球AR眼镜近八成市场，2023年全球AR市场份额前四位均为国内品牌，共占据市场份额约78% [18] - 光学显示系统为AR眼镜的核心，由光学组合器和微显示屏组成，约占整个AR眼镜成本的40%+ [26] - AR眼镜追求更轻、更亮、能耗更低、视场角更大，对镜片材料的各项参数有一定要求 [27] 光波导结构：表面浮雕光栅波导为主流方案 - AR眼镜的组合器可分为自由空间反射与光波导结构两大类，目前光波导方案属于行业主流技术路线 [30] - 自由空间反射结构包括自由曲面方案和BirdBath方案，前者镜片厚度难压缩、存在局部图像畸变等问题，后者透光率低、入眼亮度衰减严重 [34][38] - 光波导结构的核心在于扩瞳，包括几何反射波导、表面浮雕光栅波导SRG和全息光栅波导VHG三种路线 [42] - 几何反射波导方案目前量产难度较大，存在结构缺陷及量产难题 [46] - 全息体光栅波导VHG是未来最理想的AR镜片方案，但目前量产难度较大 [49] - 表面浮雕光栅波导SRG目前较为适合量产，可实现二维扩瞳，获取AR眼镜设计上更大的自由度，结合技术难度与量产成本考量，是AR镜片最有前景的量产方案 [56][57] 碳化硅材料：高折射率与高热导性成为最理想AR镜片材料 - 碳化硅材料折射率可达2.6以上，单层镜片即可实现80度以上FOV，可提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果 [66] - 碳化硅的高折射率可解决光波导结构中的彩虹纹问题，实验数据表明，使用碳化硅衬底的衍射光波导，在可见光波段的色散角差异可降低约40%，彩虹纹主观感知强度下降超过60% [70] - 碳化硅的热导率远高于传统光学材料，能够快速传导热量，避免局部温度过高导致的性能下降或器件损坏，还可简化散热设计进而实现轻量化设计 [73] - 科技大厂陆续布局AR眼镜，有望加速AR眼镜+碳化硅波导产业化，雷鸟X3Pro有望成为第一个量产型碳化硅AR眼镜 [77] 光波导制造：配合碳化硅引入刻蚀工艺，实现批量稳定生产 - 几何反射波导通常采用简单的光学器件生产方式，难点在于镀膜和胶合工艺，大大限制了总成良率 [80] - 传统以玻璃+树脂作为基底的SRG一般采用纳米压印工艺，存在易形成加工误差、对材料热塑性要求强等缺陷 [86] - 刻蚀工艺可配合碳化硅材料实现更大视场角和更佳光学性能，且完全兼容现有半导体加工工艺，加工精度和稳定性更高 [87] - SiC材料+刻蚀工艺视场角大于树脂材料+纳米压印工艺，刻蚀工艺初始成本高于纳米压印工艺，但未来刻蚀成本有望摊薄 [94] - SiC+SRG光波导+刻蚀工艺是AR眼镜取得重大进展的技术基础，但目前限制SiC材料广泛应用于AR眼镜的主要原因是SiC镜片成本 [98] 半绝缘型碳化硅衬底片：12寸为未来突破方向 - AR眼镜所用的碳化硅衬底为透明的半绝缘型，因其极低自由载流子浓度和宽光谱透明性，是AR眼镜光波导的理想材料 [101] - 12寸衬底片碳化硅裁切浪费更少，能够切更多镜片，从而降低成本，对应单副眼镜成本从1500元左右下降至1000元左右 [104] - 半绝缘型碳化硅衬底制造流程主要包括晶体生长、晶锭加工与切片、研磨抛光、清洗，晶体生长是核心工艺 [110] - 半绝缘型碳化硅衬底制造难点在于晶体生长环节的长晶速率、温度均匀性、纯度与掺杂，以及切削抛环节的表层裂纹损伤、翘曲开裂、材料利用率 [111] - 电阻法更适合大尺寸（8寸和12寸）晶体生长，其坩埚内部的径向温度梯度较小 [116] - 半绝缘型碳化硅衬底片生产过程主要需要用到粉料合成设备、单晶生长炉等设备，从导电型产线转换难度不大，但目前的重点和难度仍然在12寸大尺寸半绝缘型碳化硅衬底片的良率和产能提升上 [120] - 预计若未来AR眼镜出货量1亿台时，所需12寸碳化硅衬底约1000万片+，未来伴随AR眼镜放量，碳化硅衬底市场空间广阔 [123] - 2024年国内龙头衬底年产能超153万片，陆续开始布局12寸，随着搭载碳化硅波导的AR眼镜产业化进程加速，12寸衬底有望成为主流选择 [126] 投资建议 - 重点推荐晶盛机电、天岳先进 [2] - 晶盛机电与XREAL达成战略合作，已建成国内第一条12寸光学碳化硅产线，预计2025Q3开始小批量出货 [129][131]

行业背景与机遇 - 全球能源转型与智能化浪潮推动功率半导体行业变革 碳化硅(SiC)、IGBT、MOSFET等关键产品成为各行业转型升级的核心动力 [1] - "双碳"目标、可再生能源、新能源汽车爆发(年增长率未披露)、工业自动化及大数据中心快速发展催生对高效低功耗功率半导体的迫切需求 [1] 公司战略定位 - 瑞能半导体定位为全球功率半导体领域佼佼者 聚焦消费电子/工业大数据/可再生能源/汽车电子四大场景 技术布局覆盖智能物联/绿色能源/可靠创新三大领域 [1][5] - 公司以创新驱动产业升级为目标 通过优化客户体验/提升运营效率/强化核心技术迭代助力制造业智能化与碳中和 [4][7] 核心技术突破 - SiC器件实现98%充放电效率(业界领先) 顶部散热封装设计使散热效率较传统方案提升10℃ [7] - IGBT技术通过优化设计提升开关速度与可靠性 降低能耗形成独特竞争力 [7] - 重点发展车规级SiC产品(二极管/MOSFET)、工业用AI服务器碳化硅器件及超结MOSFET等方向 [7] 产品矩阵与应用 - 产品组合包括SiC器件/可控硅整流器/快恢复二极管/TVS/ESD/IGBT模块等 覆盖消费电子/工业制造/新能源/汽车领域 [5] - 可再生能源领域：IGBT与SiC器件提升太阳能/风能转换效率 [7] - 汽车电子领域：MOSFET与SiC模块为新能源汽车电机驱动/电池管理提供保障 [7] 市场布局与产能 - 中国市场份额从50%-60%提升至70% 仓库从香港迁至东莞缩短交付周期 [9] - 北京新建6英寸晶圆厂(高压高功率二极管)与吉林5英寸厂协同 总产能提升一倍以上 [9] - 采用"全球视野+本地深耕"模式 欧洲及亚太市场持续拓展 [8][9] 2025年发展规划 - 新能源汽车领域目标进入全球SiC MOS管供应商前十 重点扩大车载充电桩/逆变器市场份额 [10] - 可再生能源领域深化光伏逆变器/储能系统解决方案 推动SiC与IGBT复合模块规模化应用 [10] - 数据中心领域开发低损耗高频化器件适配AI计算需求 [10]

合资项目进展 - 意法半导体（ST）与三安光电在重庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（安意法半导体有限公司）正式通线 [1] - 项目包括8英寸SiC功率器件合资制造厂和三安独立运营的8英寸SiC衬底制造厂 [1] - 合资厂采用ST专有SiC制造工艺技术，全面落成后总投资预计达230亿元人民币（32亿美元） [4] - 项目规划2025年Q4投产，2028年达产，将成为国内首条8英寸车规级SiC功率器件规模化量产线 [4][6] 技术优势与产业影响 - 8英寸SiC晶圆相比6英寸有效面积增加近一倍，可提供1.8-1.9倍工作芯片数量，显著降低成本 [6] - ST拥有25年SiC研发经验，2021年已产出高质量8英寸SiC晶圆，缺陷率极低 [6] - 项目将形成完整本土化8英寸SiC供应链（衬底-外延-晶圆-封装），提升中国供应链韧性 [7] - 预计到2029年全球功率SiC器件市场达100亿美元，其中汽车/运输领域占80亿美元 [3] 战略布局 - ST在中国已实现完整产业链部署，包括与华虹合作生产40nm节点MCU产品 [10] - 深圳封装测试厂（STS）贡献ST全球超50%后端产能，累计专利110多项 [11] - 公司在中国设立7个技术创新中心，覆盖物联网/电动汽车/AI等战略领域 [11] - 本地化战略包括"中国设计、中国创新、中国制造"，组建本土研发团队开发汽车级MCU等产品 [10][11] 区域经济效应 - 项目将推动重庆形成SiC产业集群，产生"头雁"效应，助力当地产业转型升级 [4] - 重庆作为重要新能源汽车产业基地，项目将完善当地功率半导体产业链 [4] - 合资厂将为中国新能源车/工业电源/能源市场提供高性价比SiC解决方案 [1][6]