闪存技术发展趋势 - PCIe 5 0 SSD加速普及 理论带宽相比PCIe 4 0翻倍 最高可达32GT/s 能够满足数据中心 高性能计算和AI训练等场景需求 [2] - AI驱动存储变革 大容量和超高速SSD需求激增 2025年AI PC在总出货量中的占比将从2024年的17%大幅上升至43% 2024年至2028年支持AI的PC出货量复合年增长率将达到44% [3] - 低功耗设计成为关键 数据中心 边缘设备和移动设备均需优化功耗以控制运营成本并满足散热要求 [4] 忆联技术创新实践 - 推出PCIe 5 0企业级SSD UH812a/UH832a 具有更低延迟和超高带宽 为大模型训练 大数据应用 云计算服务和金融交易等场景提供保障 [5] - 推出2TB大容量消费级SSD 搭载AM541的PC首次加载DeepSeek-R1 8B模型时间仅为2 486秒 领先国内一线SSD厂商同类产品约9% [7] - 通过极致散热设计和全链路功耗优化 企业级SSD实现更优TCO和智能功耗管理 有效降低用户运营成本 [9][10] 技术基座与支撑体系 - 企业级存储创新中心包括软测实验室和硬件实验室 可开展从软件研发到芯片 硬件及软件测试等全方位实验测试任务 [11] - 消费级存储实验室规模和设备先进性领先业界 可开展性能 兼容性 环境应力及可靠性等全生命周期测试项目 [12] - 自研天工智能生产制造平台支持500+设备并发测试 支撑产品年千万级发货量的稳定交付 [15] 闪存产业未来变革 - 存储产业从"规模扩张导向"转向"价值创造型生态" 技术创新涵盖架构重构 协议升级与能效优化的全栈协同 [16] - 公司深化研发投入 加速推进智能存储架构迭代升级 构建智能高效 绿色可持续的下一代数据存储生态系统 [16]

存储卡行业标准演变 - 1984年闪存技术突破为存储卡发展奠定基础，NAND闪存推动1994-2000年存储卡形态爆发[15] - 早期存储卡规格竞争激烈：1994年闪迪推出3.3mm厚的CF卡[17]，1995年东芝发布0.76mm超薄SM卡[20]，1997年MMC卡缩小至指甲盖大小[22] - 1998年索尼推出封闭生态的记忆棒，读写速度碾压同期产品但价格高昂[24][26] - 1999年松下/东芝/闪迪组建SD协会推出SD卡，价格仅为记忆棒1/6并通过开放授权迅速占领市场[26][28] - 物理规格战争以SD卡胜利告终，衍生出Mini SD和Micro SD，索尼2006年推出Micro SD适配器变相妥协[30][31] 存储卡技术标准体系 - 容量标准迭代：SD(2GB)→SDHC(32GB)→SDXC(2TB)→SDUC(128TB)，文件系统从FAT12/16升级至exFAT[38][41] - 速度等级标识三重体系：Class分级(C2-C10)、UHS分级(U1/U3)、Video分级(V6-V90)，分别对应不同时代需求[48][49][50] - 接口版本决定理论速度上限：UHS-I接口最大104MB/s，UHS-II接口达312MB/s，需设备支持才能发挥性能[53][56] - 随机读写性能分级：A1标准(1500/500 IOPS)和A2标准(4000/2000 IOPS)影响手机/Switch等设备的应用加载速度[56][58] 当前行业痛点与选购逻辑 - 标准叠加导致标识混乱：同一张卡可能同时存在Class 10、U3、V30等冗余标识[60][62] - 厂商营销词汇加剧认知难度，如Professional/Extreme Pro等跨品牌无统一标准[62] - 选购核心逻辑：先匹配设备支持的容量标准(SD/SDHC/SDXC)，再根据用途选择速度等级（相机重V等级，手机重A2随机读写）[37][45][59] - 技术迭代与标准碎片化并存，行业需推动标识简化与标准整合[34][64] 接口技术对比参考 - 全功能USB-C支持10Gbps传输/100W充电/4K 120Hz视频[5] - USB4 V2.0实现80Gbps传输/240W充电/8K 120Hz视频，雷电5同等性能但额外支持64Gbps PCIe传输[5] - 雷电接口持续领先：雷电3(20-40Gbps)→雷电4(40Gbps)→雷电5(80Gbps)，视频输出能力同步提升[5]

文章核心观点 闪迪完成独立公司上市进程，凭借先进闪存技术具备系统级领导力，在人工智能带来存储需求增长背景下，于CFMS | MemoryS 2025峰会上展示多款产品以把握市场机会并助力行业发展 [1][5][10] 闪迪公司概况 - 闪迪是全球领先的闪存及先进存储技术创新企业，能为多领域提供高性能、高功效产品和解决方案 [1] - 闪迪继承原始DNA，将以系统级领导地位解决现实问题 [2] 系统级领导力 - 系统级领导力由先进闪存技术等关键要素决定，包括CBA和QLC等，QLC使闪迪实现业内领先单层比特密度，CBA是将CMOS晶圆和单元阵列晶圆分别制造后结合的技术 [5][6] - 闪迪与铠侠携手公布的3D闪存结合多项先进技术，相比第8代3D闪存NAND接口速度提升33%达4.8Gb/s，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，实现高性能与低功耗平衡 [7] - 闪迪产品因先进封装、测试、固件及工作负载在能效方面有很强领导力，引领系统级收益 [7] 人工智能带来的存储机会 - ChatGPT出现后人工智能引发全球轰动，引爆计算和存储需求，智能驾驶汽车推进也创造存储契机 [9] - 2025年在AI服务器需求带动下，全球DRAM和NAND闪存销售收入同比增长85.53，达1670亿美元，预计全球存储市场产值将继续增长 [10] - AI在内容创作、端侧应用、汽车领域等带来存储需求，云、AI PC、AI Phone等也带来新机会 [10][11] - 闪存技术是支撑前沿领域发展关键，闪迪将发挥全栈技术优势助力构建数据基础设施，释放数据价值 [12] 多款产品亮相 移动端 - 闪迪推出iNAND MC EU711嵌入式闪存驱动器，采用高性能NAND技术和UFS 4.1标准，为移动智能终端带来优化存储体验，助力释放AI潜力 [16][17] 数据中心 - 企业级SSD Sandisk DC SN861采用PCIe Gen 5接口，随机读写表现卓越，容量达16TB，适用于大语言模型训练等，能耗低，功能丰富，已通过相关认证 [18] 汽车产业 - AT EN610 NVMe SSD是车规级高性能存储解决方案，支持宽温，采用大容量TLC闪存，有SLC模式配置选择，使用M.2 1620 BGA封装，容量达1TB [20] - Sandisk iNAND AT EU752 UFS 4.1嵌入式闪存驱动器是首款采用UFS 4.1标准的车规级产品，性能预计达UFS 3.1产品两倍以上，容量达1TB，推动汽车领域AI创新 [22] PC终端消费者 - WD_BLACK SN7100 NVMe SSD针对主流游戏玩家，采用TLC 3D NAND技术，顺序读取速度达7,250MB/s、写入速度达6,900MB/s（1 - 2TB容量版本），性能提升约35%，能效提升约100% [23] - WD Blue SN5000 NVMe SSD为内容创作者与专业人士打造，能处理繁重工作流程，顺序读取速度达5,150MB/s、写入速度达4,900MB/s（500GB - 2TB容量版本），采用DRAM - less架构和低功耗设计，耐久度900TBW，有三种容量版本 [25] - 闪迪还提供容量高达8TB的WD_BLACK SN850X NVMe SSD满足不同场景需求 [22]