三星电子MLC NAND闪存停产计划 - 三星电子计划下个月接受最后的MLC NAND芯片订单并即将停产该产品 [1] - 公司同时向部分客户通报了MLC涨价计划促使客户寻找替代供应商 [1] 客户供应链调整 - LG Display正在物色替代三星的MLC NAND供应商主要针对4GB eMMC产品 [3] - LGD原有供应商中晶豪科技依赖三星MLC NAND封装铠侠为自产MLC供应商三星停产后仅剩铠侠一家 [3] - 三星等公司供应的4GB eMMC价格约为2美元（约14.4元人民币）因停产导致价格立即上涨 [3] 行业技术趋势 - MLC NAND在三星电子销售额中占比极低业务终止属于自然过程 [5] - 三星将资源集中于TLC和QLC产品线TLC目前占全球NAND闪存市场62%份额 [5]

在AI算力爆发式增长驱动千行百业智能升级的进程中，数据存储体系正面临性能、容量与能效的三重 考验。在今年3月举办的2025中国闪存市场峰会(CFMS)上，行业专家和各大厂商进一步对存储的技术创 新和未来趋势做了深入阐述。忆联作为长期深耕存储行业的技术驱动型企业，始终紧跟技术前沿，并在 产品创新和市场布局上保持领先。 本文将结合峰会风向，分析闪存技术的发展趋势，以及忆联如何以技术创新推动产业变革。 闪存技术三大趋势 本次峰会清晰呈现了存储行业正在经历的深刻变革，通过与会专家的分享和展示，可以梳理出以下关键 技术创新方向： 由DeepSeek带来的2025开年第一大热点，对算力、存储需求都带来了广泛而深远的影响。大模型部署 需求激增，也进一步推高了对SSD性能的需求。峰会上，多家厂商展示了基于PCIe 5.0接口的SSD产 品。PCIe 5.0理论带宽相比PCIe 4.0翻倍，最高可达32GT/s，能够更好地满足从数据中心、高性能计算 (HPC)到AI训练等场景的需求。 AI驱动存储变革，容量性能成关键 人工智能应用对消费级、个人PC产业的影响不断深化，带来对具备AI算力的终端设备(即AI PC)的需求 激增，其 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 今天下午，上市公司河北养元智汇饮品股份有限公司对外发布公告称，公司投资了长江存储 科技控股有限责任公司（以下简称"长控集团"或"标的公司"）。公告指出，本次投资金额为 人民币 16 亿元。本次交易完成后，公司控制的芜湖闻名泉泓投资管理合伙企业（有限合 伙）（以下简称"泉泓投资"）持有长控集团0.99%的股份。 据企查查消息透露，本次的被投标的是"长江存储科技控股有限责任公司"法人为陈南翔，旗下公 司包括长江存储科技有限责任公司、武汉新芯集成电路股份有限公司以及宏茂微等一系列子公 司。其中长江存储科技有限责任公司就是我们平时俗称的"长江存储"，也就是国内3D NAND的 唯一供应商。 至于本次被投标的是其母公司。换而言之，我们不能通过这个投资金额和在公司中的股份占比粗 暴计算"长江存储"的估值。而在引入了包括河北养元智汇饮品股份有限公司及一系列的新股东之 后，"长控集团"股东更多元化，为"长江存储"后续的发展打开了一个新局面。 官网资料显示，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于"江城"武汉，是一家集 芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体 ...

存储卡行业标准演变 - 1984年闪存技术突破为存储卡发展奠定基础，NAND闪存推动1994-2000年存储卡形态爆发[15] - 早期存储卡规格竞争激烈：1994年闪迪推出3.3mm厚的CF卡[17]，1995年东芝发布0.76mm超薄SM卡[20]，1997年MMC卡缩小至指甲盖大小[22] - 1998年索尼推出封闭生态的记忆棒，读写速度碾压同期产品但价格高昂[24][26] - 1999年松下/东芝/闪迪组建SD协会推出SD卡，价格仅为记忆棒1/6并通过开放授权迅速占领市场[26][28] - 物理规格战争以SD卡胜利告终，衍生出Mini SD和Micro SD，索尼2006年推出Micro SD适配器变相妥协[30][31] 存储卡技术标准体系 - 容量标准迭代：SD(2GB)→SDHC(32GB)→SDXC(2TB)→SDUC(128TB)，文件系统从FAT12/16升级至exFAT[38][41] - 速度等级标识三重体系：Class分级(C2-C10)、UHS分级(U1/U3)、Video分级(V6-V90)，分别对应不同时代需求[48][49][50] - 接口版本决定理论速度上限：UHS-I接口最大104MB/s，UHS-II接口达312MB/s，需设备支持才能发挥性能[53][56] - 随机读写性能分级：A1标准(1500/500 IOPS)和A2标准(4000/2000 IOPS)影响手机/Switch等设备的应用加载速度[56][58] 当前行业痛点与选购逻辑 - 标准叠加导致标识混乱：同一张卡可能同时存在Class 10、U3、V30等冗余标识[60][62] - 厂商营销词汇加剧认知难度，如Professional/Extreme Pro等跨品牌无统一标准[62] - 选购核心逻辑：先匹配设备支持的容量标准(SD/SDHC/SDXC)，再根据用途选择速度等级（相机重V等级，手机重A2随机读写）[37][45][59] - 技术迭代与标准碎片化并存，行业需推动标识简化与标准整合[34][64] 接口技术对比参考 - 全功能USB-C支持10Gbps传输/100W充电/4K 120Hz视频[5] - USB4 V2.0实现80Gbps传输/240W充电/8K 120Hz视频，雷电5同等性能但额外支持64Gbps PCIe传输[5] - 雷电接口持续领先：雷电3(20-40Gbps)→雷电4(40Gbps)→雷电5(80Gbps)，视频输出能力同步提升[5]

文章核心观点 闪迪完成独立公司上市进程，凭借先进闪存技术具备系统级领导力，在人工智能带来存储需求增长背景下，于CFMS | MemoryS 2025峰会上展示多款产品以把握市场机会并助力行业发展 [1][5][10] 闪迪公司概况 - 闪迪是全球领先的闪存及先进存储技术创新企业，能为多领域提供高性能、高功效产品和解决方案 [1] - 闪迪继承原始DNA，将以系统级领导地位解决现实问题 [2] 系统级领导力 - 系统级领导力由先进闪存技术等关键要素决定，包括CBA和QLC等，QLC使闪迪实现业内领先单层比特密度，CBA是将CMOS晶圆和单元阵列晶圆分别制造后结合的技术 [5][6] - 闪迪与铠侠携手公布的3D闪存结合多项先进技术，相比第8代3D闪存NAND接口速度提升33%达4.8Gb/s，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，实现高性能与低功耗平衡 [7] - 闪迪产品因先进封装、测试、固件及工作负载在能效方面有很强领导力，引领系统级收益 [7] 人工智能带来的存储机会 - ChatGPT出现后人工智能引发全球轰动，引爆计算和存储需求，智能驾驶汽车推进也创造存储契机 [9] - 2025年在AI服务器需求带动下，全球DRAM和NAND闪存销售收入同比增长85.53，达1670亿美元，预计全球存储市场产值将继续增长 [10] - AI在内容创作、端侧应用、汽车领域等带来存储需求，云、AI PC、AI Phone等也带来新机会 [10][11] - 闪存技术是支撑前沿领域发展关键，闪迪将发挥全栈技术优势助力构建数据基础设施，释放数据价值 [12] 多款产品亮相 移动端 - 闪迪推出iNAND MC EU711嵌入式闪存驱动器，采用高性能NAND技术和UFS 4.1标准，为移动智能终端带来优化存储体验，助力释放AI潜力 [16][17] 数据中心 - 企业级SSD Sandisk DC SN861采用PCIe Gen 5接口，随机读写表现卓越，容量达16TB，适用于大语言模型训练等，能耗低，功能丰富，已通过相关认证 [18] 汽车产业 - AT EN610 NVMe SSD是车规级高性能存储解决方案，支持宽温，采用大容量TLC闪存，有SLC模式配置选择，使用M.2 1620 BGA封装，容量达1TB [20] - Sandisk iNAND AT EU752 UFS 4.1嵌入式闪存驱动器是首款采用UFS 4.1标准的车规级产品，性能预计达UFS 3.1产品两倍以上，容量达1TB，推动汽车领域AI创新 [22] PC终端消费者 - WD_BLACK SN7100 NVMe SSD针对主流游戏玩家，采用TLC 3D NAND技术，顺序读取速度达7,250MB/s、写入速度达6,900MB/s（1 - 2TB容量版本），性能提升约35%，能效提升约100% [23] - WD Blue SN5000 NVMe SSD为内容创作者与专业人士打造，能处理繁重工作流程，顺序读取速度达5,150MB/s、写入速度达4,900MB/s（500GB - 2TB容量版本），采用DRAM - less架构和低功耗设计，耐久度900TBW，有三种容量版本 [25] - 闪迪还提供容量高达8TB的WD_BLACK SN850X NVMe SSD满足不同场景需求 [22]