调研基本信息 - 调研时间为 2025 年 7 月 23 日 15:30 - 18:00，地点在江苏省苏州市苏州工业园区星海街 33 号旗下高端封测制造基地（元成科技（苏州）有限公司） [2][3] - 参与调研的是 28 家机构代表，上市公司接待人员为副总经理、财务负责人朱宇和副总经理、董事会秘书许刚翎 [2][3] 收入与市场前景 - 公司收入规模占全球半导体存储市场规模较低，企业级存储、高端消费类存储处于高速增长初期，成长空间大 [3] - 企业级存储业务 2024 年实现超 600%收入增长，2025 年一季度收入实现超 200%快速增长 [3] - 与闪迪合作推出 UFS 产品及解决方案，有望扩大在嵌入式存储市场领先地位，提升高端存储市场占有率 [3] 盈利水平展望 - 积极推进 TCM 模式应用，已与传音、ZTE 等 Tier1 客户达成合作，未来将在主要大客户合作上持续突破 [3] - TCM 模式可降低价格波动影响，提升公司盈利能力 [3] 企业级存储竞争优势 - 是国内少数具备“eSSD + RDIMM”产品设计、组合及规模供应能力的企业 [4] - 企业级存储产品获不同行业知名客户认可，适配性和可靠性强，能满足高性能和定制化需求 [4] - 随着 AI 应用加速，国产企业级存储产品需求增加，公司企业级业务有望在重要客户处取得突破 [4] 主控芯片研发 - 多年前布局自研主控芯片，推出多款应用于不同存储产品的主控芯片 [4] - 搭载自研主控芯片的存储产品有性能和功耗优势，如 UFS4.1 产品顺序读写和随机读写性能优于市场主流产品 [4] - 2025 年自研主控芯片出货规模将明显放量增长，同时保持与第三方主控芯片厂商合作 [4] 技术储备与专利合作 - 截至 2024 年 12 月 31 日，获得专利 570 项，软件著作权 138 项，集成电路布图设计 11 项 [5] - 已获得多种存储产品标准必要专利，并与众多晶圆原厂和行业头部独立存储器企业达成专利授权合作 [5] 市场价格趋势 - 2025 年第一季度后半期存储产品市场价格及预期上扬，下游需求实质性增长，市场自 3 月底逐步回暖 [6] - 预计第三季度服务器和手机等领域存储产品价格仍具上行动能 [6] 公司合作与产业链定位 - 在存储器环节技术积累深厚，能满足高性能和定制化需求，提供高附加值 [6][7] - 将发展为连接上游晶圆原厂与终端应用市场的重要桥梁，与闪迪的合作体现技术实力与产业定位 [7] - 与产业重要参与者深度合作，强化在存储生态中的独特地位和产业竞争地位 [7]

企业级存储业务 - 公司结合自研固件与国产存储颗粒形成完善国产化方案，部分产品通过头部客户验证并进入供应链体系，预计行业国产化趋势将提速 [2] - 公司企业级产品在性能、兼容性及可靠性等方面形成差异化优势，采用联合定制开发模式，为特定场景提供定制化解决方案 [2] 嵌入式存储业务 - 上市后公司推动嵌入式存储业务发展，推出多种产品，随着客户验证推进，产品导入带动销售规模快速增长 [3] - 今年公司聚焦手机领域推动产品落地，已进入行业知名品牌商客户供应链体系，有望释放业务增长潜力 [3] 消费级存储业务 - 上市后公司拓展消费级产品矩阵，涵盖四大产品线多种产品 [4] - 未来公司将依托自研主控芯片技术优势，优化产品性能与品质，拓展客户渠道，探索新兴消费场景存储解决方案 [4] 存储周期趋势 - 存储行业在供需结构优化、技术创新驱动下进入良性通道，自2024年底原厂优化产能布局，叠加需求增长与产品升级，下游库存去化，行业基本面改善 [5] - 2025年一季度存储价格趋于稳定，3月底逐步回暖，预计全年稳步复苏 [5] SSD销售规模增长因素 - 公司固态硬盘业务增长得益于响应市场需求、研发投入优化产品矩阵、强化供应链管理能力，以及依托国产化趋势与新兴应用场景拓展市场空间 [6] 库存策略 - 公司库存保持中性策略，供应链交付中心根据业务反馈和市场价格制定采购计划，提升库存周转 [8] - 随着业务规模增长和产品线拓展，公司调整优化库存结构，增加部分颗粒采购，保障新业务发展 [8] 活动参与机构 - 嘉实基金、汇添富基金、华夏基金等18家机构参与活动 [11]

存储器价格趋势 - 存储器价格在2025年一季度和第二季度企稳反弹 [1] - 海力士DRAM颗粒价格上涨约12% [2] - SanDisk闪存价格从4月1日起上调超过10% [2] - 通用DRAM DDR4 8Gb产品固定交易价格较3月上涨22.22% [2] DRAM与闪存定义及应用 - DRAM颗粒是存储设备核心组件，用于存储二进制数据，广泛应用于计算机、手机、SSD等设备 [4] - DRAM模块包含多个颗粒、控制电路等，通过总线与CPU通信 [5] - DRAM在PC和手机中用于内存条、显存及运行内存，特点是断电后数据丢失 [6] - 闪存用于长期存储静态数据，如SSD、U盘、手机存储等 [9] - 计算机同时依赖DRAM（运行程序）和闪存（保存文件） [10] 消费级存储器涨价 - 此次涨价主要为消费级品类，面向手机、PC等个人电子设备 [11][12] DRAM相关公司 - 北京君正和深科技主营DRAM，深科技为DRAM封测龙头 [13] - 澜起科技主营DDR5内存接口芯片 [17] - 香农芯创代理SK海力士产品，DRAM占存储器收入70% [19] - 万润科技布局DRAM和SSD，但营收占比低于5% [18] 闪存相关公司 - 兆易创新闪存营收占比60%+，NOR Flash全球市占率15% [14][23] - 东芯股份闪存营收占比61.75% [14][15] - 普冉股份主营NOR Flash+EEPROM [15] - 江波龙为存储器模组龙头，产品包括SSD、内存卡 [17][20] - 德明利闪存主控芯片设计业务占比超90% [17][21] - 佰维存储以NAND Flash模组为核心产品 [17] 其他公司动态 - 城邦股份拟将存储芯片业务作为第二主业 [19] - 兆易创新存储芯片业务收入51.94亿元，占总营收70.6% [23] - 北京君正存储芯片为第一大营收板块 [24] 技术对比 - EEPROM、NOR Flash、NAND Flash和DRAM在擦写单位、次数、速度、容量及应用场景上存在差异 [16]

存储卡行业标准演变 - 1984年闪存技术突破为存储卡发展奠定基础，NAND闪存推动1994-2000年存储卡形态爆发[15] - 早期存储卡规格竞争激烈：1994年闪迪推出3.3mm厚的CF卡[17]，1995年东芝发布0.76mm超薄SM卡[20]，1997年MMC卡缩小至指甲盖大小[22] - 1998年索尼推出封闭生态的记忆棒，读写速度碾压同期产品但价格高昂[24][26] - 1999年松下/东芝/闪迪组建SD协会推出SD卡，价格仅为记忆棒1/6并通过开放授权迅速占领市场[26][28] - 物理规格战争以SD卡胜利告终，衍生出Mini SD和Micro SD，索尼2006年推出Micro SD适配器变相妥协[30][31] 存储卡技术标准体系 - 容量标准迭代：SD(2GB)→SDHC(32GB)→SDXC(2TB)→SDUC(128TB)，文件系统从FAT12/16升级至exFAT[38][41] - 速度等级标识三重体系：Class分级(C2-C10)、UHS分级(U1/U3)、Video分级(V6-V90)，分别对应不同时代需求[48][49][50] - 接口版本决定理论速度上限：UHS-I接口最大104MB/s，UHS-II接口达312MB/s，需设备支持才能发挥性能[53][56] - 随机读写性能分级：A1标准(1500/500 IOPS)和A2标准(4000/2000 IOPS)影响手机/Switch等设备的应用加载速度[56][58] 当前行业痛点与选购逻辑 - 标准叠加导致标识混乱：同一张卡可能同时存在Class 10、U3、V30等冗余标识[60][62] - 厂商营销词汇加剧认知难度，如Professional/Extreme Pro等跨品牌无统一标准[62] - 选购核心逻辑：先匹配设备支持的容量标准(SD/SDHC/SDXC)，再根据用途选择速度等级（相机重V等级，手机重A2随机读写）[37][45][59] - 技术迭代与标准碎片化并存，行业需推动标识简化与标准整合[34][64] 接口技术对比参考 - 全功能USB-C支持10Gbps传输/100W充电/4K 120Hz视频[5] - USB4 V2.0实现80Gbps传输/240W充电/8K 120Hz视频，雷电5同等性能但额外支持64Gbps PCIe传输[5] - 雷电接口持续领先：雷电3(20-40Gbps)→雷电4(40Gbps)→雷电5(80Gbps)，视频输出能力同步提升[5]