当前存储市场行情与核心驱动 - 近半年来，存储芯片成为升值最快、最被看好的资产，价格持续上涨[5][6] - 知名投行Wedbush预计，以DRAM和NAND为代表的存储芯片价格在2025年上半年将在2024年四季度基础上再涨130%至150%[6] - 野村证券也大幅上调了二季度存储芯片价格的涨幅预期，并分析上涨趋势将持续更长时间[6] - 消费端的存储产品（如SD卡、内存条、固态硬盘）价格几乎“一天一个价”，半年就能翻倍[7] - 全球存储相关股票表现强劲，美股西部数据、美光、希捷科技是2025年标普500表现最好的股票之一；日韩龙头三星电子、SK海力士、铠侠市值一年内飙升3-6倍不等；A股和港股相关公司股价也持续创出新高[7] 行业周期历史与2023年低谷 - 2022-2023年是存储行业历史上最惨烈的周期低谷之一，主要因疫情透支需求后产能过剩[18] - 行业库存水平达历史高点，甚至超过互联网泡沫和2008年金融危机时期，导致DRAM等主要产品价格腰斩[18] - 三大巨头业绩大幅滑坡：SK海力士2023年亏损7.73万亿韩元（约60亿美元）；美光2023年营业亏损58.3亿美元；三星电子全年净利润暴跌七成[18] - 为应对困境，三大巨头采取激进措施：将产能利用率降至历史低点，大幅削减资本开支，推迟或取消新产能计划，加速库存出清[20] - 2023年全球DRAM资本支出约300亿美元，同比下滑9%；NAND资本支出约220亿美元，同比下滑27%[20] AI驱动的结构性变化与厂商战略调整 - 2023年，AI相关业务开始异军突起，SK海力士供给AI服务器的DDR5和HBM3收入实现超过4倍增长[21] - 市场反馈刺激巨头在“猫冬”同时调整结构，将资源从传统产品（如DDR4、LPDDR4X）大举向高端AI产品（如DDR5、HBM）倾斜[22] - 三大巨头在短短两年内已将分配给HBM的晶圆产能扩张了近3倍[22] - 2025年年中，AI领域对存储的需求在数据中心产能落地后迎来大爆发，高端产能被抢购一空，传统产能因减产出现严重短缺[26] - 存储三巨头2025年DRAM产能增幅合计不到10万片，同比仅高2%多，行业主要增量来自中国厂商长鑫存储[26] 主要厂商在2026年的战略与纠结心态 - 面对巨大供给缺口和高预期，主要厂商在扩产决策上陷入纠结：想扩产怕重蹈覆辙，不扩产怕错失良机[37][38] - **三星电子**：风格偏向“抢注一头”，规划2026年超110万亿韩元（约733亿美元）支出，主要用于HBM等先进DRAM制程，以改变技术落后地位[38]。公司宣布HBM产品优先于通用DRAM和NAND，即使后者增长将落后于竞争对手[38] - **SK海力士**：节奏全面求稳，在高端DRAM上聚焦良率与绑定关系；在NAND上减少总产量，集中资源投资尖端技术转换，目标锁定企业级SSD等利润更高的AI市场[39] - **美光**：相对激进，已披露规划投资总计超过2000亿美元，在行业中居首，以AI为主轴进行全面布局[39]。但其激进打法引发市场担忧，披露大幅上调资本开支后股价持续走低，截至3月26日收盘已跌超15%[39] - 整体上，巨头趋向谨慎，根据需求变化校准投资节奏成为关键词[43] 扩产面临的客观制约与国产厂商机遇 - 技术迭代导致投资收益结构变化：HBM占用的晶圆面积是传统DDR的两倍之多，扩产速度更慢；先进制程转换复杂且资本密集，每片晶圆的位元增长收益递减[45] - NAND领域技术边际效益递减更严重，300层以上NAND的资本支出高达每万片15亿美元，但成本下降每年仅百分之十几，投资回报率大不如前[45] - 上一轮削减开支导致洁净室等基础设施出现严重短缺，客观上制约了扩产能力；新厂成本大幅走高也让部分一线厂商难以快速跟进[45] - **长鑫存储**：中国目前唯一实现量产的DRAM原厂，2025年已推出DDR5产品，与三巨头存在约两代代差，受益于产量释放有望迎来历史级增长，并预计在2026年实现盈利[47]。其母公司长鑫科技计划在科创板募资295亿元，是科创板历史第二高水平[26] - **长江存储**：已是NAND领域一线玩家，2022年量产232层产品，技术水平属全球第一梯队[47] - 两家中国厂商都有上市融资预期，相关项目被认为能够快速上马落地，其募资项目时间周期集中在2025年下半年至2028年[47] 关于2028年及未来的核心争议 - 存储芯片建设周期较长，新产能从规划到规模化交付需约两年，2026年启动的产能释放期多落在2028年[51][52] - **乐观派（超越周期论）**： - 强调AI带来的需求侧结构性变革：十年前PC和智能手机需求占比高达60%，如今已降至不足30%，取而代之的是大型科技公司的AI资本开支，其扩张速度惊人[54] - 供应链关系变革：云服务商与存储原厂之间流行覆盖多年的长期协议（“长协化”），能锁定高端产能，大幅增强原厂议价权和抗周期能力[55] - AI提升了存储的价值链地位，存储厂商定位由“卖大宗商品”变为“卖战略资源”[55] - **唱衰派（周期魔咒论）**： - 认为存储是标准化产品，只要生意足够赚钱，就一定会有新产能“跑步进场”[56] - 质疑截至2028年的AI需求被夸大，若届时巨头资本开支紧缩或AI数据中心推迟，叠加传统行业供大于求，存储可能再次遭受重击[56] - **调和派（结构性分化论）**： - 认为存储周期走向“结构性”分水岭，Gartner预测到2028年，AI领域高端DRAM收入预计仍能增长13.8%，但传统DRAM收入预计将下降26.4%[56] - 这意味着“普涨普跌”的整齐周期或已终结，行业进入“高端稀缺、低端过剩”的二元结构[56] - 市场分歧明显，对谷歌发布的TurboQuant内存优化技术反应剧烈，该技术宣称能将大模型推理阶段的内存占用缩减至少6倍，引发了市场对存储需求的担忧和重估[57] - 摩根士丹利引用“杰文斯悖论”，认为效率提升最终会激发出更大规模的存储需求，并看好存储行情的长期性，认为AI需求与以往手机、PC需求的增长曲线完全不在一个量级上[59]

全球存储市场迎来新一轮涨价潮 - 全球存储市场核心产品价格持续攀升，波及终端零售市场，商家表示此次涨价前所未有 [1] - 存储卡、内存等产品价格持续上涨，行业迎来新一轮涨价潮 [1] 终端零售市场价格涨幅显著 - 杭州数码商场商家反馈，存储产品价格每天上涨，涨幅过高难以接受 [4] - 相机存储卡价格整体翻倍上涨，部分产品涨幅达三四倍 [4] - 具体案例显示，某品牌256G TF卡价格从269元上涨至394元，春节前后持续上涨 [4] - 另一案例显示，内存卡价格从59元大幅上涨至1197元，涨幅约三倍 [2] 本轮涨价的核心驱动因素 - 涨价并非短期炒作，核心源于存储芯片供应紧张与AI快速发展带来的大量需求叠加 [4] - 上游成本传导、产能结构性倾斜与终端需求共振共同导致普涨 [4] - 终端需求方面，春节旅行热、自媒体创作刚需推高了采购量 [4] - 渠道商囤货行为加剧了产品稀缺性，进一步放大涨价幅度 [4]

公司核心技术能力 - 公司已推出应用于UFS、eMMC、SD卡、高端USB等多领域的主控芯片 [1] - 公司主控芯片采用领先于主流产品的头部Foundry工艺，并采用自研核心IP与固件算法，使存储产品具备明显的性能和功耗优势 [1] - 在旗舰存储产品上，全球仅有包括公司在内的少数企业具备在芯片层面开发UFS4.1产品的能力 [1] - 公司搭载自研主控的UFS4.1产品在制程、读写速度及稳定性上优于市场可比产品 [1] 公司产品与市场进展 - 截至2025年三季度末，公司自研的多款主控芯片累计部署量已突破1亿颗 [1] - 基于领先的主控芯片能力，公司已与多家晶圆原厂及头部智能终端设备厂商构建了深度合作关系 [1] - 搭载公司自研主控芯片的UFS4.1产品正处于批量出货前夕 [1]

行业趋势与需求 - AI技术应用持续驱动云服务商对高效能存储产品的需求，TLC eSSD、QLC eSSD等产品采购量显著增长 [2] - HDD供应短缺促使部分云服务商加速转单至SSD，共同推动NAND Flash需求迎来爆发 [2] - 主要存储晶圆原厂维持审慎的产能扩张策略，即便后续资本开支回升，由于产能建设周期滞后，预计对2026年位元产出的增量贡献有限，行业供需格局有望保持紧平衡 [2] 公司产品与技术 - 新产品mSSD采用Wafer级系统级封装技术，将主控、NAND、PMIC等核心元件整合为单一封装体，省去传统SSD生产中的PCB贴片、回流焊等多道SMT工序，综合成本优势显著 [4] - mSSD提供TB级别多档容量，通过集成封装大幅压缩体积实现轻薄化，且性能仍满足PCIe接口高标准 [4] - mSSD创新性配备卡扣式散热拓展卡，无需工具即可灵活转换为当前SSD主流规格，适配性覆盖多样化存储应用场景 [4] - 公司计划围绕UFS、eMMC、SD卡、PCIe SSD等核心存储领域，推进芯片架构设计、固件算法开发及中后端设计，以无晶圆厂模式推出系列高性能主控芯片 [6] 供应链与运营管理 - 公司备货策略以需求预测为核心，综合市场走势、存储晶圆价格、现有库存及客户订单等多维度因素动态调整采购节奏 [3] - 公司已与存储晶圆原厂签署长期供货协议或商业合作备忘录，可有效确保存储晶圆的持续稳定供应，为业务规模扩张提供支撑 [3] 公司增长与盈利前景 - 公司在高端存储市场突破、海外业务拓展及自研主控芯片落地等领域持续取得进展，内生性成长因素对业绩的贡献正逐步显现且具备持续性 [5] - 随着高端产品占比提升、海外市场份额扩大及核心技术自主化，公司中长期盈利能力有望稳步增强 [5]

公司战略布局 - 上海总部乔迁至临港新片区滴水湖科创总部湾核心区 聚焦企业级和车规级等关键存储业务 [1] - 核心功能聚焦于主控芯片 企业级 工规级 车规级存储产品研发及存储芯片自主设计 [1] - 服务领域涵盖人工智能 数据中心 智能汽车 智能电网 工业物联网等快速增长市场 [1] 技术研发进展 - 依托上海总部已推出6款自研主控芯片 [1] - 自研芯片覆盖eMMC SD卡 UFS及USB移动存储等主流和高端产品 [1]

公司战略与布局 - 上海总部于8月26日在临港新片区滴水湖科创总部湾核心区落成 承载深化构建芯片级研发能力核心使命 聚焦企业级和车规级等关键存储业务 [1] - 总部占地14亩 总建筑面积达4.3万平方米 可容纳超过1000名研发工程师 定位为高端芯片和存储产品研发中心 [1] - 形成"存储芯片+高端存储器"双引擎战略 联动深圳总部研发运营 中山存储产业园技术制造 苏州封测制造基地创新封测工艺 南美洲制造运营中心海外市场交付 构建国内研发-国内海外制造-全球销售双循环供应链 [2] 研发能力与产品进展 - 已推出6款自研主控芯片 覆盖eMMC/SD卡/UFS/USB移动存储等主流和高端产品 所有主控芯片自2020年启动自研规划以来均一次性投片成功并顺利点亮 [1] - 总部内设多个前沿研发区域与专业实验室 配备尖端技术设施 核心功能聚焦主控芯片/企业级/工规级/车规级存储产品研发及存储芯片自主设计 [1] - 研发服务领域涵盖人工智能/数据中心/智能汽车/智能电网/工业物联网等快速增长市场 [1] 全球化与区域优势 - 上海总部依托临港新片区区位优势/政策红利和人才沃土 成为驱动公司高价值业务增长的核心能力平台 [2] - 南美洲制造运营中心支持海外市场快速交付 持续推进全球化布局 [2] - 上海总部启用被视为公司全球布局的关键里程碑 [2]

行业技术演进 - 移动存储设备从1.44MB容量的3.5英寸软盘发展至今，主流产品已变为U盘和各类存储卡[1][3] - SD卡于1999年由松下、东芝及SanDisk共同开发，旨在为数码设备提供安全快速的存储解决方案[3] - CFexpress存储卡标准于2019年2月由CompactFlash协会正式发布，基于PCIe接口和NVMe协议，本质是微型固态硬盘[18] SD卡技术标准与分类 - SD卡按容量分为四个级别：SD（2GB以下）、SDHC（2GB-32GB）、SDXC（32GB-2TB）、SDUC（2TB-128TB）[5] - SD卡写入速度标准包括速度等级（C2/C4/C6/C10对应2/4/6/10MB/s）、超高速速度等级（U1/U3对应10/30MB/s）和视频速度等级（V6至V90对应6-90MB/s）[7] - SD卡总线速度标准UHS分为三档：UHS-I理论速度104MB/s、UHS-II理论速度312MB/s、UHS-III理论速度624MB/s[8] - 物理接口上UHS-I仅一排金手指，UHS-II/UHS-III有两排金手指[11] - 部分厂家用"X"标注速度，1X=150KB/s，例如1000X对应150MB/s[13] MicroSD（TF）卡特性 - MicroSD卡尺寸为15.0×11.0×1.0 mm，约为标准SD卡的四分之一，由摩托罗拉和SanDisk研发[15] - TF卡具备APP性能等级A1（随机读写1500/500 IOPS）和A2（随机读写4000/2000 IOPS），均要求最低持续顺序写入10MB/s[17] CFexpress卡规格与应用 - CFE卡分为三种物理规格：CFE-A卡（20×28×2.8mm，单PCIe通道，理论速度2000MB/s）、CFE-B卡（29.6×38.5×3.8mm，双PCIe通道，理论速度4000MB/s）、CFE-C卡尚未商用[20] - CFE卡视频性能保证等级包括VPG200（保证持续写入200MB/s）和VPG400（保证持续写入400MB/s），未来规划有VPG800和VPG1600[22] 存储卡选型指南 - 入门级数码相机推荐使用V30等级SD卡，容量64GB起步，拍摄RAW格式或视频建议128-256GB[24] - 中高端数码相机推荐主力使用256GB及以上容量CFE卡，副卡槽搭配低速SD卡，索尼微单拍摄高码率视频需VPG400认证的CFE-A卡[26] - 无人机、运动相机等设备推荐使用128GB以上、U3、A2等级的TF卡[27] - 行车记录仪需选用专门高耐久性的TF卡以保证长时间持续录制的稳定性[30]

调研基本信息 - 调研时间为 2025 年 7 月 23 日 15:30 - 18:00，地点在江苏省苏州市苏州工业园区星海街 33 号旗下高端封测制造基地（元成科技（苏州）有限公司） [2][3] - 参与调研的是 28 家机构代表，上市公司接待人员为副总经理、财务负责人朱宇和副总经理、董事会秘书许刚翎 [2][3] 收入与市场前景 - 公司收入规模占全球半导体存储市场规模较低，企业级存储、高端消费类存储处于高速增长初期，成长空间大 [3] - 企业级存储业务 2024 年实现超 600%收入增长，2025 年一季度收入实现超 200%快速增长 [3] - 与闪迪合作推出 UFS 产品及解决方案，有望扩大在嵌入式存储市场领先地位，提升高端存储市场占有率 [3] 盈利水平展望 - 积极推进 TCM 模式应用，已与传音、ZTE 等 Tier1 客户达成合作，未来将在主要大客户合作上持续突破 [3] - TCM 模式可降低价格波动影响，提升公司盈利能力 [3] 企业级存储竞争优势 - 是国内少数具备“eSSD + RDIMM”产品设计、组合及规模供应能力的企业 [4] - 企业级存储产品获不同行业知名客户认可，适配性和可靠性强，能满足高性能和定制化需求 [4] - 随着 AI 应用加速，国产企业级存储产品需求增加，公司企业级业务有望在重要客户处取得突破 [4] 主控芯片研发 - 多年前布局自研主控芯片，推出多款应用于不同存储产品的主控芯片 [4] - 搭载自研主控芯片的存储产品有性能和功耗优势，如 UFS4.1 产品顺序读写和随机读写性能优于市场主流产品 [4] - 2025 年自研主控芯片出货规模将明显放量增长，同时保持与第三方主控芯片厂商合作 [4] 技术储备与专利合作 - 截至 2024 年 12 月 31 日，获得专利 570 项，软件著作权 138 项，集成电路布图设计 11 项 [5] - 已获得多种存储产品标准必要专利，并与众多晶圆原厂和行业头部独立存储器企业达成专利授权合作 [5] 市场价格趋势 - 2025 年第一季度后半期存储产品市场价格及预期上扬，下游需求实质性增长，市场自 3 月底逐步回暖 [6] - 预计第三季度服务器和手机等领域存储产品价格仍具上行动能 [6] 公司合作与产业链定位 - 在存储器环节技术积累深厚，能满足高性能和定制化需求，提供高附加值 [6][7] - 将发展为连接上游晶圆原厂与终端应用市场的重要桥梁，与闪迪的合作体现技术实力与产业定位 [7] - 与产业重要参与者深度合作，强化在存储生态中的独特地位和产业竞争地位 [7]

企业级存储业务 - 公司结合自研固件与国产存储颗粒形成完善国产化方案，部分产品通过头部客户验证并进入供应链体系，预计行业国产化趋势将提速 [2] - 公司企业级产品在性能、兼容性及可靠性等方面形成差异化优势，采用联合定制开发模式，为特定场景提供定制化解决方案 [2] 嵌入式存储业务 - 上市后公司推动嵌入式存储业务发展，推出多种产品，随着客户验证推进，产品导入带动销售规模快速增长 [3] - 今年公司聚焦手机领域推动产品落地，已进入行业知名品牌商客户供应链体系，有望释放业务增长潜力 [3] 消费级存储业务 - 上市后公司拓展消费级产品矩阵，涵盖四大产品线多种产品 [4] - 未来公司将依托自研主控芯片技术优势，优化产品性能与品质，拓展客户渠道，探索新兴消费场景存储解决方案 [4] 存储周期趋势 - 存储行业在供需结构优化、技术创新驱动下进入良性通道，自2024年底原厂优化产能布局，叠加需求增长与产品升级，下游库存去化，行业基本面改善 [5] - 2025年一季度存储价格趋于稳定，3月底逐步回暖，预计全年稳步复苏 [5] SSD销售规模增长因素 - 公司固态硬盘业务增长得益于响应市场需求、研发投入优化产品矩阵、强化供应链管理能力，以及依托国产化趋势与新兴应用场景拓展市场空间 [6] 库存策略 - 公司库存保持中性策略，供应链交付中心根据业务反馈和市场价格制定采购计划，提升库存周转 [8] - 随着业务规模增长和产品线拓展，公司调整优化库存结构，增加部分颗粒采购，保障新业务发展 [8] 活动参与机构 - 嘉实基金、汇添富基金、华夏基金等18家机构参与活动 [11]

存储器价格趋势 - 存储器价格在2025年一季度和第二季度企稳反弹 [1] - 海力士DRAM颗粒价格上涨约12% [2] - SanDisk闪存价格从4月1日起上调超过10% [2] - 通用DRAM DDR4 8Gb产品固定交易价格较3月上涨22.22% [2] DRAM与闪存定义及应用 - DRAM颗粒是存储设备核心组件，用于存储二进制数据，广泛应用于计算机、手机、SSD等设备 [4] - DRAM模块包含多个颗粒、控制电路等，通过总线与CPU通信 [5] - DRAM在PC和手机中用于内存条、显存及运行内存，特点是断电后数据丢失 [6] - 闪存用于长期存储静态数据，如SSD、U盘、手机存储等 [9] - 计算机同时依赖DRAM（运行程序）和闪存（保存文件） [10] 消费级存储器涨价 - 此次涨价主要为消费级品类，面向手机、PC等个人电子设备 [11][12] DRAM相关公司 - 北京君正和深科技主营DRAM，深科技为DRAM封测龙头 [13] - 澜起科技主营DDR5内存接口芯片 [17] - 香农芯创代理SK海力士产品，DRAM占存储器收入70% [19] - 万润科技布局DRAM和SSD，但营收占比低于5% [18] 闪存相关公司 - 兆易创新闪存营收占比60%+，NOR Flash全球市占率15% [14][23] - 东芯股份闪存营收占比61.75% [14][15] - 普冉股份主营NOR Flash+EEPROM [15] - 江波龙为存储器模组龙头，产品包括SSD、内存卡 [17][20] - 德明利闪存主控芯片设计业务占比超90% [17][21] - 佰维存储以NAND Flash模组为核心产品 [17] 其他公司动态 - 城邦股份拟将存储芯片业务作为第二主业 [19] - 兆易创新存储芯片业务收入51.94亿元，占总营收70.6% [23] - 北京君正存储芯片为第一大营收板块 [24] 技术对比 - EEPROM、NOR Flash、NAND Flash和DRAM在擦写单位、次数、速度、容量及应用场景上存在差异 [16]