文章核心观点 - SK海力士放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张，并将资源重新倾斜至通用型DRAM市场，此举引发了全球存储股和市场的剧烈波动 [1][2] - 战略调整的核心驱动力是通用型DRAM的营业利润率已反超HBM，且公司需应对英伟达下一代芯片生产预测下调带来的高端AI存储需求不确定性 [2][5][12] SK海力士战略调整 - SK海力士正在放缓HBM4的量产扩张节奏，并延迟将部分HBM3E产线转换为HBM4的计划 [1][6] - 公司将资源重新倾斜至通用型DRAM市场，以增强供应响应能力 [1][6] - 公司已与微软签署为期三年的DDR5供应合同，以锁定通用DRAM领域的长期收益能见度 [7] 市场反应与影响 - 相关报道触发韩国股市暴跌逾10%，并触发熔断机制，恐慌情绪向全球市场蔓延 [2] - 周二美股市场中，美光收跌13%，西部数据收跌8.5% [3] - 市场对高端AI基础设施（尤其是英伟达下一代芯片）的需求前景产生质疑 [2][12] 战略调整的财务与市场逻辑 - 截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反而占据优势 [5] - 大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90% [5] - SK海力士一季度财报披露，DRAM平均售价已升至60%中段水平 [7] - 摩根士丹利基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测，将SK海力士盈利预测上调56%至63% [9] HBM市场竞争格局 - 高盛认为，SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够 [9] - 根据Counterpoint Research数据，SK海力士去年四季度HBM市场份额为57% [10] - 若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产，SK海力士的HBM市场份额或逐步收窄至50%至60%区间 [10] 高端AI供应链压力 - 英伟达下一代“Rubin”芯片的生产预测正在下调，直接冲击了市场对HBM4需求强劲的预期 [2][12] - 搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本，令超大规模数据中心运营商的利润空间承压 [12] - 英伟达Vera Rubin系统（VR200）的材料总成本（BOM）预计为7,803,148美元，较前代GB300系统的3,994,551美元上涨95%，其中内存成本从373,939美元激增至2,001,600美元，涨幅达435% [14]