韩国一篇行业报道在全球市场引发连锁反应，将高带宽存储芯片供应前景的隐忧推至台前。 据韩国媒体23日报道，SK海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张节奏，并将资 源重新倾斜至通用型DRAM市场。 这一消息成为触发存储股大幅回调的导火索。彭博社与CNBC均援引消息称，"交易员将矛头指向一篇 韩国媒体报道——SK海力士正在放缓AI存储芯片扩产，并将重心转回通用型DRAM"。 由于存储股约占韩国综合指数（KOSPI）权重的60%，韩国股市随即暴跌逾10%，并触发熔断机制，恐 慌情绪随后向全球市场蔓延。 报道援引一名熟悉SK海力士内部情况的人士表示，鉴于英伟达下一代芯片"Rubin"的生产预测持续下 调，该公司管理层已无必要加速推进向HBM4的产线转换。此番表态令市场对高端AI基础设施的需求前 景产生质疑，并对英伟达等相关产业链构成压力。 韩国媒体报道的核心逻辑在于存储市场内部的盈利结构变化。 截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反 而占据优势。大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90%。 在此背景下，SK海力士据报正延迟将 ...

文章核心观点 - SK海力士放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张，并将资源重新倾斜至通用型DRAM市场，此举引发了全球存储股和市场的剧烈波动 [1][2] - 战略调整的核心驱动力是通用型DRAM的营业利润率已反超HBM，且公司需应对英伟达下一代芯片生产预测下调带来的高端AI存储需求不确定性 [2][5][12] SK海力士战略调整 - SK海力士正在放缓HBM4的量产扩张节奏，并延迟将部分HBM3E产线转换为HBM4的计划 [1][6] - 公司将资源重新倾斜至通用型DRAM市场，以增强供应响应能力 [1][6] - 公司已与微软签署为期三年的DDR5供应合同，以锁定通用DRAM领域的长期收益能见度 [7] 市场反应与影响 - 相关报道触发韩国股市暴跌逾10%，并触发熔断机制，恐慌情绪向全球市场蔓延 [2] - 周二美股市场中，美光收跌13%，西部数据收跌8.5% [3] - 市场对高端AI基础设施（尤其是英伟达下一代芯片）的需求前景产生质疑 [2][12] 战略调整的财务与市场逻辑 - 截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反而占据优势 [5] - 大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90% [5] - SK海力士一季度财报披露，DRAM平均售价已升至60%中段水平 [7] - 摩根士丹利基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测，将SK海力士盈利预测上调56%至63% [9] HBM市场竞争格局 - 高盛认为，SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够 [9] - 根据Counterpoint Research数据，SK海力士去年四季度HBM市场份额为57% [10] - 若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产，SK海力士的HBM市场份额或逐步收窄至50%至60%区间 [10] 高端AI供应链压力 - 英伟达下一代“Rubin”芯片的生产预测正在下调，直接冲击了市场对HBM4需求强劲的预期 [2][12] - 搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本，令超大规模数据中心运营商的利润空间承压 [12] - 英伟达Vera Rubin系统（VR200）的材料总成本（BOM）预计为7,803,148美元，较前代GB300系统的3,994,551美元上涨95%，其中内存成本从373,939美元激增至2,001,600美元，涨幅达435% [14]

文章核心观点 - 韩国媒体报道SK海力士放缓HBM4扩产并转向通用DRAM，引发全球存储股及股市连锁下跌，市场对高端AI芯片需求前景产生担忧 [1][2][6] SK海力士战略调整 - SK海力士放缓第六代高带宽存储芯片HBM4的量产扩张节奏，将资源重新倾斜至通用型DRAM市场 [2] - 公司延迟将部分HBM3E产线转换为HBM4的计划，以增强对通用DRAM市场的供应响应能力 [3] - 公司在一季度财报中披露DRAM平均售价已升至60%中段水平，并与微软签署为期三年的DDR5供应合同 [3] 市场反应与影响 - 消息导致韩国综合指数暴跌逾10%并触发熔断，恐慌情绪向全球蔓延 [2] - 美股盘中，美光下跌13%，西部数据下跌8.4% [2] - 市场对高端AI基础设施需求前景产生质疑，并对英伟达等相关产业链构成压力 [2] 存储市场盈利结构变化 - 截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反而占据优势 [3] - 大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90% [3] - 竞争对手三星电子已通过通用DRAM获取丰厚利润 [3] 华尔街机构观点 - 高盛认为，SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够 [4] - 摩根士丹利将整体存储价格周期视为公司估值核心驱动，基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测，将盈利预测上调56%至63% [4] - 若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产，SK海力士的HBM份额或从57%收窄至50%至60%区间 [4] 高端AI供应链压力 - SK海力士知情人士提及，英伟达下一代“Rubin”芯片的生产预测正在下调，冲击了市场对HBM4的需求预期 [2][5] - 搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本，令超大规模数据中心运营商的利润空间承压 [5]