长江存储晶栈®Xtacking®架构的技术演进与成就 - 公司于2018年全球首创基于晶栈®Xtacking®的3D NAND闪存创新架构，通过将存储阵列晶圆与外围电路晶圆并行制备、独立优化，再利用混合键合技术实现电学互连，该架构实现了存储密度、工艺可扩展性及接口传输速度的突破[3] - 历经持续迭代，晶栈®Xtacking®架构已升级至4.0版本，在阵列堆叠、源极引出、字线引出及应力解决方案等关键技术上取得重大突破，有效缓解了3D NAND闪存微缩过程中的技术挑战[3][4] 晶栈®Xtacking®各代技术核心创新 - **晶栈®Xtacking®1.0**：采用存储阵列与外围电路分离设计，通过晶圆到晶圆混合键合技术，首次将外围电路置于存储单元之上，提高了存储密度，缩短了产品开发与生产周期[6] - **晶栈®Xtacking®2.0**：引入双堆栈架构，降低单次沟道孔刻蚀工艺难度，并采用NiSi替代WSi以降低接触电阻，从而提升外围电路信号传输性能与闪存接口速度[7] - **晶栈®Xtacking®3.0**：引入存储单元晶圆的晶背信号与电源引出技术，将阵列底部复杂三维工艺简化为二维平面工艺，降低成本，同时采用2x3的6 Planes架构及中心X-DEC芯片设计，将字线电容减半，提升读写性能[7] - **晶栈®Xtacking®4.0**：采用中心X-DEC芯片设计和背面源极连接技术，并减小垂直栅极间距，采用20个垂直通道孔设计，芯片尺寸为40.44平方毫米，512Gb芯片密度达到12.66 Gb/mm²，实现了更高存储密度与性能[8] 晶栈®Xtacking®架构获得的行业认可 - 2018年，该架构在闪存峰会荣获最高荣誉“最具创新初创闪存企业”奖项[9] - 2022年，晶栈®Xtacking® 3.0在闪存峰会荣获“异构存储集成”类别下的“最具创新存储技术奖”[9] - 2025年，晶栈®Xtacking® 4.0在内存与存储未来峰会中荣获3D NAND“最具创新存储技术奖”[9] 技术演进总结与未来展望 - 晶栈®Xtacking®架构从1.0到4.0的迭代，在存储密度、接口速度、工艺优化、可靠性、成本控制及系统级定制化等方面展现出显著优势[11] - 展望未来，3D NAND闪存技术将持续遵循微缩规则，并融合新架构、新工艺、新材料，向更高密度、更高性能和更高可靠性的方向演进[11]

投资交易 - 河北养元智汇饮品股份有限公司投资长江存储科技控股有限责任公司16亿元人民币 交易完成后通过泉泓投资持有长控集团0 99%股份 [2] - 长控集团旗下包括长江存储科技有限责任公司 武汉新芯集成电路股份有限公司及宏茂微等子公司 其中长江存储为国内唯一3D NAND供应商 [2] - 本次投资标的为长控集团母公司 不能直接推算长江存储估值 新股东引入使长控集团股权结构多元化 [2] 公司技术 - 长江存储采用自主Xtacking架构 通过混合键合技术实现存储阵列与逻辑电路分离制造 具有IO速度快 存储密度高 可靠性强三大特点 [2] - Xtacking技术迭代至4 0版本 NAND接口速度从800兆提升至3 6G/秒 存储密度与可靠性显著提升 [2] - Xtacking 4 0首款产品为512Gb TLC 2024年量产 IO速度提升50%至3 6G/秒 存储密度提高超48% [3] - 第二代1Tb TLC产品IO速度3 6G/秒 存储密度提升36% 第三代QLC产品单die容量2Tb 密度提升42% 吞吐量提升147% [3] 产品布局 - 智能手机领域提供UFS4 1 UFS3 1 UFS2 2产品 PC端布局PCIe 5 0/4 0产品 企业级市场推出PCIe 5 0解决方案 [3] 股权结构 - 增资前长控集团前三大股东为湖北长晟发展(28 56%) 武汉芯飞科技(27 28%) 国家大基金一期(12 88%) [5] - 增资后前三大股东持股比例调整为湖北长晟26 89% 武汉芯飞25 69% 国家大基金一期12 13% 新增泉泓投资等11家股东 [6][7] - 增资总额达1118 12亿元 新股东包括农银金融 建信金融等机构 单家持股比例均低于1% [6][7]