3D NAND闪存技术
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长江存储Xtacking,谁与争锋?
半导体芯闻· 2026-01-06 18:30
以下文章来源于芯思想 ,作者赵元闯 芯思想 . 中国半导体正能量传播平台。为中国半导体产业服务,我们都是中国半导体产业腾飞的见证人。新闻分 析,精彩评论,独家数据,为您定制信息,欢迎拍名片回复,和行业精英交流。 在全球半导体产业激烈竞争的背景下 , 长江存储成功突破技术与专利壁垒 , 全 球 首 创 基 于 晶 栈 ®Xtacking® 的 3D NAND 闪存创新架构 , 并实现产业化。通过架构创新 , 将存储阵列 (array) 晶圆与外围电路 (CMOS) 晶圆并行制备、独立优化,最终利用混合键合 (Hybrid Bonding) 技 术 实现电学互连。这一创新架构不仅实现了存储密度和工艺可扩展性的进一步突破,还显著提升了接 口传输速度。历经技术的持续迭代, 晶栈 ®Xtacking® 在阵列堆叠、源极引出、字线引出以及应 力解决方案等关键技术上取得了重大突破,有效缓解了 3D NAND 闪存在微缩过程中所面临的技术 挑战 [ 1] 。 2018 年长江存储首发全新的 晶栈 ®Xtacking® 架构,通过 CMOS 电路和存储阵列( Array ) 混合键合,实现了不同工艺的解耦,释放 3D NAND ...
长江存储母公司,获得新融资
半导体芯闻· 2025-04-25 18:19
投资交易 - 河北养元智汇饮品股份有限公司投资长江存储科技控股有限责任公司16亿元人民币 交易完成后通过泉泓投资持有长控集团0 99%股份 [2] - 长控集团旗下包括长江存储科技有限责任公司 武汉新芯集成电路股份有限公司及宏茂微等子公司 其中长江存储为国内唯一3D NAND供应商 [2] - 本次投资标的为长控集团母公司 不能直接推算长江存储估值 新股东引入使长控集团股权结构多元化 [2] 公司技术 - 长江存储采用自主Xtacking架构 通过混合键合技术实现存储阵列与逻辑电路分离制造 具有IO速度快 存储密度高 可靠性强三大特点 [2] - Xtacking技术迭代至4 0版本 NAND接口速度从800兆提升至3 6G/秒 存储密度与可靠性显著提升 [2] - Xtacking 4 0首款产品为512Gb TLC 2024年量产 IO速度提升50%至3 6G/秒 存储密度提高超48% [3] - 第二代1Tb TLC产品IO速度3 6G/秒 存储密度提升36% 第三代QLC产品单die容量2Tb 密度提升42% 吞吐量提升147% [3] 产品布局 - 智能手机领域提供UFS4 1 UFS3 1 UFS2 2产品 PC端布局PCIe 5 0/4 0产品 企业级市场推出PCIe 5 0解决方案 [3] 股权结构 - 增资前长控集团前三大股东为湖北长晟发展(28 56%) 武汉芯飞科技(27 28%) 国家大基金一期(12 88%) [5] - 增资后前三大股东持股比例调整为湖北长晟26 89% 武汉芯飞25 69% 国家大基金一期12 13% 新增泉泓投资等11家股东 [6][7] - 增资总额达1118 12亿元 新股东包括农银金融 建信金融等机构 单家持股比例均低于1% [6][7]