混合键合技术概述 - 混合键合技术已在长江存储、KIOXIA和西部数据等3D NAND制造商中广泛应用，长江存储将其命名为Xtacking，KIOXIA/西部数据将其命名为CBA [1] 混合键合技术的优势与应用 - 该技术将存储器阵列和外围电路分别在不同晶圆上制造，再通过数百万对小间距金属通孔键合，能显著提高存储密度和I/O速度 [2] - 美光、三星和SK海力士的当前NAND器件将很快转向混合键合结构，未来该技术还可用于DRAM微缩及先进HBM器件 [2] HBM技术发展面临的物理限制 - 根据JEDEC标准，HBM3之前模块高度为720µm，HBM3E及以上为775µm，此标准限制了模块高度的增加 [3] - 随着堆叠芯片数量从8或12个增至16、20甚至24个，模块高度相应增加，但JEDEC标准无法放宽 [3] HBM堆叠的尺寸微缩解决方案 - 目前HBM3器件的DRAM芯片厚度为55µm，8芯片堆叠的微凸块高度为14.5µm [8] - 在AMD MI300X的12芯片堆叠HBM3器件中，芯片厚度已减至37µm以符合JEDEC标准 [8] - 未来若芯片厚度减至20µm并采用混合键合等无间隙结构，16、20甚至24堆栈可用于775µm外形尺寸的HBM模块 [8] - 16Hi结构可使用当前MR-MUF或TC-NCF技术，但20Hi或24Hi HBM因堆叠高度、I/O密度和热管理限制，应采用混合键合技术 [8] HBM制造商的技术开发现状与挑战 - HBM芯片制造商正在开发混合键合技术，面临的挑战包括成本、缺陷、翘曲、材料、产量、对准、工艺温度、吞吐量及更紧凑的TSV/HB焊盘间距 [8]

投资交易 - 河北养元智汇饮品股份有限公司投资长江存储科技控股有限责任公司16亿元人民币 交易完成后通过泉泓投资持有长控集团0 99%股份 [2] - 长控集团旗下包括长江存储科技有限责任公司 武汉新芯集成电路股份有限公司及宏茂微等子公司 其中长江存储为国内唯一3D NAND供应商 [2] - 本次投资标的为长控集团母公司 不能直接推算长江存储估值 新股东引入使长控集团股权结构多元化 [2] 公司技术 - 长江存储采用自主Xtacking架构 通过混合键合技术实现存储阵列与逻辑电路分离制造 具有IO速度快 存储密度高 可靠性强三大特点 [2] - Xtacking技术迭代至4 0版本 NAND接口速度从800兆提升至3 6G/秒 存储密度与可靠性显著提升 [2] - Xtacking 4 0首款产品为512Gb TLC 2024年量产 IO速度提升50%至3 6G/秒 存储密度提高超48% [3] - 第二代1Tb TLC产品IO速度3 6G/秒 存储密度提升36% 第三代QLC产品单die容量2Tb 密度提升42% 吞吐量提升147% [3] 产品布局 - 智能手机领域提供UFS4 1 UFS3 1 UFS2 2产品 PC端布局PCIe 5 0/4 0产品 企业级市场推出PCIe 5 0解决方案 [3] 股权结构 - 增资前长控集团前三大股东为湖北长晟发展(28 56%) 武汉芯飞科技(27 28%) 国家大基金一期(12 88%) [5] - 增资后前三大股东持股比例调整为湖北长晟26 89% 武汉芯飞25 69% 国家大基金一期12 13% 新增泉泓投资等11家股东 [6][7] - 增资总额达1118 12亿元 新股东包括农银金融 建信金融等机构 单家持股比例均低于1% [6][7]