1c DRAM行业投资动态 - 主要存储器企业正集中力量推进1c DRAM量产所需的新建和转产投资 [2] - 1c DRAM是计划在下半年量产的下一代DRAM，三星电子决定在其HBM4中率先采用，SK海力士与美光计划先在服务器等通用DRAM领域应用 [2] - 美光获得日本政府针对其1c DRAM新厂的补贴，金额最高达5360亿日元（约合4.7万亿韩元） [3] 三星电子1c DRAM布局 - 公司在扩大1c DRAM产能方面动作最为激进，已从上半年开始在其平泽第4园区（P4）建设新的量产线，同时也在华城17号线推动转产投资 [2] - 预计到年底，其可确保的1c DRAM产能最高可达每月6万片晶圆 [2] SK海力士1c DRAM布局 - 公司表示1c DRAM的转产投资将从下半年开始，明年将全面展开，目前正在制定经营计划 [2] - 业内推测转产投资很可能在利川M14工厂进行，目前正在讨论拆除旧有DRAM设备并引入1c DRAM生产线的方案 [2] - 1c工艺不仅可用于服务器用高附加值DRAM，还可能应用于HBM4E，这是公司重点关注的领域，预计明年在前工序领域将有大规模投资落地 [3] 美光1c DRAM布局 - 公司正在日本广岛地区新建DRAM工厂，该工厂的量产重心将放在1γ工艺（业内普遍视作对应于1c DRAM的工艺），计划在2027年投入运行 [3] - 美光预计也将在其HBM4E中采用1γ工艺 [3]