文章核心观点 - AI驱动的算力需求正引发半导体行业对极紫外（EUV）光刻设备的激烈争夺，设备供应已成为行业发展的核心瓶颈，行业竞争正从产品竞争转向以资本和产能为基础的竞争 [1][3][4][22] SK海力士的巨额EUV订单 - SK海力士宣布将向ASML订购价值约80亿美元（11.95万亿韩元）的EUV光刻设备，预计在2027年底前完成采购，用于新产品量产 [1][3] - 该订单估计包含约30台EUV设备，高于分析师此前预测的26台 [3] - 订单包含“拉入条款”，允许SK海力士在必要时优先购买设备，旨在锁定未来两年ASML很大一部分对应制程设备的产出 [4] - 此举是SK海力士战略转型的一部分，旨在将自己定位为“AI基建运营商”而非传统内存厂，以获取更高估值，并利用其计划中的144亿美元美国IPO所筹资金来支付设备费用 [3] - 订单将部署在清州M15X和龙仁半导体集群，以构建全球最大的HBM专业组装与测试中心及“EUV高密度区”，巩固其在HBM4时代的领导地位 [5][8] HBM技术推动存储进入EUV时代 - AI时代来临，HBM（高带宽存储器）成为驱动存储芯片广泛采用EUV技术的关键力量 [6][7] - 即将到来的HBM4（第七代HBM）基于第六代10nm级（1c）DRAM，使得EUV光刻从局部应用转变为全局核心，单位容量芯片消耗的EUV机时大幅增加 [7][8] - EUV设备正从提高良率的辅助工具，转变为决定HBM4产能上限的“战略质押物”，存储巨头正从EUV的轻度使用者转变为重度依赖者 [8] - 到2028年，预计ASML出货的EUV设备中，将有约44台（接近总量92台的一半）用于DRAM生产，而历史上存储厂需求占比仅为10%-15% [17][18] 新进入者：特斯拉（马斯克）的Terafab项目 - 特斯拉宣布了名为“Terafab”的芯片制造项目，计划投资200亿至250亿美元，在单一建筑内集成逻辑芯片、存储芯片、先进封装、测试及光刻掩模版生产 [10][11][12] - 该项目旨在生产用于特斯拉汽车、Optimus人形机器人和SpaceX卫星的芯片，目标年产出1 Terawatt的AI算力，约为当前全球年算力产出（约20GW）的50倍 [12] - Terafab项目锁定2nm甚至更先进制程节点，这意味着必须使用ASML生产的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备，单价预计超过4亿美元 [14] - 特斯拉已开始与ASML接触讨论设备交付，其入场将进一步加剧本就紧张的EUV产能争夺 [15] ASML的供应瓶颈与行业影响 - EUV光刻机几乎完全由ASML独家供应，制造复杂，交付周期长（约1-2年），年出货量有限，无法通过简单扩产满足需求 [16] - ASML的EUV设备年出货量从2025年的60+台，预计增长至2026年的约75台，到2028年可能达到约90台 [16] - 截至2025年底，ASML积压订单高达388亿欧元，其中EUV系统占65%，产能排期已延伸至2027年 [4][18] - EUV产能提升缓慢（每年仅增10-15台），受限于全球唯一的光学系统供应商蔡司、极紫外光源供应商Cymer等精密供应链环节 [18] - 面向2nm及以下节点的新一代High-NA EUV设备分辨率提升约70%，但单价升至3-4亿美元以上，且早期产能极其有限 [19][20] - 为应对激增需求并提升效率，ASML宣布计划裁员1700人（约占全球员工4%），其中90%为管理岗和IT支持岗位，旨在去官僚化并招聘更多核心工程师 [20] - 半导体行业的“入场费”已升至普通玩家无法承受的高度，设备竞争正演变为广泛的“资源争夺” [22]