Silicon Carbide (SiC)

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Vishay Intertechnology Gen 3 650 V and 1200 V SiC Schottky Diodes Increase Efficiency While Enhancing Electrical Insulation
Globenewswire· 2025-07-09 23:00
文章核心观点 Vishay Intertechnology推出三款新型Gen 3 650 V和1200 V碳化硅肖特基二极管,具有低电容电荷、高最小爬电距离等特性,能提高高速硬开关电源设计效率,适用于多种领域 [1] 产品特性 - 采用紧凑型薄型SlimSMA HV (DO - 221AC)封装,1 A和2 A器件低电容电荷,最小爬电距离3.2 mm [1] - 高爬电距离提供更好电气隔离,SlimSMA HV封装模塑料CTI ≥ 600确保良好电气绝缘 [2] - 低外形高度0.95 mm,小于类似尺寸的竞争SMA和SMB封装的2.3 mm [2] - 电容电荷低至7.2 nC,不受温度影响,开关速度快、功率损耗低、高频应用效率高 [3] - 几乎无恢复尾,MPS结构使正向压降降至1.30 V [3] - 工作温度高达 +175 °C,具有正温度系数便于并联 [4] - 符合RoHS标准且无卤,湿度敏感度等级为1,满足JESD 201 2类晶须测试 [5] 产品规格 | 型号 | 电流IF (A) | 电压VR (V) | 正向压降VF at IF (V) | 反向电流IR at VR at 175 C (μA) | 电容电荷QC (nC) | 配置 | 封装 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | VS - 3C01EJ12 - M3 | 1 | 1200 | 1.35 | 4.5 | 7.5 | | SlimSMA HV (DO - 221AC) | | VS - 3C02EJ07 - M3 | 2 | 650 | 1.30 | 2.0 | 7.2 | | SlimSMA HV (DO - 221AC) | | VS - 3C02EJ12 - M3 | 2 | 1200 | 1.35 | 5.0 | 13 | | SlimSMA HV (DO - 221AC) | [6] 应用领域 - 适用于服务器电源、能源生成和存储系统、工业驱动器和工具、X射线发生器等领域的DC/DC和AC/DC转换器中的自举、反并联和PFC二极管 [4] 供货情况 - 新碳化硅二极管样品和量产产品已可提供,交货周期14周 [8] 公司介绍 - Vishay生产全球最大的分立半导体和无源电子元件产品组合之一,服务于多个市场 [9] 产品资料链接 - VS - 3C01EJ12 - M3数据手册链接:http://www.vishay.com/ppg?97284 [11] - VS - 3C02EJ07 - M3数据手册链接:http://www.vishay.com/ppg?97287 [11] - VS - 3C02EJ12 - M3数据手册链接:http://www.vishay.com/ppg?97286 [11] 联系方式 - Vishay Intertechnology:Peter Henrici,+1 408 567 - 8400,peter.henrici@vishay.com [11] - Redpines:Bob Decker,+1 415 409 - 0233,bob.decker@redpinesgroup.com [11]
Here's Why Aehr Test Systems Surged in June (Hint: It's AI related)
The Motley Fool· 2025-07-05 07:19
股价表现 - Aehr Test Systems股票在6月上涨35.5% [1] 核心业务与市场结构 - 公司以碳化硅(SiC)晶圆级老化测试(WLBI)设备闻名 该市场占2024年营收的90% [2] - SiC WLBI业务主要依赖电动汽车(EV)市场及充电基础设施需求 [2] - 关键客户如安森美半导体受高利率影响 预计2025年销售额下降16.5% [3] 收入多元化进展 - SiC WLBI收入占比已降至40%以下 AI处理器老化测试业务首年即贡献35%营收 [4] - 第三季度新增4个客户(占营收10%) 其中3个来自新开拓市场 [4] - 氮化镓(GaN)半导体WLBI业务与AI处理器封装部件老化测试(PPBI)成为新增长点 [7] 行业动态与潜在机会 - 英伟达5月底财报提振AI和GaN WLBI投资热情 其2027年数据中心架构计划中纳微半导体成为合作伙伴 [6] - 市场推测纳微半导体可能成为公司新客户 [6] 未来发展前景 - 替代性收入增长显著降低对EV市场的依赖度 [8] - SiC WLBI需求预计随EV投资复苏而改善 但公司整体营收仍呈现强周期性特征 [8]
Navitas Announces Plans for 200mm GaN Production with PSMC
Globenewswire· 2025-07-02 04:45
文章核心观点 公司宣布与Powerchip建立战略伙伴关系,开展200mm GaN-on-silicon技术的生产和研发,以加强供应链、推动创新和提高成本效率,支持GaN在AI数据中心、电动汽车、太阳能和家电等领域的应用 [1][14] 合作信息 - 公司与Powerchip达成战略伙伴关系,开展200mm GaN-on-silicon技术的生产和研发 [1] - 公司的GaN IC产品组合预计将使用Powerchip位于台湾竹南科学园区的8B厂的200mm生产线 [2] - Powerchip预计将制造公司电压等级从100V到650V的GaN产品组合,以满足48V基础设施对GaN不断增长的需求 [4] 技术优势 - Powerchip具备改进的180nm CMOS工艺,可带来性能、功率效率、集成度和成本方面的提升 [3] - 200mm GaN-on-silicon在180nm工艺节点上生产,能够继续创新更高功率密度、更快和更高效的设备,同时提高成本、规模和制造良率 [3] 市场动态 - 公司近期在AI数据中心、电动汽车和太阳能市场有多项合作,包括与NVIDIA、Enphase和长安汽车的合作 [5] 双方表态 - 公司CEO表示与Powerchip合作有助于推动产品性能、技术发展和成本效率的持续进步 [6] - Powerchip总裁称产品认证接近完成,即将实现大规模生产,并承诺扩大合作,支持公司开拓和发展GaN市场 [6] 公司介绍 - Powerchip是一家台湾半导体代工厂,提供代工、设计、制造和测试服务,擅长开发和制造多种半导体产品 [7] - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司,拥有GaNFast和GeneSiC等技术,专注于多个市场,拥有300多项专利 [8]
Navitas Semiconductor Announces First Quarter 2025 Financial Results
Globenewswire· 2025-05-06 04:03
文章核心观点 公司公布2025年第一季度未经审计财务结果,多项技术成果和可靠性成就,结合去年4.5亿美元设计中标,为公司今年及未来增长奠定基础 [1][2] 1Q25财务亮点 - 2025年第一季度总营收1400万美元,2024年第一季度为2320万美元,2024年第四季度为1800万美元 [8] - GAAP运营亏损2530万美元,2024年第一季度为3160万美元,2024年第四季度为3900万美元;非GAAP运营亏损1180万美元,2024年第一季度为1180万美元,2024年第四季度为1270万美元 [8] - 截至2025年3月31日,现金及现金等价物为7510万美元 [8] 市场、客户和技术亮点 - GaN预计未来12个月在AI数据中心、太阳能微逆变器和电动汽车等主流市场实现量产增长 [7] - GaN出货量超2.5亿,现场可靠性达100ppb,树立行业标杆 [7] - SiC可靠性超AEC标准,电压2.3kV至6.5kV,拓展至商用电动汽车领域 [7] - 宣布全球首款量产650V双向GaN IC和IsoFast高速隔离栅极驱动器,应用广泛 [8] - 宣布用于数据中心的12kW平台设计,支持新一代AI处理器 [8] - 自2018年以来GaN累计出货超2.5亿,现场可靠性达100ppb [8] - GeneSiC可靠性超汽车级,新AEC Plus测试树立行业新标准 [8] - GaNSafe技术获Q101标准认证,与长安合作用于首款GaN电动汽车车载充电器,预计2026年初量产 [8] - GeneSiC超高压2.3kV至6.5kV瞄准兆瓦级新能源市场 [8] 业务展望 - 2025年第二季度净收入预计1400万至1500万美元 [5] - 第二季度非GAAP毛利率预计38.5%±50个基点,非GAAP运营费用约1550万美元 [5] 非GAAP财务指标 - 非GAAP财务指标包括非GAAP运营费用、研发费用等,经GAAP结果调整,提供补充信息,应与GAAP结果结合理解 [10] 关于客户管道和设计中标说明 - “客户管道”反映潜在未来业务,“设计中标”指客户选择公司产品用于特定生产项目,均为前瞻性声明,不代表订单或未来收入 [11] 公司介绍 - 公司是唯一纯下一代功率半导体公司,2014年成立,GaNFast功率IC集成氮化镓,GeneSiC功率器件为碳化硅解决方案,聚焦多个市场,拥有超300项专利,提供20年GaNFast保修,是全球首家获碳中和认证半导体公司 [16]
Navitas GaNSense™ Motor Drive ICs Deliver Industry-Leading Performance, Efficiency, & Robustness in Home Appliances & Industrial Applications
Globenewswire· 2025-05-01 20:30
文章核心观点 公司宣布推出面向高达600W家用电器和工业驱动器的GaNSense™电机驱动IC新品,该产品具有高效、低成本、小尺寸等优势 [1] 产品特点 - 全集成解决方案将半桥配置的两个GaN FET与驱动、控制、传感和自主保护相结合,与传统硅IGBT解决方案相比,效率提高4%,PCB尺寸减小40%,系统成本降低15% [2] - 具备双向无损电流感应功能,可测量正负电流,无需外部分流电阻,提高效率、可靠性并使设计更紧凑 [3] - 开关的导通和关断转换速率完全可调,可优化EMI、性能并最大化效率 [4] - 具有自主续流功能,检测到反向电流时开启GaN IC,降低传导损耗、最大化效率并减小散热器尺寸和成本 [4] - 具备多种安全功能,如高低侧短路保护、过温保护和2kV ESD防护 [4] 产品型号及应用 - 650V系列包括NV6257、NV6287和NV6288,支持高达600W的驱动器 [5] - 目标应用集中在高达600W的电机驱动器,涵盖家用电器和低功率工业驱动器 [5] 产品展示及信息获取 - 产品将在PCIM 2025上展示 [6] - 可通过指定链接获取数据手册,或联系指定邮箱获取更多信息 [6] 公司介绍 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司,成立于2014年,拥有10年功率创新历史 [7] - 其GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动,具备控制、传感和保护功能;GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性碳化硅解决方案 [7] - 专注市场包括AI数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费等领域 [7] - 拥有300多项已发布或待发布专利,提供行业首个也是唯一的20年GaNFast保修,是全球第一家获得碳中和认证的半导体公司 [7]