技术路线与量产规划 - 台积电2纳米制程预计于2025年底全面投产，之后将过渡至1.4纳米节点 [2] - 1.4纳米制程预计于2028年左右开始量产，公司已为此投入高达1.5万亿新台币（约合490亿美元）的初期投资 [2] - 公司在新竹工厂启动1.4纳米制程研发，并已购置30台EUV光刻机以支持先进制程发展 [2] 设备投资策略转变 - 台积电决定不购买ASML高数值孔径EUV光刻机，该设备单价为4亿美元 [3] - 公司转向采用光掩模防护膜技术，作为高数值孔径EUV光刻机的高成本替代方案 [3] - 高数值孔径EUV光刻机年产量有限（仅5到6台），而台积电计划购买30台标准EUV光刻机以满足客户需求，因此认为前者不符合其长期目标 [3] 亚2纳米制程的技术挑战 - 亚2纳米工艺必须使用防护膜，以防止灰尘和其他颗粒污染制造过程 [3] - 使用标准EUV机器生产1.4纳米和1纳米晶圆需要更多曝光次数，这可能导致光掩模使用更频繁并影响良率 [3] - 防护膜在此阶段是防止污染物进入晶圆制造的必要措施 [3]