ASML CEO对中国光刻机研发的评论 - ASML CEO认为中国已开始研发国产光刻设备，尽管技术赶超仍需时间，但美国打压措施会促使中国更努力取得成功 [1] - CEO建议将注意力放在创新而非打压竞争对手上 [1] 中国科学院的固态DUV激光技术突破 - 研发的固态DUV激光可发射193nm相干光，与主流DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm [1] - 激光平均功率70mW，频率6kHz，线宽低于880MHz，半峰全宽(FWHM)小于0.11pm，光谱纯度与商用准分子激光系统相当 [1] - 该技术可应用于3nm工艺节点 [2] 固态DUV光源的技术优势 - 设计可大幅降低光刻系统复杂度、体积，减少对稀有气体的依赖，并显著降低能耗 [3] 技术现状与ASML的差距 - 全固态DUV光源技术光谱纯度接近商用标准，但输出功率和频率仍较低 [4] - 频率达到ASML技术的约2/3，但输出功率仅为ASML的0.7%，需进一步迭代提升才能落地 [4] 技术公开情况 - 相关技术已在国际光电工程学会(SPIE)官网公布 [4]