市场增长与规模 - 功率氮化镓市场在2020年至2025年间增长了十倍以上，预计到2030年市场规模将达到29亿美元，2024年至2030年的复合年增长率为42% [2] - 数据中心和电信市场是重要增长领域，预计到2030年将占据13%的市场份额，NVIDIA与德州仪器、英诺赛科等公司的合作正推动GaN在800V高压直流输电系统中的应用 [2] - 消费和移动应用是主要增长动力，特别是高达300W的快速充电器以及过压保护和家用电器等新机遇，到2030年该领域将占据50%以上的市场份额 [2] - 汽车和出行是另一个主要增长引擎，GaN已应用于ADAS的激光雷达系统，并将在车载充电器、DC-DC转换器等领域规模化应用，预计到2030年占据约19%的市场份额 [2] - 工业和电网是第三大增长动力，在光伏、电池储能系统及工业电机驱动领域前景广阔，预计到2030年这些领域将合计占据整个市场约11%的份额 [3] 行业格局与竞争动态 - 功率氮化镓行业自2023年进入整合期，主要受重大并购案推动，例如英飞凌以8.3亿美元收购GaN Systems，瑞萨电子以3.39亿美元收购Transphorm [6] - 过去几年该领域投资已超过12.5亿美元，初创企业如Wise Integration融资1640万美元，凸显市场强劲发展势头 [6] - 多家公司正在加紧布局：意法半导体建设8英寸GaN晶圆厂，Nexperia扩展其e-mode平台，罗姆推出EcoGaN器件，三星准备在2026年发布GaN产品 [6] - 行业面临挑战，EPC、英飞凌和英诺赛科之间持续的知识产权纠纷可能会减缓GaN的普及速度 [6] - 代工厂如X-Fab、GlobalFoundries以及新进入者力积电和Polar Semi都在扩大产能，外延厂与IDM之间的合作增强了供应弹性 [6] 技术创新与成本降低 - 行业正从主流的6英寸硅基氮化镓迅速向8英寸晶圆过渡，预计到2030年8英寸将满足80%以上的需求 [8] - 在12英寸技术方面，英特尔在2024年第四季度展示了初步结果，英飞凌也进行了演示并宣布将于2025年第四季度提供样品，但预计在当前预测期内不会有大量产量 [8] - 氮化镓外延是HEMT生产中最昂贵的步骤，是优化的重点，爱思强的G10 MOCVD平台有望降低外延成本 [9] - VIS已在2024年实现8英寸QST上氮化镓的大批量生产，利用Qromis衬底提高产量并降低成本，IMEC近期启动的300毫米GaN项目预计将进一步降低制造成本 [9] - 器件层面进展包括纳维和英飞凌将于2025年推出1200V以上GaN以及600-650V双向器件，后者已被Enphase用于其下一代微型逆变器以节省BOM成本 [9]