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半导体结构及其形成方法(专利)
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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,有利于实现更多的器件功能
搜狐财经· 2025-05-05 13:52
文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利,该专利利于实现更多器件功能、提高电路多样性,同时介绍了两家公司的基本信息[1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN119920780A,申请日期为2023年10月 [1] - 该专利方法包括提供含器件区和互连区的基底、在器件区基底上形成器件、形成覆盖器件和基底的介质层、形成通孔互连结构、对基底背向介质层一面进行减薄处理直至露出通孔互连结构,有利于实现更多器件功能,提高半导体结构的电路多样性 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 成立于2002年,位于北京市,从事计算机、通信和其他电子设备制造业,注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业,参与招投标项目51次,有专利信息5000条,拥有行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 成立于2000年,位于上海市,从事计算机、通信和其他电子设备制造业,注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业,参与招投标项目117次,有商标信息149条、专利信息5000条,拥有行政许可443个 [2]
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,提高器件集成度
搜狐财经· 2025-04-17 19:33
文章核心观点 中芯国际旗下三家公司申请“半导体结构及其形成方法”专利,该方法可提高器件集成度,同时介绍了中芯国际集成电路制造(北京)有限公司的基本情况 [1][2] 专利申请情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)、中芯京城集成电路制造(北京)、中芯国际集成电路制造(上海)申请“半导体结构及其形成方法”专利,公开号CN 119833523 A,申请日期为2023年10月 [1] - 专利方法包括提供存储晶圆和第一衬底、形成第一器件层、键合、形成阱区、导电插塞和互连结构等步骤,可使各晶圆竖直电连接,减小水平芯片面积,提高器件集成度 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年,位于北京,从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本100000万美元,对外投资1家企业,参与招投标项目51次,有专利信息5000条,拥有行政许可226个 [2]