2025年1月-3月，兆易创新实现营业收入19.09亿元，同比增长17.32%；归属净利润2.35亿元，同比增长 14.57%。 截至3月31日，兆易创新股东户数14.6万，人均流通股4542股。 7月30日，兆易创新盘中上涨5.0%，截至09:34，报126.3元/股，成交14.21亿元，换手率1.71%，总市值 838.71亿元。 资料显示，兆易创新科技集团股份有限公司位于北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101，公司是 一家无晶圆厂半导体公司，主要开发存储器技术和IC解决方案，核心产品线包括FLASH、32位通用型 MCU及智能人机交互传感器芯片及整体解决方案。公司在中国市场的SPINORFLASH市场占有率较 高，累计出货量超130亿颗，年出货量超28亿颗，32位通用MCU产品累计出货量已超过4亿颗。 ...

SIA总裁兼执行长John Neuffer表示，台积电董座魏哲家与前董座刘德音是产业巨擘，他们重塑了美国国 内外的现代半导体生态系统，并彻底革新了芯片制造技术。 John Neuffer表示，在魏哲家与前董座刘德音的努力下，台积电如今已成为全球最大的芯片代工制造 商，并成为全球半导体供应链的基石。在他们的领导下，台积电在半导体产业中扮演着至关重要的角 色，开发了无数突破性的技术进步，重塑了运算效能、能源效率和全球供应链。这些突破性技术推动了 个人运算、智慧型手机、人工智慧等技术的兴起。在他们的领导下，台积电显著拓展其全球业务，在美 国和其他国家设立了重要的制造工厂。 依据新闻稿，魏哲家表示："获得SIA的诺伊斯奖并追随包括台积电创办人张忠谋博士在内的众多行业 远见者的脚步，我深感荣幸。我很荣幸与Mark分享这一认可，因为它反映了无数人的集体努力和奉献 精神——我们现任和前任员工，他们坚持不懈地突破技术和制造的界限；我们的客户，他们的激励着我 们每天进行创新。" 至于刘德音则在新闻稿提到，"获得诺伊斯奖既是莫大的荣誉，也是一份巨大的责任，因为它激励我们 去鼓励未来的产业领袖，我感谢SIA对CC和我的认可，也感谢 ...

天眼查App显示，近日，上海秦之半导体科技有限公司成立，法定代表人为杨贺，注册资本1000万人民 币，秦之科技（上海）有限公司、昆山信芯半导体科技有限公司持股。 企业名称上海秦之半导体科技有限公司法定代表人杨贺注册资本1000万人民币国标行业制造业>计算 机、通信和其他电子设备制造业>电子器件制造地址上海市普陀区石泉东路190号1层企业类型有限责任 公司(外商投资企业与内资合资)营业期限2025-7-23至无固定期限登记机关普陀区市场监督管理局 来源：金融界 序号股东名称持股比例1秦之科技（上海）有限公司65%2昆山信芯半导体科技有限公司35% 经营范围含技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；集成电路设计；集成电 路制造；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；新材料技术推广服务； 电子专用材料研发；电子专用材料制造；半导体分立器件销售；半导体分立器件制造；半导体器件专用 设备制造；半导体器件专用设备销售；货物进出口；技术进出口；信息咨询服务（不含许可类信息咨询 服务）；物业管理；金属材料销售；通讯设备销售；家用电器销售；厨具卫具及日用杂品批发；计算机 软硬件及辅助 ...

公司融资情况 - 山西国科半导体光电有限公司完成亿元级A轮融资 投资方包括太行基金、山证投资、腾飞资本、首业资本、上海彧好 [1] 公司背景与技术优势 - 公司成立于2020年底 由中科院半导体所科学家团队创立 [2] - 国内唯一打通Ⅲ-Ⅴ族锑化物半导体全链条产线的高新企业 [2] - 主营产品包括激光芯片、红外探测器件及指挥系统 应用于量子通信、航空航天、低空安防、医疗美容等高端场景 [2] - 拥有全国首条Ⅲ-Ⅴ族锑化物兼容产线 技术壁垒极高 [4] 融资资金用途 - 持续加码材料、芯片、器件到系统的全流程研发迭代 [3] - 扩建首期产线 提升高端激光与红外模组产能 [3] - 加速量子通信、国土防御等新兴市场的纵深拓展 [3] 投资方观点 - 太行基金看好公司近二十年技术沉淀与全链条自主可控技术 [4] - 产品已批量进入航天、量子等战略赛道 市场空间广阔 [4] - 核心团队兼具科研深度与产业化经验 是稀缺的"硬科技+硬场景"标的 [4] 行业与政策环境 - 国家部委近期密集出台鼓励半导体与量子技术的创投政策 [5] - 公司技术响应国家号召 彰显硬科技创业速度 [5] - 投资机构精准卡位国家战略赛道 体现专业担当 [5]

光刻机行业核心观点 - 光刻机是半导体设备中市场占比最大的品类，2024年全球半导体设备销售额1090亿美元，光刻机占比达24% [5][11] - 全球光刻机市场呈现寡头垄断格局，ASML、Nikon和Canon长期占据主导地位，其中ASML在高端EUV光刻机领域具有绝对垄断优势 [42][44][49] - 光刻技术经历五代迭代，从436nm g-line发展到13.5nm EUV技术，EUV光刻机成为延续摩尔定律的核心突破 [10][12][15] - 中国光刻机需求旺盛，2024年占ASML销售额41%，但国产化率仅2.5%，技术差距明显 [55][77][79] - 大基金三期将重点扶持本土企业和关键技术瓶颈领域，国内光刻机相关公司有望受益 [2][101] 光刻机概述 - 光刻工艺是对光刻胶进行曝光和显影形成三维图形的过程，直接决定集成电路制造的微细化水平 [2][18] - 光刻机关键指标包括分辨率、套刻精度、产率和焦深，ASML最新机型分辨率达38nm，套刻精度1.4nm [23][25] - 光刻机工作流程涵盖涂胶、曝光、显影等环节，核心设备包括光刻机及配套涂胶显影设备 [22] 核心技术及市场空间 - 光刻机成像质量取决于光源、投影物镜、工件台等系统协同配合，EUV光刻机需5千家供应商提供10万个零部件 [29][32] - 光学系统、对准系统、调焦调平系统是核心技术，ASML的EUV光学部件主要由蔡司供应 [33][35] - 2025年全球光刻机市场规模预计293.7亿美元，照明+物镜、光源、工件台市场规模分别为47.8、28.6、21.5亿美元 [37][40] 市场格局分析 - ASML 2024年出货418台光刻机，占全球市场61.2%，EUV光刻机均价达1.88亿欧元 [42][52][54] - 高端机型被ASML垄断，Nikon和Canon主要集中在中低端品类，Canon 2024年出货233台i-line和KrF光刻机 [49][61] - ASML在EUV和ArFi光刻机领域优势明显，2024年出货44台EUV和129台ArFi光刻机 [51] 发展现状及驱动因素 - AI驱动先进逻辑及存储需求增长，预计2030年相关半导体销售超3500亿美元，推动光刻机市场发展 [71][73] - EUV光刻支出预计2025-2030年CAGR 10-25%，单芯片EUV曝光次数将从5次增至25-30次 [74] - 上海微电子已量产90nm ArF光刻机，28nm浸没式光刻机研发取得进展 [76][127] 国产替代进展 - 美日荷持续加强对华光刻机出口管制，国产替代迫在眉睫 [79][81] - 国内政策大力扶持，02专项推动光刻机整机及关键部件研发，上海微电子后道封装光刻机全球市占率约40% [85][88] - 哈工大成功研制13.5nm EUV光源，中科院上海光机所研发全固态深紫外光源系统，技术取得突破 [86][115] 国内相关公司 - 茂莱光学掌握精密光学五大核心技术，超精密物镜系统已搭载i-line光刻机 [103][104] - 波长光电产品覆盖紫外到远红外波长范围，应用于激光加工和红外热成像领域 [105][108] - 福晶科技在非线性光学晶体领域国际领先，提供"晶体+光学元件+激光器件"一站式服务 [112][113] - 旭光电子布局可控核聚变和半导体领域，高功率电子管全球唯二 [114][115]

专利技术突破 - 中芯国际及其关联公司申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120237113A，申请日期为2023年12月 [1] - 该专利技术通过优化半导体结构设计，包括衬底、互连通孔、电极层和隔离层等，缩小了互连通孔内隔离层的形成空间，从而减少了隔离层的形成厚度，提升了加工效率 [1] - 专利技术还通过在第二面和导电层表面形成钝化层，避免了导电层开裂的风险，极大提升了半导体结构的良率 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯京城集成电路制造（北京）有限公司成立于2020年，注册资本50亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，参与招投标34次，拥有专利14条，行政许可248个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有商标150条，专利5000条，行政许可442个 [2] 研发实力 - 中芯国际及其关联公司在半导体制造领域展现出强大的研发实力，仅中芯国际(北京)和(上海)两家公司就各自拥有5000条专利信息 [2] - 中芯京城虽然成立时间较短(2020年)，但已拥有14条专利信息，显示出快速发展的研发能力 [2]

文章核心观点 CT Group 在成立33周年之际举办系列活动并完成第二个30年征程首个三年计划，下半年还有多项重要计划，在芯片设计等方面有诸多布局且具备多方面优势，还提议确立越南半导体日 [1] 近期活动 - 2025年6月29日在胡志明市举行物联网芯片发布仪式，芯片由越南工程师采用CMOS及III/V半导体设计技术打造 [1] 战略布局 - 建立芯片设计集群，研究设计AI、IoT及特定领域专用芯片，开发用于SoC设计的IP内核和功能模块 [1] - 进行战略布局掌握半导体光刻技术，采用无工厂模式运营，构建全球合作网络，培育专家团队，提议政府投资光刻设备，目标2030年实现全产业链整合保障芯片安全 [3] - CT Semiconductor建立三家ATP工厂、两家研发中心和两家客户服务中心 [3] 优势 - 市场优势：在UAV、IoT、近地空间经济及国防领域有需求，智慧城市生态系统和CT UAV提供测试与应用市场 [4] - 人力资源优势：拥有经验丰富的工程师团队，与顶尖学府合作培养人才，汇聚专家担任核心技术顾问 [4] - 基础设施优势：项目获CT Group生态系统支持，ATP工厂具备芯片封装与测试能力 [5] - 其他优势：对半导体产业长期投入，规划芯片发展路线图，与政府战略契合，掌握2纳米CMOS技术设计复杂芯片能力 [5] 其他提议 - 提议将2025年4月30日确立为越南半导体日 [6]

中塞自贸协定 - 中塞签署新自贸协定 规定95%进出口商品零关税 实现两国贸易几乎完全免税状态 [8] - 零关税政策显著提升塞尔维亚产品在中国市场竞争力 为该国经济增长注入强劲动力 [8][10] 英国对华政策转变 - 英国前首相布莱尔访华时明确表态希望加强中英经贸合作 强调深化双边关系 [12] - 英国媒体调整立场 学者评价"一带一路"为动荡局势中的稳定发展机遇 首相苏纳克频繁释放重启中英贸易合作信号 [14] - 英国态度转变主因包括俄乌冲突导致的能源危机、高通胀及经济压力 需借助中国实现经济复苏 [14][15] 美国战略困境 - 美国持续对乌克兰军事援助 联合北约制裁俄罗斯以削弱其经济军事力量 [18] - 美国战略重心转向亚太 通过半导体技术封锁等手段遏制中国高科技领域崛起 [18] - 美国全球军事布局(中东/非洲)消耗大量资金 国内经济压力加剧 债务负担沉重 [18][19] 国际经贸格局变化 - 中塞自贸协定展示中国坚持和平发展合作共赢模式 对真诚合作国家持开放态度 [21] - 英国战略自主选择反映现实利益导向 美国因多重困境无力干预盟友外交决策 [15][21]

半导体技术突破与6G发展 - 布里斯托大学团队开发SLCFET晶体管结构，利用GaN材料中的锁存效应提升速度和功率，推动6G技术发展 [4] - 该技术突破可实现远超现有网络的数据传输能力，支持自动驾驶、远程医疗等未来应用场景 [4][5] - 研究发表在《自然电子》杂志，涉及全球范围数据传输加速的物理方法创新 [4] 技术原理与性能提升 - SLCFET采用并行通道设计，包含超1000个宽度小于100纳米的鳍片驱动电流，在W波段(75-110GHz)展现最高性能 [8] - 锁存效应被发现是GaN射频器件性能提升的关键，通过超精密电测量和光学显微镜定位效应发生位置 [8] - 3D模拟验证锁存效应可靠性，长期测试表明介电涂层可保障器件稳定性，不影响性能 [10] 应用前景与商业化 - 6G需半导体技术全面升级，GaN射频放大器需提高速度、功率及可靠性 [7] - 技术可应用于远程医疗、虚拟教育、工业自动化及高级驾驶辅助系统等领域 [5][7] - 下一步将提升功率密度以服务更广泛用户，行业合作伙伴正推动商业化落地 [10] 研究机构与产业布局 - 布里斯托大学器件热成像与可靠性中心(CDTR)专注下一代半导体开发，涉及净零排放、通信及雷达技术 [10] - 团队利用宽带隙和超宽带隙半导体优化器件热管理、电气性能及可靠性 [10]

半导体技术突破 - 布里斯托大学团队开发了SLCFET晶体管结构，利用GaN材料中的锁存效应提高速度和功率，推动6G技术发展[4] - 该技术突破可能实现自动驾驶、远程医疗诊断和虚拟现实等未来应用场景[4] - 研究成果发表在《自然电子》杂志，可加速全球范围内的海量数据传输[4] 6G技术潜力 - 6G网络需要半导体技术、电路和系统的重大升级，关键元件GaN射频放大器需提高速度、功率和可靠性[7] - 6G应用包括远程医疗、虚拟教育、工业自动化和高级驾驶辅助系统，潜力仅受想象力限制[5][7] - 行业合作伙伴计划将下一代设备商业化，需进一步提高功率密度以服务更广泛用户[12] SLCFET技术细节 - SLCFET采用超晶格城堡场效应晶体管结构，使用超过1000个宽度小于100纳米的鳍片驱动电流[9] - 在W波段频率范围（75-110千兆赫）展现最高性能，锁存效应发生在最宽的鳍片上[9] - 3D模拟验证了锁存效应，长期测试表明该效应不影响器件可靠性，关键因素是鳍片周围的介电涂层[11][12] 研究团队背景 - 布里斯托大学器件热成像与可靠性中心（CDTR）专注于下一代半导体电子设备开发[7][13] - 团队利用宽带隙和超宽带隙半导体改善器件热管理、电气性能和可靠性[13] - 研究覆盖净零排放、通信和雷达技术领域[13]