技术突破与器件性能 - 基于异质集成钽酸锂的硅马赫-曾德尔调制器展现出竞争特性，其设计采用混合SiN/LT MZM结构，LT通过微转移印刷技术后端集成到采用标准PDK设计的硅光子芯片上[2][3] - 该调制器实现了低插入损耗和传播损耗，在7毫米长臂中总计为2.9 dB，并在准直流实验中测得推挽配置下具有3.5 V的低半波电压[3] - 器件性能表现出色，工作带宽超过70 GHz，并在数据传输链路验证中实现了112 Gbaud的波特率，支持非归零和PAM4调制模式[3][5] 材料优势与应用前景 - 薄膜铌酸锂是集成光子学的领先材料，具备低光损耗和强大的电光系数，可实现超过100 GHz的高速调制带宽[2] - 薄膜钽酸锂因增强的稳定性和抗光损伤能力而受到关注，但锂污染对CMOS兼容性构成挑战，异质集成LT方案为此提供了解决路径[2] - 该技术为节能、经济、高速的光子应用铺平道路，特别适用于数据通信等领域，并确保了与适合批量生产的标准硅光子平台的无缝兼容性[5] 行业活动与产业推动 - 势银计划于2025年11月17-19日联合甬江实验室举办异质异构集成年会，主题为聚焦异质异构技术前沿，旨在助力宁波及长三角地区打造先进电子信息产业高地[6][7] - 会议将围绕多材料异质异构集成、光电融合等核心技术，聚焦三维异构集成、光电共封装、晶圆级键合等前沿先进封装技术维度，推动技术创新与产业应用深度融合[7]