新型人工智能存储芯片
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软银与英特尔的反击,终将失败?
半导体芯闻· 2025-06-16 18:13
合作项目概述 - 软银与英特尔联手开发新型人工智能高带宽内存,旨在与三星和SK海力士的HBM产品竞争[3] - 新公司Saimemory将牵头该项目,目标在两年内推出原型,并计划在2030年前实现商业化[3] - 软银是项目的最大投资者,在价值1000亿日元的项目中持有300亿日元的股份,英特尔提供技术支持,东京大学等学术机构提供专利[6] 技术特点与目标 - 计划打造具有新布线结构的堆叠式DRAM芯片,目标是将功耗相比当前HBM芯片降低一半[3] - 该内存专为人工智能数据中心设计,旨在满足日益增长的能耗和高吞吐量需求,以支持更高效、低成本的大规模AI训练[5] 市场背景与挑战 - 三星和SK海力士已领先几代,并牢牢占据全球HBM市场主导地位,Saimemory面临严峻的市场延迟挑战[5] - 日本曾占据全球DRAM市场70%以上的份额,但随着韩国和台湾企业崛起而退出市场,该项目被视为重建国内供应链、减少对韩国供应商依赖的努力[6] - 英特尔自身业务繁忙,需管理其代工扩张、推动AI芯片并试图夺回CPU市场份额,而软银则专注于发展Arm和扩大AI投资组合[6]