三星电子HBM热压键合设备供应链多元化 - 三星电子正持续推进其高带宽存储器关键组件热压键合设备的供应链多元化[2] - 公司已与海外半导体设备公司ASMPT完成了HBM TC键合机的演示测试，并决定进入下一阶段的联合评估项目合作[2] 技术细节与当前进展 - HBM是一种由多个DRAM垂直堆叠并通过硅通孔连接的存储器，三星电子采用在每个DRAM之间插入非导电粘合膜并通过热压粘合的工艺[2] - 该粘合工艺使用的设备是热压键合机，三星电子用于HBM的TC键合机主要由其子公司Semes供应[2] - 自去年以来，公司一直在采取措施，将更多国内外后端设备制造商纳入其供应链[2] - ASMPT与三星电子的合作测试在今年第一季度前处于实验室演示设备阶段[2] - 两家公司近期已同意开展TC键合机的联合工程项目，旨在通过将设备安装到批量生产线来验证性能和可靠性，这是评估设备实际适用性的一个阶段[3] 行业背景与战略考量 - 三星电子持续评估其用于HBM的TC键合机供应链的多元化发展，与ASMPT的联合工程项目是此战略的一部分[3] - 三星电子是否会将ASMPT的HBM热键合机应用于实际量产流程尚不确定，商业化前仍存在设备性能不佳或价格谈判等变数[3] 下一代技术趋势与影响 - 混合键合技术作为下一代HBM的键合工艺备受关注，它是一种无需使用微凸块即可直接连接芯片的技术，在提升芯片性能方面相比热压键合具有优势[3] - 由于混合键合技术难度较高，目前尚无将其商业化应用于HBM键合领域的先例[4] - 联合电子器件工程委员会正在寻求放宽下一代HBM的厚度标准，如果厚度增加，则更容易沿用现有的TC键合技术[4] - 混合键合技术尚未完善，目前在实际应用中可能只能采取一些有限的措施，例如仅应用于某些层，因此TC键合技术的发展可能会超出预期[4] - 在这种情况下，三星电子也会感受到对其TC键合器供应链多元化的更大需求[4]