数据中心资本开支向上游传导 - 数据中心投资浪潮正沿产业链向上游半导体设备领域传导 [1] - 半导体封装设备商ASMPT率先获得HBM4热压键合设备订单，其TC键合机业务与数据中心投资方向保持一致 [1] ASMPT公司业绩与市场地位 - 公司2024年整体营收为137.36亿港元，营业利润为6.255亿港元，分别同比增长10%和8.8% [2] - TC键合机业务收入同比激增146%，成为驱动公司增长的核心引擎 [2] - 公司在整体TC键合机市场份额“大致在30%左右”，但在HBM专用TC键合机细分市场，韩米半导体以71.2%的份额位居第一 [2] - 公司已获得HBM4 12层堆叠TC键合机订单并于2024年四季度完成出货，在内存市场取得有意义的市占率 [1] 技术发展与产品布局 - 针对16层HBM的新TC键合设备开发有序推进：助焊剂基设备已进入样品测试，无助焊剂工艺处于客户认证阶段 [3] - 混合键合设备在获得客户批准后已扩大出货，第二代设备亦在研发中 [3] - 16层堆叠以内的HBM仍可由TC键合技术应对，但进入20层阶段后，混合键合技术将部分参与 [2] - HBM4已实现12层商用化，TC键合是利用热与压力叠合芯片的核心工艺 [2] 市场增长预测与目标 - 全球TC键合机市场规模预计从2024年的7.59亿美元扩张至2028年的16亿美元，年均复合增长率约30% [1][4] - 公司目标在2028年占据扩大后市场35%至40%的份额 [1][4] 订单动能与未来需求 - 公司预计2025年一季度订单将环比增长约20%、同比增长约40%，有望创近四年单季最高纪录 [1][3] - 2025年是16层HBM对应TC键合机新需求浮现的关键年份，后续订单取决于客户量产进度及英伟达下一代GPU推出时间表 [3] 行业竞争与潜在机遇 - 韩米半导体与韩华Semitec的专利纠纷可能促使HBM客户加快推进供应商多元化，ASMPT有望从中获得间接受益 [1][5] - 三星电子正与混合键合设备龙头BESI共同评估引进ASMPT设备的可行性 [1] - SK海力士据报正在评估为2029年第八代HBM引入混合键合技术，这将影响设备厂商长期竞争格局 [5]

**公司：谷歌** * **TPUv9项目处于早期评估阶段** 正在进行分模块、分线路的评估，包括IP评估、EDA以及CAE仿真分析[1] * **TPUv9的核心技术方向已基本明确** 包括采用3D堆叠技术以及采用定制化的HBM[1] * **TPUv9的设计核心目标** 是为超大规模推理基础设施服务，要求在处理高batch size的同时支持深度推理[1] * **TPUv9面临的设计挑战** 是片上SRAM缓冲容量不足，导致大量权重访问需在HBM和主计算芯片间反复进行，造成计算效能损失[2] * **TPUv9的3D堆叠结构方案** 计算芯片会更靠近中介层，SRAM堆叠在计算芯片上方[2] * **TPUv9的3D堆叠技术细节** 3D存储器与计算Die之间采用混合键合技术，能提供接近片内I/O的连接密度，目前技术已能实现每平方毫米1万至2万个触点[3] * **TPUv9的供应链合作模式（当前）** 在项目早期阶段，主要是新思与谷歌直接合作，博通参与度不高，也未涉及联发科[4][5] * **TPUv9的供应链合作模式（未来潜在）** 未来存在谷歌TPU完全采用英特尔前后道工艺的可能性，但这仍是较远期的规划[3][4] * **TPUv9的物理尺寸预期** 预计TPUv9这一代的Die Size会变得更大，可能出现类似英伟达Ultra这种多Die整合的结构[6] **行业：半导体设计、制造与封装** * **先进封装技术趋势** 3D堆叠主要指对计算Die进行进一步堆叠，整合3DDRAM和SRAM或其混合体[1] 将SRAM集成到中介层内部的方案基本不会采用[2] 中介层的横向片间通信不适合高速、大容量的通信需求[3] * **先进半导体工艺节点动态** 英特尔18AP工艺当前主要服务于英伟达和苹果[3] 预计到2027年，当18AP工艺进入规模量产，14AE工艺进入早期风险市场阶段时，由于工艺已得到验证，英特尔可能会引入博通这类ASIC设计服务业务[3] * **半导体设计服务商策略** 博通目前处于场外待命状态，不愿用其客户的项目为英特尔的18AP工艺进行风险爬坡[3] 一旦14AE工艺成熟，博通的一个核心客户确实是谷歌[3] * **行业公司表现评估** 联发科在TPUv8项目上的表现据称不佳[5]

三星电子HBM热压键合设备供应链多元化 - 三星电子正持续推进其高带宽存储器关键组件热压键合设备的供应链多元化[2] - 公司已与海外半导体设备公司ASMPT完成了HBM TC键合机的演示测试，并决定进入下一阶段的联合评估项目合作[2] 技术细节与当前进展 - HBM是一种由多个DRAM垂直堆叠并通过硅通孔连接的存储器，三星电子采用在每个DRAM之间插入非导电粘合膜并通过热压粘合的工艺[2] - 该粘合工艺使用的设备是热压键合机，三星电子用于HBM的TC键合机主要由其子公司Semes供应[2] - 自去年以来，公司一直在采取措施，将更多国内外后端设备制造商纳入其供应链[2] - ASMPT与三星电子的合作测试在今年第一季度前处于实验室演示设备阶段[2] - 两家公司近期已同意开展TC键合机的联合工程项目，旨在通过将设备安装到批量生产线来验证性能和可靠性，这是评估设备实际适用性的一个阶段[3] 行业背景与战略考量 - 三星电子持续评估其用于HBM的TC键合机供应链的多元化发展，与ASMPT的联合工程项目是此战略的一部分[3] - 三星电子是否会将ASMPT的HBM热键合机应用于实际量产流程尚不确定，商业化前仍存在设备性能不佳或价格谈判等变数[3] 下一代技术趋势与影响 - 混合键合技术作为下一代HBM的键合工艺备受关注，它是一种无需使用微凸块即可直接连接芯片的技术，在提升芯片性能方面相比热压键合具有优势[3] - 由于混合键合技术难度较高，目前尚无将其商业化应用于HBM键合领域的先例[4] - 联合电子器件工程委员会正在寻求放宽下一代HBM的厚度标准，如果厚度增加，则更容易沿用现有的TC键合技术[4] - 混合键合技术尚未完善，目前在实际应用中可能只能采取一些有限的措施，例如仅应用于某些层，因此TC键合技术的发展可能会超出预期[4] - 在这种情况下，三星电子也会感受到对其TC键合器供应链多元化的更大需求[4]

JEDEC讨论放宽HBM高度标准 - 美国电子器件工程联合会（JEDEC）已开始全面讨论放宽高带宽存储器（HBM）的高度标准[1] - 增加HBM的DRAM堆叠层数可提升性能，但受限于全球半导体行业设定的高度标准[1] - 在既定高度内堆叠更多DRAM需减小芯片厚度，这会增加散热管理和良率方面的技术难度[1] - 由于GPU封装中可用于HBM的空间有限，增加高度还需重新设计其他组件[1] - JEDEC的讨论重点在于如何放宽HBM的高度规范，以允许堆叠更多DRAM[1] 高度标准放宽的具体内容与影响 - JEDEC正在讨论一项计划，拟将HBM产品的高度限制放宽至900微米（µm）[3] - 第五代HBM3E的高度已达到720微米，而今年年初投入全面量产的HBM4高度达到775微米[3] - 目前12层HBM是量产主流，16层及更高层数版本尚处于研发验证阶段[3] - 未来量产16至20层的高堆叠HBM，DRAM必须做得更薄，但已接近技术极限[3] - 如果高度规格大幅放宽，混合键合机的推出可能会被推迟[4] - 使用现有的TC键合机可以充分增加层数，这可能推迟昂贵的尖端设备引进[4][6] 对半导体设备制造商的影响 - 放宽标准后，无需使用下一代混合键合机，即可利用现有TC键合机制造高堆叠HBM[1] - 在TC键合机市场占据主导地位的韩美半导体有望继续保持其领先地位[1][4] - 韩美半导体在全球HBM TC键合机市场份额高达71.2%[4] - 正在开发混合键合机的后起之秀（如韩华半导体）可能面临市场扩张阻碍或更大压力[1][4] - 韩华半导体已完成第二代混合键合机研发，并计划于今年上半年交付客户测试[4] - 市场领导地位的归属可能取决于HBM高度标准的实施方式[1] 对存储器制造商的战略影响 - HBM存储器制造商的战略预计将进行部分调整[1] - 短期内有利于盈利，因为推迟引进昂贵的尖端设备可以降低成本[6] - 维持现有制造工艺在良率方面具有优势[6] - 即使混合键合技术的引入因规范放宽而延迟，但其最终普及应用势在必行[6] - 混合键合技术能够通过缩小DRAM之间的间距，同时提升数据传输效率和能效[6] - 对于20层及以上的HBM芯片而言，混合键合至关重要[6] - 三星电子发布的混合键合技术相比传统TC键合可将热阻降低20%以上，并支持16层及以上堆叠[7] 技术发展与客户需求的关键作用 - 混合键合机无需单独的凸点即可直接连接芯片，通过减小芯片间距，可在有限高度内堆叠更多DRAM[3] - 关键因素在于其主要客户英伟达，三星电子和SK海力士正开发HBM芯片以满足其性能要求[7] - 如果英伟达要求的性能较目前水平大幅提升，混合型设备的推出可能会提前[7] - 混合型键合机全面推广的时机，将综合考虑标准变化、技术进步速度以及客户需求等因素来确定[7]

文章核心观点 - 三星电子和SK海力士已宣布量产第六代高带宽存储器HBM4，但决定推迟引入混合键合技术，转而继续使用现有的热压键合机进行生产，混合键合技术的全面应用预计将推迟至下一代HBM4E产品，且初期仅用于部分高端产品线[1][2] HBM4技术路径与生产决策 - 三星电子和SK海力士计划通过调整堆叠高度和缩小微凸点间距至约10微米，继续沿用基于微凸点的TC键合机来量产HBM4，包括16层产品[1] - 公司已向客户寄送了采用混合键合技术的HBM4样品，但大规模生产将依赖TC键合机，混合键合计划在HBM4E阶段部分采用[1][2] 混合键合技术的现状与挑战 - 混合键合机被视为下一代HBM市场的颠覆性技术，无需凸点即可连接芯片，是制造20层或更高层数堆叠芯片的必备设备，能减少信号损耗提升性能[1] - 该技术尚未实现大规模生产和稳定良率，其价格是现有TC键合机的两倍多，且良率低于50%，因此公司选择优先发挥现有TC键合机的性能[2] - 行业消息指出，混合键合技术的稳定性目前不及TC键合机，在价格和良率方面仍有改进空间，无法用于大规模生产[2] 性能目标与行业动态 - HBM4的通道数比上一代翻倍，接口宽度增加，每引脚信号传输速度提升，NVIDIA要求其性能达到每引脚11.7 Gb/s[2] - 通过将微凸点间距缩小至约10微米的设计，现有TC键合技术仍可达到HBM4的目标性能要求[2] - 市场研究显示，美光公司原计划推出的无助焊剂键合机已推迟至2028年，原因同样是现有TC键合机可满足行业标准，且新设备成本高、良率低[2]

文章核心观点 先进封装，特别是混合键合技术，正成为后摩尔时代提升芯片算力的关键引擎。随着AI/HPC和HBM需求的爆发式增长，混合键合技术因其高密度、高性能的互连优势，正从研发走向大规模量产，市场前景广阔。全球半导体巨头正加速相关产能投资，而中国设备厂商也在该领域实现技术突破，国产替代进程加速。 混合键合技术概述 - **定义与原理**：混合键合是一种结合介电键合和金属互连的先进封装技术，通过在键合界面嵌入铜焊盘实现晶圆或芯片间的永久电连接，无需焊料凸块，适用于互连间距小于或等于10微米的场景[8] - **技术演进**：键合技术从1975年代的引线键合，历经倒装芯片、热压键合、高密度扇出，发展到2018年后的混合键合时代，连接密度从5-10个/平方毫米提升至1万-100万个/平方毫米，单位比特能耗从10皮焦/比特降至低于0.05皮焦/比特[10][11][12] - **工艺分类**：主要分为晶圆到晶圆和芯片到晶圆两种工艺，后者在异构集成、降低缺陷率方面更具灵活性，但生产率通常低于前者[14][15] 混合键合的优势与挑战 - **核心优势**： - **极致互连密度**：可实现1微米以下的互连间距，单位面积I/O接点数量较传统凸块键合提升千倍以上，大幅提升数据传输带宽[23] - **工艺兼容性与成本优化**：兼容现有晶圆级制造流程，可与TSV等技术结合[24] - **三维集成灵活性**：支持逻辑、存储、传感器等不同功能单元的垂直堆叠，推动3D IC和Chiplet架构发展[24] - **主要挑战**： - **良率与对准**：需要亚微米级对准，任何芯片缺陷都可能导致整个堆叠模组报废，量产要求良率高于99.9%[26] - **表面与洁净度要求**：表面粗糙度需小于0.1纳米，生产环境洁净等级需达到ISO3以上，远高于传统标准[26] - **测试流程复杂**：相比微凸点技术，混合键合后的测试更为困难[26] 混合键合的未来市场需求 - **HBM驱动**：在HBM5 20hi世代，三星、美光、SK海力士三大制造商已确定采用混合键合技术，以满足AI/HPC的极端需求，HBM4/5占比将逐步放量[28] - **台积电SoIC技术**：台积电的SoIC技术采用混合键合，其AP7工厂计划将2025年SoIC产量翻番至1万片，并预计2026年再翻一番[29][30] - **全球资本开支**：全球范围内接近1000亿美元的投资正在进行或已规划，用于建设新的先进封装产能[33] - **市场规模预测**： - 到2030年，全球已安装的混合键合系统累计数量预计将达到960至2000台[35] - 全球混合键合设备市场规模预计从2023年的1.2349亿美元增长至2030年的6.1842亿美元，年复合增长率为24.7%[37] - 亚太地区市场增长尤为显著，预计从2023年的8140万美元增长至2030年的4.2472亿美元，年复合增长率为26.05%[37] 海内外主要参与企业 - **海外竞争格局**：市场长期由EV Group、Besi等国际巨头主导，其中Besi在2023年市占率高达67%，全球前五大厂商占有约86%的市场份额[44] - **海外厂商进展**： - **Besi**：其混合键合设备Datacon 8800系列精度可达0.2微米以上，截至2025年累计订单已超100套，客户包括台积电、英特尔、三星等[46] - **ASMPT**：已向逻辑芯片客户交付首台混合键合设备，并获下一代HBM应用订单[46] - **EV Group**：2021年推出行业首部商用D2W键合应用系统，2022年在SoC堆叠中实现100%良率[46] - **中国设备市场**： - 键合机国产化率预计从2021年的3%提升至2025年的10%[47] - **拓荆科技**：推出国产首台量产级W2W混合键合设备Dione 300，已获重复订单，2024年营收41.03亿元，同比增长51.7%[47][49][50] - **百傲化学（芯慧联）**：其控股公司芯慧联芯推出D2W和W2W混合键合设备，2025年上半年半导体业务营收3.35亿元[47][54][55] - **迈为股份**：已开发晶圆混合键合设备并交付多家客户，2025年上半年半导体及显示业务营收1.27亿元，同比增长496.9%[47][60] BESI的行业地位与成功要素 - **市场领导地位**：Besi在混合键合设备市场占据绝对龙头地位，2023年市占率67%，2024年先进封装业务毛利率达65.2%[44][68] - **技术领先性**：其混合键合技术将互连密度提升至每平方毫米10000个以上，键合精度达0.5-0.1微米，单位比特能耗低于0.05皮焦/比特[70][71] - **战略合作**：与应用材料强强联合，共同开发全集成混合键合解决方案，与ASMPT和EVG的合作模式也证明了行业合作研发的可行性[73] - **订单增长动力**：2025年第三季度新增订单环比增长36.5%，主要受亚洲外包半导体封装和测试公司对数据中心、光子学及AI相关计算应用的设备需求驱动[79]

混合键合技术概述 - 混合键合是后摩尔时代突破算力瓶颈的关键使能技术，通过铜-铜直接键合实现10μm以下的超精细间距互连，在互连密度、带宽、能效和单位互连成本上带来数量级提升 [1] - 该技术是支撑3D堆叠与异构集成的关键突破，工艺分为晶圆对晶圆和芯片对晶圆 [1] - 技术已在3D NAND、CIS等领域成熟应用，并正加速向HBM、AI芯片、DDR6+及SoIC等高性能计算场景扩展 [1] 技术优势与挑战 - 技术优势包括极致互连密度与性能突破、工艺兼容性与成本优化潜力以及三维集成与异构设计灵活性 [2] - 技术挑战涉及缺陷控制、对准精度、热管理、晶圆翘曲、材料兼容性和工艺吞吐量等大批量生产难题 [2] 市场需求与驱动因素 - 混合键合技术正从先进选项转变为AI时代的核心基础设施，行业已进入高速落地期 [3] - 在存储领域，HBM5为实现20hi超高堆叠采用此项“无凸块”技术以突破物理极限 [3] - 在逻辑集成侧，以台积电SoIC为代表的技术借其实现超高密度异构集成 [3] - 台积电等大厂提前扩产，HBM4/5与高端AI芯片将率先规模应用，相关设备需求预计在2030年前实现数倍增长 [3] 市场竞争格局 - 混合键合设备市场呈现“海外主导、国产突破”的格局，荷兰BESI占据全球约70%的份额，呈现绝对龙头地位 [4] - 中国设备商正加速追赶：拓荆科技已推出首台量产级混合键合设备并获得重复订单 [4] - 百敖化学、迈为股份的混合键合设备已交付客户并进入产业化验证阶段 [4] - 在行业高景气与国家大基金重点投入驱动下，国产设备市场份额有望持续提升 [4] 行业领导者分析 - BESI作为全球混合键合设备的绝对领导者，凭借覆盖从传统封装到尖端2.5D/3D集成的完整设备组合，确立了在高性能计算市场的核心地位 [5] - 其旗舰产品Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC能够实现100nm的对准精度与2000 CPH的吞吐量，标志着技术正从实验室走向规模化量产 [5] - 研发上与应用材料有战略股权合作，应用材料持股9%为其最大股东 [5] - 财务上，其先进封装业务以超过65%的毛利率展现了强大的技术溢价能力 [5] - 公司增长引擎已从传统移动业务切换至AI驱动的新范式，数据中心、2.5D封装和光子学应用的订单呈现爆发式增长 [5]

报告行业投资评级 - 报告未明确给出对行业整体的投资评级 报告的核心观点 - 混合键合技术是后摩尔时代突破算力瓶颈的关键使能技术，其需求正由AI/HPC和HBM的爆发式增长强力驱动 [7][112] - 当前混合键合设备市场由海外龙头主导，但国产替代机遇明确 [7][112] - 行业已进入高速落地期，相关设备需求预计在2030年前实现数倍增长 [5] 根据相关目录分别进行总结 混合键合技术概述 - 混合键合是一种先进的封装技术，通过铜-铜直接键合取代传统凸块，实现10μm以下的超精细间距互连，在互连密度、带宽、能效和单位互连成本上带来数量级提升 [4] - 其工艺分为晶圆对晶圆和芯片对晶圆，前者适合存储等均匀小芯片，后者适合大芯片及异构集成 [4] - 该技术已从引线键合、倒装芯片、热压键合、扇出封装演进而来，连接密度从5-10/mm²提升至1万-100万/mm²，能耗/比特降至<0.05 pJ/bit [16][17] - 主要应用于3D NAND、CIS，并正加速向HBM、AI芯片、DDR6+及SoIC等高性能计算场景扩展 [4][25] 混合键合的优势与挑战 - **优势**：可实现1μm以下的互连间距，单位面积I/O接点数量较传统凸块键合提升千倍以上；兼容现有晶圆级制造流程；支持三维集成与异构设计 [29][30] - **挑战**：需要解决表面光滑度、洁净度、对准精度、良率控制及测试流程复杂等难题，例如CMP阶段表面粗糙度需<0.1 nm，洁净度需ISO3以上 [31] 未来市场需求 - **HBM驱动**：在HBM5 20hi世代，三大主要HBM制造商已确定采用混合键合技术以突破物理极限 [33] - **逻辑芯片驱动**：台积电SoIC技术采用混合键合，其AP7工厂旨在提高SoIC产量，预计2025年产量翻番至1万片，2026年再翻一番 [38][39] - **全球产能扩张**：全球范围内约有1000亿美元的投资正在进行中或已规划，用于建设新的先进封装产能 [43] - **市场预测**： - 根据BESI预测，到2030年，全球已安装的混合键合系统累计数量将达到960至2000台 [44] - 全球混合键合技术市场预计从2023年的1.2349亿美元增长至2030年的6.1842亿美元，年复合增长率为24.7% [48] - 其中，亚太地区市场预计从2023年的8140万美元增长至2030年的4.2472亿美元，年复合增长率为26.05% [48] - 2024年全球半导体设备销售额达1171亿美元，中国为496亿美元，连续第五年成为全球最大市场 [49] 主要参与企业 - **海外龙头**：市场呈现“海外主导”格局，荷兰BESI占据绝对龙头地位，2023年市占率高达约67%，2024年约占70% [5][57] - BESI旗舰产品Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC能够实现100nm的对准精度与2000 CPH的吞吐量 [6][104] - 其先进封装业务毛利率超过65% [6] - 2024年营业收入6.075亿欧元，同比增长4.9% [95] - 与应用材料（AMAT）有战略股权合作（AMAT持股9%为最大股东），共同开发全集成混合键合解决方案 [6][100] - **中国厂商（国产突破）**： - **拓荆科技**：已推出国产首台量产级混合键合设备Dione 300并获得重复订单，2024年营收41.03亿元，同比增长51.7% [5][63][64] - **百傲化学**：通过控股子公司芯慧联布局，其混合键合设备已交付客户并进入产业化验证阶段，2025H1半导体业务营收3.35亿元 [5][61][73] - **迈为股份**：混合键合设备已交付客户，对准精度达±100nm，2025H1半导体及显示业务营收1.27亿元，同比增长496.9% [5][61][82] - **国产化率**：2021年键合机国产化率仅为3%，预计2025年有望达到10% [61] 投资建议与受益标的 - 投资建议认为混合键合技术是关键使能技术，需求由AI/HPC和HBM驱动，国产替代机遇明确 [7][112] - 受益标的包括：拓荆科技、百傲化学、迈为股份等 [7][112]

文章核心观点 - 高频宽存储器先进封装的核心技术主要由韩国以外的公司掌握，韩国企业在HBM制造与堆栈方面表现优异，但在原材料、设备及核心专利方面依赖海外，面临潜在专利诉讼风险 [1] - 从专利品质与市场价值评估，美国Adeia和台积电是混合键合技术的领导者，台积电在高质量专利数量上排名第一 [1][2] - 随着2026年混合键合技术商业化，专利授权问题可能演变为诉讼 [2] HBM产业链技术格局 - 韩国企业在HBM制造与堆栈环节优势明显，但原材料与设备严重依赖海外公司 [1] - 韩国缺乏HBM相关核心专利，专利质量与影响力低于平均水平 [1][2] - 中国企业在存储器领域快速成长，如长江存储掌握Xtacking等核心技术 [2] 核心专利分布分析 - 美国Adeia拥有最具价值的混合键合专利，其核心技术来自Ziptronix的直接键合互连与低温直接键合专利 [1] - 台积电在A3等级以上高质量专利数量中排名第一，其SoIC技术具有高价值，三星排名第二，美光和IBM紧随其后 [2] - 相关专利在韩、美、日、欧、中多国注册，企业面临跨国专利诉讼风险 [2] 技术发展与风险展望 - 混合键合技术预计2026年开始商业化 [2] - 目前企业倾向通过不公开协商签订专利授权协议，但未来可能演变为诉讼 [2] - 韩国在核心设备与材料上依赖进口，对国内企业构成供应链风险 [2]

行业发展趋势 - 半导体产业链加速向封装技术领域倾斜，先进封装与键合技术成为突破关键环节并被视为产业下一阶段增长引擎 [1] - 混合键合、无助焊剂键合等技术成熟推动3D封装、异构集成向高密度、高可靠性方向突破 [1] - 纳米银烧结等新型材料加速落地解决传统键合材料热膨胀系数匹配难题 [1] 市场驱动力与前景 - 5G、AI、汽车电子等领域对芯片散热效率、信号传输速度提出更高要求，在摩尔定律趋缓背景下，先进封装成为提升算力性价比的重要路径 [1] - 预计到2027年全球先进封装市场规模将达650亿美元，混合键合技术增速最快 [1] - 2026年先进封装有望超越传统封装成为主流技术 [1] 国内产业现状 - 国内企业正从中低端市场切入HBM、功率半导体等高端赛道，但关键设备与材料仍依赖ASM Pacific等国际厂商 [1] 相关投资工具 - 集成电路ETF（159546）跟踪集成电路指数（932087），该指数选取涉及半导体设计、晶圆制造、封装测试及材料设备等业务的上市公司证券 [1] - 该指数具有突出的技术引领性和产业成长性特征，能够有效表征集成电路行业的发展态势 [1]