移动HBM

搜索文档
都盯上了HBM
半导体行业观察· 2025-03-09 11:26
文章核心观点 - 存储巨头三星和SK海力士正将HBM技术从数据中心拓展至智能汽车和移动设备领域,推动行业技术革新 [1][3][6] - 移动HBM(LPW DRAM)通过3D堆叠和先进封装技术实现高性能与低功耗,将成为端侧AI设备的核心内存解决方案 [9][15][25] - 汽车HBM市场增长迅猛,预计从2023年47.6亿美元增至2028年102.5亿美元,SK海力士已率先推出车规级HBM2E芯片 [3][5] - 三星计划2028年推出带宽200GB/s、功耗1.9pJ/bit的LPW DRAM,性能较LPDDR5x提升166% [15][16] - SK海力士开发VFO技术实现27%厚度缩减和4.9%能效提升,与三星形成差异化竞争 [18][19][20] HBM在智能汽车领域的应用 - 智能汽车"新四化"趋势催生对高带宽内存的需求,ADAS、智能座舱等系统需实时处理高分辨率数据 [2] - SK海力士HBM2E已应用于Waymo自动驾驶汽车,容量8GB、带宽410GB/s,符合AEC-Q车规标准 [3] - 汽车HBM市场规模预计2028年达102.5亿美元,增速可能超越数据中心 [5] - 特斯拉等车企正积极寻求与HBM厂商合作,行业竞争加速技术落地 [4][5] 移动HBM技术发展 - 移动HBM采用阶梯状堆叠LPDDR DRAM,通过垂直引线键合实现高I/O密度,带宽提升8倍 [9][14] - 三星VCS技术使I/O密度和带宽分别提升8倍和2.6倍,生产效率提高9倍 [14] - LPW DRAM带宽达200GB/s,较LPDDR5x提升166%,功耗降低54%至1.9pJ/bit [15][16] - SK海力士VFO技术缩短信号路径至1/4以下,能效提高4.9%,封装厚度减少27% [18][19] 市场竞争格局 - 三星侧重高带宽设计(LP Wide I/O),SK海力士聚焦低功耗与轻薄化(VFO) [20] - 移动HBM可能采用定制化生产模式,类似SK海力士为苹果Vision Pro供应专用DRAM [21] - 预计2027年超50%的AI手机将集成HBM,平板和笔记本市场快速跟进 [20] - 两家公司技术路线差异将影响移动AI市场格局,量产能力与客户生态成竞争关键 [20][26] 技术差异与趋势 - 传统HBM采用TSV技术,移动HBM通过垂直引线键合实现中带宽低功耗 [25] - 移动HBM推动端侧AI设备升级,传统HBM向16层HBM4演进 [25] - 成本与良率仍是短期挑战,但技术创新将重塑智能手机、AR/VR设备性能边界 [26]