DRAM技术竞争格局 - 三星电子成立工作组推进第七代DRAM量产，目标颠覆高带宽内存(HBM)领域现有格局[2] - SK海力士已完成第六代DRAM(D1c)开发并评估D1d工艺可靠性，计划2024年下半年应用于通用DRAM[2] - 美光向客户运送基于"1γ"的DDR5样品，与D1c技术进步同步[2] - 三星停止10纳米(1z)工艺LPDDR4芯片生产，集中资源开发第七代DRAM，计划2026年量产10纳米级D1d，2027年量产亚10纳米级D0a[2] 行业动态与市场表现 - SK海力士首季净利同比大增322%至8.11兆韩元，营业利益同比增157.8%至7.44兆韩元(约52亿美元)，营收同比增41.9%至17.64兆韩元[4] - 尽管业绩亮眼，SK海力士股价仍下跌1.5%，反映市场对下半年记忆体市况的担忧[4] - 非AI应用记忆体市场中，消费性DRAM和NAND Flash价格出现回升趋势，车用及工控市场仍疲弱但价格有升温迹象[4] 行业风险因素 - 美国关税政策不确定性导致全球记忆体需求波动，可能引发下半年"价量齐跌"局面[4][5] - OEM/ODM厂商可能因关税政策提前拉货，导致下半年旺季需求受影响[4] - 消费电子产品需求可能受AI功能新品推动，但关税引发的囤货行为或造成市场扭曲[4] 企业战略应对 - SK海力士计划将1c纳米工艺应用于HBM4E以保持市场领先地位[2] - 三星DS部门负责人下令对D1a(第四代)电路进行重新设计，显示技术路线调整[2] - 行业厂商试图通过减产措施稳定DRAM和NAND Flash价格，首季已见成效[4]