英特尔EMIB封装技术外包与合作 - 英特尔首次将AI半导体封装技术EMIB外包给韩国仁川松岛的Amkor工厂，以强化其半导体供应链[1] - 英特尔与Amkor于今年4月签署EMIB技术合作协议，并选定松岛K5工厂作为实施地点[1] - EMIB是一种2.5D封装技术，通过嵌入半导体衬底中的硅桥连接不同芯片（如GPU与HBM），相比硅中介层具有更高性价比和生产效率[1] EMIB技术特点与优势 - EMIB技术利用硅桥实现芯片间互连，相比传统的硅中介层方案成本更低[1] - 该技术支持精确的2.5D封装，在AI加速器等高性能半导体中实现处理器与内存的高效连接[1] - 下一代技术EMIB-T结合了桥接和硅通孔（TSV），可显著提高成品速度和性能，是公司在AI半导体领域的关键战略之一[2] EMIB-T技术突破 - EMIB-T将TSV集成到EMIB技术中，通过从芯片封装底部供电，实现了直接、低阻抗的供电路径，解决了传统悬臂式供电路径的电压降问题[4][5] - 该技术提升了芯片间通信带宽，数据传输速率可达32 Gb/s或更高，支持高速HBM4/4e内存集成[5] - EMIB-T支持更大的芯片封装尺寸，可达120x180毫米，并在单个封装中支持超过38个桥接器和12个芯片[6] 技术规格演进 - 第一代EMIB实现55微米凸点间距，第二代缩小至45微米，EMIB-T技术支持远小于45微米的间距，将很快实现35微米，并正在开发25微米间距[6] - 新技术兼容有机或玻璃基板，后者是公司未来芯片封装战略的关键方向[6] 散热与键合技术进展 - 公司公布新型解耦式散热器技术，将散热器拆分为平板和加强筋，有助于将焊料与导热界面材料耦合中的空隙减少25%[6] - 开发了针对大型封装基板的新热压键合工艺，通过降低键合过程中基板和芯片的温差，提高了良率和可靠性，并支持更大的芯片封装尺寸[7] 晶圆代工业务战略 - 先进的芯片封装技术使客户能够将来自多个供应商的不同类型芯片（如CPU、GPU和内存）集成到单个封装中，降低所有组件都必须采用英特尔工艺节点的风险[8] - 芯片封装已成为公司面向外部客户的主要服务之一，目前客户包括AWS、思科等行业巨头以及美国政府的RAMP-C和SHIP项目，是晶圆代工业务快速创收的途径[8]