台积电CoWoS先进封装产能紧张现状 - 台积电CoWoS先进封装产能高度吃紧，除AI芯片龙头外，其他ASIC和二线AI芯片业者难以争取足够产能 [1] - 产能吃紧情况已延续一段时间，因云端AI芯片投资与需求暴增，台积电及配合的测试供应链均处于产能全满、持续赶单状态 [2] - 从台积电高效运算（HPC）相关营收在上一季几乎没有任何季增长可看出，现有产能已全部运转 [2] 英特尔EMIB技术成为替代方案 - 英特尔EMIB技术因价格较为实惠、散热表现不错，对技术规格需求相对不高的产品具有吸引力，成为芯片业者的考量之一 [1][2] - 包括苹果、高通在招募人才时加入需了解EMIB技术的要求，显示其兴趣 [3] - 部分业界人士认为EMIB技术成熟且有实绩，可用于支援需要快速完成设计到量产的Tier 2专案 [3] 潜在合作模式与客户动态 - 市场盛传网通芯片大厂Marvell和联发科积极尝试采用EMIB制程，以提供更便宜方案给客户 [1] - 出现“前段投片台积电、后段找上英特尔”的新生意模式探讨，需整合两家公司的制程 [1][5] - EMIB已有非英特尔自身的客户确定采用，且合作测试的业者有增加趋势 [2][4] 市场机遇与长期展望 - CoWoS产能不足及美系客户对本土生产的需求，为英特尔EMIB创造了替代机会窗口 [2] - 在强调性价比的ASIC与二线AI运算芯片环境下，EMIB具备优势 [4] - 长期看，若合作成效佳，英特尔的2.5D EMIB乃至3D封装的Foveros制程都有机会稳定接单 [4] - 对英特尔而言，从后段先进封装服务切入是进入AI芯片供应链的方式，需把握当前暂时的时间窗口争取专案练兵 [5][6]

同时，EMIB在封装尺寸上也较具优势，相较于CoWoS-S仅能达到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前发展至 3.5倍，预计在2027年达9倍；EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，并预计2026年到2027年可支援到8倍至12 倍。价格部分，因EMIB舍弃价格高昂的中介层，能为AI客户提供更具成本优势的解决方案。 11月25日，TrendForce集邦咨询发布的最新研究显示，AI HPC（高效能运算）对异质整合的需求依赖先 进封装达成，其中的关键技术即是TSMC（台积电）的CoWoS解决方案。然而，随着云端服务业者 （CSP）加速自研ASIC（专用集成电路），为整合更多复杂功能的芯片，对封装面积的需求不断扩 大，已有CSP开始考量从TSMC的CoWoS方案，转向Intel（英特尔）的EMIB技术。 TrendForce集邦咨询表示，CoWoS方案将主运算逻辑芯片、存储器、I/O等不同功能的芯片，以中介层 （Interposer）方式连结，并固定在基板上，目前已发展出CoWoS-S、CoWoS-R与CoWoS-L等技术。随 着NVIDIA（英伟达） Blackwell平台2025年进入规模量产，目前市场需求已高度 ...

AI HPC先进封装市场格局 - AI HPC对异质整合的需求高度依赖先进封装技术，其中台积电的CoWoS是关键技术解决方案[1] - 随着云端服务业者加速自研ASIC芯片，对封装面积的需求不断扩大，部分业者开始考虑从台积电CoWoS转向英特尔EMIB技术[1] - AI HPC需求旺盛导致CoWoS面临产能短缺、光罩尺寸限制及价格高昂等问题，促使谷歌、Meta等北美云端服务业者积极与英特尔接洽EMIB解决方案[2] 英特尔EMIB技术优势 - EMIB技术结构简化，舍弃昂贵的中介层，直接将芯片使用内嵌在载板的硅桥进行互连，简化结构并提高良率[3] - EMIB技术因硅比例低，热膨胀系数不匹配问题较小，不易产生封装翘曲与可靠度挑战[3] - EMIB在封装尺寸上具优势，EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，预计2026至2027年支援8倍至12倍，而CoWoS-S为3.3倍，CoWoS-L目前为3.5倍并预计2027年达9倍[7] - EMIB因舍弃高价中介层，能为AI客户提供更具成本优势的解决方案[7] 台积电CoWoS技术特点 - CoWoS方案将主运算逻辑芯片、存储器、I/O等不同功能芯片以中介层方式连结并固定于基板，已发展出CoWoS-S、CoWoS-R与CoWoS-L等技术[1] - 随着英伟达Blackwell平台2025年进入规模量产，市场需求高度倾向内嵌硅中介层的CoWoS-L，其下世代Rubin平台也将采用并进一步推升光罩尺寸[1] - CoWoS多数产能长期由英伟达GPU占据，导致其他客户遭排挤[2] 技术对比与应用前景 - 相较于EMIB，CoWoS可提供较大频宽，但价格较高且光罩尺寸较小[4] - EMIB技术受限于硅桥面积与布线密度，可提供的互连带宽相对较低、信号传输距离较长且有延迟性问题，因此目前主要吸引ASIC客户[8] - 英特尔EMIB技术已应用于自家服务器CPU平台，随着谷歌计划在2027年TPUv9导入及Meta评估用于MTIA产品，该技术有望为英特尔晶圆代工服务业务带来重大进展[8] - 对于英伟达、超威等对带宽、传输速度及低延迟需求较高的GPU供应商，CoWoS仍将是主要封装解决方案[8]

AI HPC先进封装市场格局 - AI HPC对异质整合的需求高度依赖先进封装技术，关键技术为台积电的CoWoS解决方案 [2] - 云端服务业者为整合更多复杂功能芯片，封装面积需求扩大，部分开始考虑从台积电CoWoS转向英特尔EMIB技术 [2] - AI HPC需求旺盛导致CoWoS面临产能短缺、光罩尺寸限制及价格高昂等问题，促使谷歌、Meta等北美云端服务业者积极与英特尔接洽EMIB方案 [3] 英特尔EMIB技术优势 - EMIB结构简化，舍弃昂贵大面积中介层，直接使用内嵌硅桥互连，简化结构且良率更高 [4] - EMIB热膨胀系数问题较小，硅与基板接触区域少，不易产生封装翘曲与可靠度挑战 [4] - EMIB在封装尺寸具优势，EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，预计2026-2027年支援8至12倍，CoWoS-S仅3.3倍，CoWoS-L目前3.5倍预计2027年达9倍 [6] - EMIB因舍弃高价中介层，能为AI客户提供更具成本优势的解决方案 [6] 台积电CoWoS技术特点 - CoWoS方案将主运算逻辑芯片、存储器、I/O等以中介层方式连结并固定于基板，已发展出CoWoS-S、CoWoS-R与CoWoS-L等技术 [2] - 随着英伟达Blackwell平台2025年规模量产，市场需求高度倾向内嵌硅中介层的CoWoS-L，下世代Rubin亦将采用并推升光罩尺寸 [2] - CoWoS多数产能长期由英伟达GPU占据，其他客户遭排挤 [3] 技术应用与市场分化 - 英特尔EMIB技术已应用于自家服务器CPU平台Sapphire Rapids和Granite Rapids等 [7] - 谷歌决定2027年TPUv9导入EMIB试用，Meta积极评估用于MTIA产品，EMIB技术有望为英特尔晶圆代工服务业务带来重大进展 [7] - 英伟达、超威等对带宽、传输速度及低延迟需求较高的GPU供应商，仍将以CoWoS为主要封装解决方案 [7] - EMIB技术受限于硅桥面积与布线密度，互连带宽较低、讯号传输距离较长且延迟略高，目前仅ASIC客户较积极评估导入 [7]

文章核心观点 - 在AI芯片需求驱动下，先进封装技术成为半导体行业关键，台积电、英特尔、三星形成三强鼎立格局，各自技术路线和定位不同[1][3] - 台积电CoWoS技术是当前高性能GPU封装的主流选择，但面临产能紧张和成本高昂的挑战[6][7][8] - 英特尔EMIB技术凭借灵活性、成本优势和本土供应链，成为苹果、高通等公司评估的潜在替代方案[11][14][17] - 三星从HBM供应链优势切入，提供I-Cube和X-Cube等封装方案，强调一体化解决方案[19][20][23] - 先进封装市场的竞争是算力架构、供应链安全、资本开支和生态绑定的综合博弈[24] 先进封装市场前景 - 2025年第二季度先进封装收入预计超过120亿美元，受人工智能和高性能计算需求推动[3] - 2024年先进封装市场规模约450亿美元，预计以9.4%的复合年增长率增长，到2030年达到约800亿美元[3] 台积电CoWoS技术 - CoWoS是2.5D先进封装技术，允许将逻辑芯片、存储器芯片等集成在高密度硅中介层上，成为高带宽封装事实标准[6] - 采用CoWoS技术的厂商包括英伟达（H100、H200、GB200）、AMD MI300系列、Broadcom和Marvell的部分加速芯片[6] - CoWoS产能严重不足，英伟达一家占用超过一半产能，瑞银预计2026年英伟达对CoWoS晶圆需求量达67.8万片，较今年增长近40%[7] - 台积电计划在2026年底前将CoWoS产能从原预估的100kwpm扩大20%以上，达到至少120-130kwpm[8] - CoWoS的中介层成本高昂，在先进封装报价中占据50%-70%成本，在某些案例中“封装比芯片本体更贵”[8] - HBM堆叠越多，CoWoS热密度越难管理，H200、GB200的HBM堆叠量比H100更高，封装区热点进一步集中[10] 英特尔EMIB技术 - EMIB是嵌入式硅桥技术，在基板腔体中放置硅桥实现高密度互连，支持成本高效的异构集成[13] - 相比CoWoS整块大中介层，EMIB是小片硅桥按需嵌入，占用空间小，不影响I/O信号平衡和电源完整性[14] - EMIB在成本、灵活度和散热方面具有优势，更适合定制ASIC、AI推理芯片、基站/网络加速器等应用[14][15] - EMIB可与Foveros结合形成EMIB 3.5D方案，结合横向高密度互连和垂直芯片堆叠，优化封装尺寸、性能、能耗和成本[15][17] - 英特尔在美国本土构建先进封装生产基地，包括新墨西哥州、俄亥俄州和加州的工厂，提供地缘政治驱动的供应链安全优势[17] 三星先进封装技术 - 三星从HBM供应链切入先进封装，代表性技术包括I-Cube（2.5D）和X-Cube（3D）[19][20] - I-Cube S使用大硅中介层的2.5D方案，架构与台积电CoWoS-S同源，支持HBM3/HBM3E高带宽[20] - I-Cube E使用Si Bridge + RDL Interposer的混合型低成本方案，类似英特尔EMIB概念[21] - X-Cube是3D封装技术，采用Z轴堆叠逻辑裸片和铜混合键合技术，实现高密度互连和性能提升[23] - 三星Foundry正在开发低于4微米连接规格的超精细铜混合键合技术，以实现更高密度3D堆叠[23] 行业竞争格局 - 台积电侧重服务以英伟达为代表的高端无晶圆厂客户[24] - 英特尔为自家产品与潜在代工客户重构新路径[24] - 三星主打HBM叠加自家逻辑芯片或客户SoC的一体化方案[24] - 下游芯片设计公司需在不同封装阵营间进行路线规划、风险对冲和长期产能锁定，以决定AI产品性能与交付确定性[24]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在AI芯片快速发展的浪潮中，GPU、AI ASIC等高性能计算（HPC）核心，以及HBM（高带宽内 存），正成为采用 2.5D/3D 封装技术的高端产品的主力军。先进封装平台对于提升器件的性能和带 宽至关重要，其重要性已使其成为半导体领域最热门的话题，热度甚至超越了以往的尖端工艺节点。 近期，有关英特尔的先进封装技术 EMIB 正被科技巨头苹果和高通评估的消息引发了广泛关注：苹 果在相关招聘信息中，寻求熟悉 CoWoS、EMIB、SoIC、PoP 等技术的 DRAM 封装工程师；高通 也在招募资料中心产品管理总监，要求熟悉英特尔EMIB技术。虽然这些动作尚不意味着两大芯片设 计巨头已正式转向，但它们明确透露出全球顶级自研芯片企业正在积极评估英特尔作为台积电之外的 潜在替代方案。 图片来源：高通公司 而在AI芯片的先进封装领域，台积电、英特尔和三星已经形成了"三强鼎立"的格局。由于自身定位不 同，这三家公司在产业链中也承担着不同的封装角色。据Yole Group的分析，短期来看，2025年第 二季度先进封装收入将超过120亿美元。在人工智能和高性能计算强劲需求的推 ...

英特尔EMIB技术市场关注度 - 英特尔的EMIB先进封装技术吸引苹果和高通等主要客户关注 被视为台积电产品的可行替代方案[1] - 苹果公司发布DRAM封装工程师招聘需求 明确要求具备包括EMIB在内的先进封装技术经验[1] - 高通公司为其数据中心业务部门招聘产品管理总监 职位要求熟悉英特尔EMIB技术[1] 英特尔封装技术发展现状 - 英特尔CEO及高层多次强调 Foveros和EMIB技术已吸引多家客户兴趣[1] - 英特尔先进封装技术具备大规模量产的能力[1]

先进封装技术演进 - 半导体封装功能从单纯保护芯片演变为集成多个元件的复杂系统，先进封装成为提升性能的关键[1] - 先进封装无明确定义，泛指比传统单芯片封装更复杂的方案，通常集成多个元件并采用2.5D/3D排列方式[1][7] - 封装技术发展直接关联带宽和功耗两大趋势，通过缩短互连距离提升性能并降低能耗[3][5][6] 封装架构创新 - 表面贴装技术（BGA）取代通孔封装，实现双面元件布局并提高连接密度[8][9] - 阵列引线技术突破边缘引线限制，支持高密度互连（数千连接）并优化信号完整性[11] - 多组件集成通过封装内互连减少PCB连接，遵循类似芯片集成的伦特法则效应[15][17] 关键组件技术 - 再分布层(RDL)实现信号模式转换，解决封装与PCB布线规则差异问题[18][19] - 扇入/扇出技术通过灵活布线实现芯片级封装(CSP)或更大封装尺寸[20][22] - 2.5D/3D架构通过中介层和芯片堆叠提升集成度，HBM内存堆栈是典型3D应用[27][32] 材料与制造工艺 - 有机基板采用ABF等高性能介质材料，平衡信号完整性与热膨胀系数[34] - 硅/玻璃/有机中介层提供不同性价比选择，硅中介层支持最高布线密度[55][56][59] - 混合键合技术消除中间材料，直接连接焊盘与氧化物提升连接质量[79][81] 设计与测试挑战 - 先进封装需芯片/封装/系统协同设计，热分析和信号完整性验证至关重要[107][110] - IEEE 1149/1687等测试标准需适配多芯片环境，支持扫描链集成与并行测试[116][119][123] - 共面性/电迁移/热机械效应构成主要可靠性风险，需材料与工艺优化[127][128] 安全与供应链 - 2.5D封装信号暴露增加信息泄露风险，3D堆叠和混合键合提升逆向工程难度[132][133] - 供应链环节可能引入白盒攻击，需控制组装测试流程防范内部威胁[133][134]

2.5D封装技术成为AI芯片的关键解决方案 - 2.5D封装技术凭借高带宽、低功耗和高集成度优势成为AI芯片的理想封装方案 [1] - 英特尔EMIB和台积电CoWoS是2.5D封装领域的两大明星技术 [1] - 2.5D封装通过硅中介层或嵌入式桥接技术实现多芯片水平连接，在单一封装内集成CPU、GPU、内存和I/O模块 [3] - 相比传统2D封装，2.5D封装显著提升数据传输效率，同时避免3D堆叠的制造难度和热管理挑战 [3] 英特尔EMIB技术的五大优势 - 成本更低：EMIB采用小型硅桥连接芯片，一个晶圆可生产数千个桥接单元，良率高且成本优势随HBM数量增加呈指数级增长 [4] - 更高良率：EMIB减少复杂工艺步骤，简化"芯片对晶圆"流程，提升生产稳定性 [4] - 更快生产周期：EMIB将传统数天的生产周期缩短数周，帮助客户提前获取测试数据 [5] - 更强扩展性：EMIB嵌入基板的设计提高基板利用率，适合集成更多HBM或复杂工作负载的大型封装 [8] - 更多选择：EMIB为客户提供灵活性和选择权，技术已成熟应用近十年 [8] 英特尔在封装技术领域的领先地位 - 英特尔封装技术领先行业五十多年，从引线键合架构发展到2.5D、3D和3.5D技术 [13] - 英特尔代工提供完整先进封装产品组合，包括低成本FCBGA和高性能EMIB系列 [14] - EMIB 2.5D通过基板中的微型硅桥连接单层芯片或HBM堆叠，在AI和HPC领域表现突出 [17] - EMIB 3.5D引入3D堆叠技术，保留EMIB连接优势并增加垂直堆叠灵活性 [17] - Foveros技术分为2.5D和3D版本，提供最高带宽和最低功耗互连，可灵活组合多种技术 [18] 英特尔代工服务的系统级优化 - 英特尔扩展至系统级架构和设计服务，包括热建模、功耗建模等优化技术 [20] - 英特尔数据中心GPU Max系列集成近50块基于五种不同制造工艺的芯片 [21] - 开发裸片测试技术，在组装前进行高精度测试，提升生产效率和良率 [22] - 代工服务提供灵活定制模式，客户可单独选择EMIB封装或裸片测试等服务 [26] - 已完成超过250个2.5D设计项目，涵盖消费电子、FPGA、服务器和AI加速器等领域 [27] 未来封装技术发展方向 - 研发120毫米×120毫米超大封装尺寸，计划未来一到两年内量产 [29] - 加大玻璃基板和玻璃核心技术的投资，预计未来几年将成为主流 [29] - 封装技术创新将成为推动AI技术进步和产业变革的重要动力 [30]