公司股价与交易动态 - 天域半导体股价再涨超6%，截至发稿涨6.43%，报54.65港元 [1] - 成交额为1388.52万港元 [1] 战略合作核心内容 - 天域半导体与青禾晶元订立战略合作协议，双方同意建立战略合作 [1] - 合作基础是结合天域半导体在碳化硅材料领域的优势与青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 双方将共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸（12英吋及以上）SiC复合散热基板 [1] 合作目标与预期影响 - 董事会认为合作将利用双方各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系 [1] - 合作旨在结合公司在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，以促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] - 预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [1]

公司股价与交易表现 - 天域半导体股价再涨超6%，截至发稿，涨6.43%，报54.65港元 [1] - 成交额为1388.52万港元 [1] 战略合作协议核心内容 - 天域半导体与青禾晶元订立战略合作协议，双方同意建立战略合作 [1] - 合作基础在于结合天域半导体在碳化硅材料领域的优势与青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 双方将共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作目标与预期影响 - 董事会认为，订约方将利用各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，以促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] - 预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [1]

战略合作协议概述 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日交易时段后订立战略合作协议 [1] - 协议旨在建立战略合作，共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代 [1] - 合作涉及的材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作基础与目标 - 合作基于天域半导体在碳化硅材料领域的优势以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] 预期合作效益 - 预期合作将提升天域半导体集团在大尺寸复合基板方面的技术能力 [1] - 预期合作将确保设备稳定性 [1] - 预期合作将进一步巩固天域半导体集团的市场地位 [1]

战略合作协议核心内容 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日交易时段后订立战略合作协议 [1] - 协议旨在建立战略合作，共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代 [1] - 合作涉及的键合材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作基础与目标 - 合作将凭借天域半导体在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] 预期合作效益 - 预期合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力 [1] - 预期合作将确保设备稳定性 [1] - 预期合作将进一步巩固集团的市场地位 [1]

战略合作协议概述 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日订立战略合作协议，旨在建立战略合作 [1] 合作基础与目标 - 合作基于天域半导体在碳化硅材料领域的优势以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅、绝缘体上硅、绝缘体上压电基板及超大尺寸(12英寸及以上)SiC复合散热基板 [1] - 董事会认为合作将结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [3] - 预期合作将促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺，提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [3] 具体合作内容 - **工艺开发**：天域半导体将就键合SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等键合材料开展工艺开发及量产导入 [1] - **设备与技术支持**：青禾晶元将向天域半导体提供离子注入、晶圆级键合、精密抛光、晶体修复及剥离等方面的设备及相关技术支持 [2] - 技术支持具体包括：为单晶—多晶SiC键合衬底(8英寸)提供设备定制、优化及工艺调试；为单晶—单晶SiC键合衬底(8英寸)、SOI(8英寸及12英寸)及SionSiC(12英寸)键合衬底提供整线设备选型、设备定制、工艺优化及量产支持；提供适用于金刚石、氧化镓、氮化镓、铌酸锂、钽酸锂等材料的键合设备 [2] - **设备改进及技术支持**：天域半导体将从工艺开发、批量制造的角度给予设备改进及升级迭代的指导；青禾晶元应配合天域半导体量产需求，加大研发投入，提升设备能力，并积极应对使用中遇到的技术问题 [2] 合作条款 - **知识产权**：在技术开发过程中，协议订约方各自独立研发的知识产权归各自独立所有 [3] - **优先合作**：在合作期间及同等条件下，天域半导体应优先与青禾晶元开展整线项目合作，并优先采购其相关设备 [3] - 若青禾晶元提供的设备无法满足天域半导体的技术指标、量产良率要求或货期需求，天域半导体有权向第三方采购，不视为违约 [3]